意法半導體MDmesh?M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產(chǎn)品能夠為服務(wù)器、筆記本電腦、電信設(shè)備及消費電子產(chǎn)品電源提供業(yè)內(nèi)最高能效的電源解決方案，在低負載條件下的節(jié)能效果尤為顯著，讓設(shè)計人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關(guān)式電源，同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。

新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合意法半導體經(jīng)過市場檢驗的條形布局（strip layout）和全新改進的垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的擴散工藝（diffusion process），擁有接近理想的開關(guān)設(shè)計，包括超低的導通電阻和最低的關(guān)斷開關(guān)損耗，是特別為甚高頻功率轉(zhuǎn)換器（f>150 kHz）專門設(shè)計，為要求最嚴格的電源供應(yīng)器（PSU,Power Supply Unit）的理想選擇。

硬開關(guān)和軟開關(guān)電路拓撲均適用，包括諧振拓撲（resonant topologies），例如LLC諧振，新器件的開關(guān)損耗極低，特別是在低負載條件下，低損耗更為明顯。除MDmesh M2產(chǎn)品的共性柵電荷量（Qg）極低外，M2 EP產(chǎn)品的關(guān)斷能量（Eoff）還可降低20%，而在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中，關(guān)斷開關(guān)損耗同樣降低20%。在低電流范圍內(nèi)降低Eoff損耗，有助于提高低負載能效，進而幫助電源廠商順利達到日益嚴格的能效認證要求。