范葉霞

(華北光電技術(shù)研究所，北京100015)

1 引言

碲鋅鎘(CdZnTe，CZT)晶體是一種綜合性能優(yōu)異的紅外焦平面探測(cè)器襯底材料，以其為襯底的碲鎘汞焦平面器件產(chǎn)品批量生產(chǎn)和裝備量占全球的70%以上，焦平面列陣已達(dá)到2048×2048元的規(guī)模，使得對(duì)襯底材料CdZnTe晶體的尺寸和利用率提出了更高的要求。對(duì)于生長(zhǎng)CdZnTe晶體，垂直布里奇曼(VB)法是應(yīng)用比較廣泛的生長(zhǎng)方法之一。由于CdZnTe材料具有低熱導(dǎo)率、低層錯(cuò)能等特點(diǎn)，導(dǎo)致在采用VB法生長(zhǎng)CdZnTe晶體時(shí)難以獲得CdZnTe單晶。在實(shí)際工藝中，制備出的CdZnTe晶體多為孿晶體，實(shí)際晶體利用率較低，大大增加了碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器的成本，因此有必要對(duì)VB法生長(zhǎng)CdZnTe晶體的工藝條件進(jìn)行優(yōu)化。

2 優(yōu)化參數(shù)

2.1 坩堝

在VB法生長(zhǎng)工藝中，晶體在坩堝內(nèi)生長(zhǎng)，晶體與坩堝直接接觸，因此在影響晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的諸因素中，坩堝的性能與質(zhì)量占有重要地位。坩堝的性能包括強(qiáng)度、熱導(dǎo)率(徑向、軸向)、熱膨脹系數(shù)、與熔體的浸潤(rùn)角、表面光潔度、純度、高溫化學(xué)穩(wěn)定性、與熔體是否反應(yīng)、與晶體是否粘連等。為了提高單晶體的質(zhì)量，研究人員不斷地改進(jìn)晶體生長(zhǎng)中與坩堝相關(guān)的工藝，如旋轉(zhuǎn)坩堝，改進(jìn)坩堝材質(zhì)和形狀等。生長(zhǎng)CdZnTe單晶體的坩堝主要有內(nèi)壁熏碳的石英坩堝、石墨坩堝和熱解氮化硼坩堝(PBN坩堝)［1－3］。實(shí)際工藝中一般采用熏碳的石英坩堝，其合成與生長(zhǎng)均在一個(gè)坩堝內(nèi)進(jìn)行，不需二次裝料，操作步驟少，成本較低，石英坩堝還具有許多的優(yōu)勢(shì)，如耐熱沖擊性好、晶體易于取出、成本較低，且已形成規(guī)?；a(chǎn)。但采用熏碳石英坩堝很難獲得高質(zhì)量的CdZnTe單晶，晶體的EPD值一般為5～8×104cm－2，且生長(zhǎng)的晶錠一般由幾個(gè)大的晶粒組成。與傳統(tǒng)采用的熏碳石英坩堝相比，PBN坩堝在CdZnTe晶體生長(zhǎng)中更具優(yōu)勢(shì)。PBN坩堝純度高(99.99%)、表面致密、耐高溫;熱膨脹系數(shù)小(約0.24×10－6K－1)、熱導(dǎo)率高、具有著明顯的熱各向異性、軸向的熱導(dǎo)率低于徑向，這有利于晶體生長(zhǎng)時(shí)熱量的橫向傳導(dǎo)和略凸固液界面形狀的保持，同時(shí)小的軸向熱導(dǎo)率利于減小軸向溫度梯度，利于CdZnTe晶體生長(zhǎng)時(shí)Zn的縱向均勻分布;PBN與CdZnTe不發(fā)生反應(yīng);浸潤(rùn)角大，約為125°，熏碳石英坩堝的浸潤(rùn)角為108°［4］，PBN具有如此大的浸潤(rùn)角表示熔體與坩堝是基本不浸潤(rùn)的，無疑將有利于形成凸的固液界面和單晶生成，抑制多晶形核，這也是許多半導(dǎo)體晶體選擇PBN坩堝的重要原因。研究還發(fā)現(xiàn)［1］石英坩堝生長(zhǎng)晶體的載流子濃度高于PBN坩堝生長(zhǎng)晶體，且p型載流子濃度依賴于晶體中Na和Li雜質(zhì)濃度，如圖1所示。晶體實(shí)驗(yàn)還表明［2］，與石英和石墨坩堝相比，PBN坩堝生長(zhǎng)的 CdZnTe晶體EPD值更小，約2×104cm－2以下，且腐蝕坑分布均勻;第二相尺寸變小，密度為0～1×103cm－2;孿晶數(shù)量也有減小的趨勢(shì)。以上這些性能都有利于高質(zhì)量CdZnTe單晶體的制備，因此在VB法中使用PBN坩堝對(duì)CdZnTe單晶體生長(zhǎng)是非常有利的。

圖1 VGF法生長(zhǎng)單晶的載流子濃度［19］Fig.1 Carrier concentration of CdZnTesingle crystals［19］

坩堝形狀對(duì)晶體生長(zhǎng)也是至關(guān)重要的，坩堝一般都存在圓錐形的變徑區(qū)，即錐形區(qū)。錐形區(qū)存在自發(fā)增長(zhǎng)，即在晶體生長(zhǎng)過程中，在拉速和熔體溫度梯度不變的情況下，錐形區(qū)體積隨時(shí)間按指數(shù)增加［5］。這導(dǎo)致錐形區(qū)的應(yīng)力急劇增加，因此錐形區(qū)極易產(chǎn)生孿晶、位錯(cuò)和多晶等缺陷，進(jìn)而影響整根晶體的質(zhì)量，因此要對(duì)此區(qū)域進(jìn)行重點(diǎn)優(yōu)化。其中坩堝錐角的選擇直接影響晶體的界面形狀，數(shù)值計(jì)算的結(jié)果表明，隨坩堝錐角的增大，導(dǎo)致非均勻形核幾率增加，增大了孿晶及多晶產(chǎn)生的幾率［6］。依據(jù)成核理論，引晶錐角越小，沿軸向傳走的熱量越多，有利于固液界面的平坦［7］，以上均為理論方面的研究，坩堝錐角對(duì)固液界面的影響還要結(jié)合CdZnTe晶體的物理特性和溫場(chǎng)等因素進(jìn)行判斷。但是坩堝錐角減小，晶體的可利用體積無疑也變小，即晶體的等徑部分變短。為了獲得較高的晶體質(zhì)量，減少缺陷形成的幾率，提高晶體利用率，需要設(shè)計(jì)合適的坩堝錐角。針對(duì)多晶和孿晶易在坩堝的籽晶和圓錐區(qū)成核，L.Reijnen等人［8］采用平底坩堝和大尺寸籽晶生長(zhǎng)了直徑2 inch GaSb大單晶，但大籽晶又降低了晶體的質(zhì)量，詳見2.4節(jié)籽晶生長(zhǎng)。坩堝圓錐區(qū)的角度還與所生長(zhǎng)晶體的晶系有關(guān)，孫建仁［9］依據(jù)經(jīng)驗(yàn)指出，正確地選擇圓錐區(qū)的角度常能得到較高的單晶率，但在CdZnTe晶體生長(zhǎng)的研究中還未見相關(guān)的報(bào)道。

2.2 溫場(chǎng)

溫場(chǎng)是否合適是晶體生長(zhǎng)的關(guān)鍵，理想的溫場(chǎng)是對(duì)稱而穩(wěn)定的，合適的溫場(chǎng)可以獲得平坦的固液界面形狀。但部分研究也表明［6，8，10］，布里奇曼法生長(zhǎng)單晶的固液界面形狀有時(shí)是略凹的，說明略凹的界面有時(shí)也能獲得單晶體。正是因?yàn)闇囟忍荻葘?dǎo)致溶液的過冷度使晶體生長(zhǎng)有了推動(dòng)力，合適的溫度梯度是生長(zhǎng)高質(zhì)量晶體的重要因素之一。

徑向溫度梯度是指以籽晶為圓心向四周輻射的溫度分布，徑向溫場(chǎng)要求平緩、均勻、對(duì)稱，因此坩堝應(yīng)放在爐管中心部位，籽晶桿必須與中心線圈以及坩堝的軸線重合。溫度場(chǎng)的分布沿徑向是由坩堝壁到中心溫度逐漸降低，徑向溫度梯度是由坩堝的直徑?jīng)Q定的。

用液面上和液面下單位距離的溫度差來表示影響晶體生長(zhǎng)的軸向溫度梯度。軸向溫度場(chǎng)的分布則是由坩堝底部向上溫度逐漸降低，并且在熔體液面以下溫度梯度較平緩，在液面以上溫度梯度則較陡，軸向溫度梯度主要通過調(diào)整線圈加熱功率和坩堝在爐管中的軸向位置，改變保溫罩上蓋的厚度及材料來控制。沿軸向(正方向)的溫度梯度可表示為［11］:

一般說來，軸向溫度梯度大，晶體容易生長(zhǎng)，溫度容易控制，但晶體內(nèi)應(yīng)力大，容易產(chǎn)生裂紋;軸向溫度梯度小，可以減小內(nèi)應(yīng)力，避免開裂，但晶體外形難以控制，易出現(xiàn)組分過冷。當(dāng)晶體溫度梯度所產(chǎn)生的應(yīng)變大于晶體的破裂應(yīng)變時(shí)，晶體就會(huì)開裂，此時(shí)對(duì)應(yīng)的最大軸向溫度梯度為［12］:

由此式可知，為了防止晶體開裂，必須減小晶體的溫度梯度，而且生長(zhǎng)晶體的半徑越大，相應(yīng)的溫度梯度也就越小。

晶體的溫度梯度與晶體的位錯(cuò)密度也是息息相關(guān)的。晶體內(nèi)的位錯(cuò)密度N可表示為:

由此式可知，軸向溫度梯度S越大，位錯(cuò)密度越大。同時(shí)晶體半徑越大，晶體內(nèi)的位錯(cuò)密度也越高，這個(gè)結(jié)論與CdZnTe晶體的生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果是相一致的。

溫度梯度是生長(zhǎng)晶體溫場(chǎng)的關(guān)鍵因素，溫度梯度的存在是晶體生長(zhǎng)的動(dòng)力，大的溫度梯度有利于形成凸的固液界面，利于單晶的生長(zhǎng)，但溫度梯度過大，晶體中的應(yīng)力也越大，晶體的位錯(cuò)、孿晶等缺陷的產(chǎn)生也就越容易，過大的溫度梯度還會(huì)導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)不可控，甚至是晶體的碎裂，這是人工生長(zhǎng)晶體不允許的。而過低的溫度梯度會(huì)導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)不形核或是籽晶的融化，抑或無法生長(zhǎng)單晶。依據(jù)方向不同，溫度梯度分為軸向溫度梯度和徑向溫度梯度。一般VB法生長(zhǎng)CdZnTe晶體的軸向溫度梯度為10～15℃/cm，但生長(zhǎng)的晶體單晶率不高，重復(fù)率也難令人滿意，位錯(cuò)密度亦較高［13－15］。為了生長(zhǎng)高質(zhì)量和高單晶重復(fù)率的CdZnTe晶體，要降低VB法的軸向溫度梯度，減小相應(yīng)的晶體生長(zhǎng)速度。小的軸向溫度梯度還可以減小軸向的熔體對(duì)流，利于獲得穩(wěn)定的生長(zhǎng)界面。小的徑向溫度梯度有利于減小熔體對(duì)流，利于晶體界面的平穩(wěn)，維持晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定和Zn濃度的均勻分布。反之大的徑向溫度梯度必然造成固液界面不穩(wěn)定，進(jìn)而導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)不穩(wěn)定。但固液界面在晶體實(shí)際生長(zhǎng)過程中不會(huì)一直是平的，存在徑向的溫度梯度，因此晶體中就會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，導(dǎo)致最終缺陷的形成，所以在晶體生長(zhǎng)過程中要盡量減小徑向的溫度梯度，保持平的或微凸的固液界面，以維持晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定。因此VB法生長(zhǎng)CdZnTe晶體時(shí)也要盡量降低徑向溫度梯度，維持晶體穩(wěn)定的生長(zhǎng)和均一的Zn濃度分布。

在利用VB法生長(zhǎng)CdZnTe晶體時(shí)，一個(gè)主要的困難就是大尺寸晶體的生長(zhǎng)，大直徑晶體對(duì)溫度的起伏非常敏感，生長(zhǎng)不易控制。由式(2)可知，生長(zhǎng)大尺寸晶體需要盡可能小的溫度梯度，另外，為了獲得大尺寸等徑的CdZnTe晶體，還需要有大的直徑慣性，但晶體直徑越大，直徑的慣性則越小，不利于晶體生長(zhǎng)［5］。依據(jù)固液界面處能量的守恒得到直徑的慣性C*為:

式中，Tm是凝固點(diǎn);T0是晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)的環(huán)境溫度。由此式可見，為了保持大的直徑慣性，需要降低生長(zhǎng)的環(huán)境溫度、增加生長(zhǎng)體系的熱交換系數(shù)或減慢晶體的旋轉(zhuǎn)速度。而且直徑慣性與晶體的半徑R也是呈反比的，即晶體的直徑越大，晶體的直徑慣性越小，晶體越難生長(zhǎng)。

2.3 移動(dòng)速率

移動(dòng)速率是晶體生長(zhǎng)過程中坩堝或爐體單位時(shí)間內(nèi)移動(dòng)的距離，生長(zhǎng)速率是單位時(shí)間內(nèi)某晶面沿其法線方向向外平行推移的距離。要想獲得穩(wěn)定的晶體生長(zhǎng)狀態(tài)，坩堝的移動(dòng)速率要與晶體的生長(zhǎng)速率相匹配，也即是晶體生長(zhǎng)速度決定了坩堝的移動(dòng)速度。同時(shí)晶體生長(zhǎng)速率直接決定晶體的質(zhì)量，過快的生長(zhǎng)速度無法獲得高質(zhì)量的晶體。根據(jù)熱平衡，晶體的生長(zhǎng)速率可表示為:

其中，V是晶體生長(zhǎng)速率;Gs是晶體的溫度梯度;GL是熔體的溫度梯度;ρs是晶體的密度［5］。

由此可見，晶體生長(zhǎng)速率取決于溫度梯度的大小，提高晶體中的溫度梯度或降低熔體中的溫度梯度可以提高晶體生長(zhǎng)速率，但晶體中溫度梯度過大則會(huì)引起應(yīng)力增加，位錯(cuò)密度增加，或是晶體開裂，同樣熔體中的溫度梯度過小則會(huì)導(dǎo)致熔體過冷，晶體生長(zhǎng)速率過快，晶體生長(zhǎng)將不可控。生長(zhǎng)速率越大，固液界面處的結(jié)晶潛熱就越多，因而固液界面就越凹［16］。晶體的生長(zhǎng)速率還受晶體熱導(dǎo)率的影響，晶體的熱導(dǎo)率越低，晶體的生長(zhǎng)速度就越慢。CdZnTe晶體的熱導(dǎo)率很小，為0.01085 W/cm·K，因此晶體生長(zhǎng)的速率也將很低。生長(zhǎng)速率還和CdZnTe晶體的熔點(diǎn)、熱量的耗散，生長(zhǎng)氣氛、晶體的成分、雜質(zhì)含量等都有關(guān)系。慢的移動(dòng)速率可以盡量減小這些因素對(duì)晶體生長(zhǎng)的干擾，獲得較為滿意的晶體質(zhì)量。對(duì)于大尺寸CdZnTe晶體，生長(zhǎng)條件要求更為嚴(yán)格，不僅晶體生長(zhǎng)速率和坩堝移動(dòng)速率要小，還要盡可能保持生長(zhǎng)和移動(dòng)速率不變，從而將速率對(duì)生長(zhǎng)體系的影響降至最低。

2.4 籽晶生長(zhǎng)

在實(shí)際工藝中，大多采用自發(fā)成核晶體生長(zhǎng)技術(shù)，生長(zhǎng)的CdZnTe晶體晶面取向難以控制，制備出的CdZnTe晶體多為孿晶體，實(shí)際晶體利用率較低，大大增加了成本。采用籽晶法定向生長(zhǎng)CdZnTe晶體是目前公認(rèn)的較為理想的方法，可獲得較大的單晶體積和單晶片，晶體結(jié)晶質(zhì)量較高［17］。

CdZnTe晶體生長(zhǎng)的籽晶方向一般選擇是垂直{111}面的＜111＞晶向即是原子最密堆積面對(duì)應(yīng)的晶向，通常不會(huì)選擇最快生長(zhǎng)面即高指數(shù)晶面，這是由于晶體生長(zhǎng)狀態(tài)不易控制，而且最快生長(zhǎng)面消失速度快，最終會(huì)被低指數(shù)晶面取代。籽晶的選取是無缺陷，無表面無機(jī)械損傷和劃痕，清潔無污染。籽晶大小的選取與生長(zhǎng)的晶體直徑是相關(guān)的，通常生長(zhǎng)較大尺寸的晶體，籽晶相對(duì)也要粗一些。籽晶的粗細(xì)對(duì)生長(zhǎng)晶體的質(zhì)量也是有影響的。L.Reijnen等人［8］證明相對(duì)小尺寸籽晶，大尺寸籽晶生長(zhǎng)晶體的位錯(cuò)密度要大。

2.5 退火

在CdZnTe晶體生長(zhǎng)過程中，坩堝的膨脹系數(shù)與晶體是不同的，在晶體內(nèi)會(huì)產(chǎn)生比較大的內(nèi)應(yīng)力，因此需要進(jìn)行退火處理。CdZnTe晶體的退火處理可以增加紅外透過率，減少缺陷密度，如Te析出物。退火參數(shù)包括:退火溫度、退火時(shí)間、降溫速率以及Cd源的控制等。CdZnTe晶錠退火有生長(zhǎng)后的晶體直接進(jìn)入溫區(qū)原位退火，或是切割成晶片后在退火爐中進(jìn)行異位退火。晶片退火后，晶片上的析出物濃度大為減少甚至消失，但晶片質(zhì)量下降，表現(xiàn)為X射線雙峰搖擺曲線的寬度增加，需要在使用前去掉晶片表層，此退火方式步驟較為繁瑣，不利于節(jié)約成本。CdZnTe晶錠退火現(xiàn)多數(shù)選擇原位退火，日本的 A.Koyama等［18－19］研究了不同Cd源溫度和不同退火溫度對(duì)晶體中析出物的影響，退火結(jié)果如圖2所示。結(jié)果表明，退火溫度約957℃，Cd源溫度為720℃時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)CdZnTe晶錠中無析出物析出。

圖2 CdZnTe晶體退火的溫度和析出物尺寸［19］Fig.2 Annealing temperature and precipitate size of CdZnTe crystals［19］

3 結(jié)論

根據(jù)文獻(xiàn)和實(shí)驗(yàn)，從定性和定量?jī)蓚€(gè)角度總結(jié)了VB法生長(zhǎng)高質(zhì)量大尺寸CdZnTe單晶的最佳生長(zhǎng)條件為:采用＜111＞晶向的尺寸相當(dāng)?shù)淖丫?，使用錐角合適的PBN坩堝，利用小而穩(wěn)定的溫度梯度，以慢且穩(wěn)定的移動(dòng)速率生長(zhǎng)。以上只是提出了VB法生長(zhǎng)CdZnTe單晶的基本優(yōu)化趨勢(shì)，由于影響因素和生長(zhǎng)環(huán)境的千差萬別，因此具體生長(zhǎng)大尺寸CdZnTe單晶時(shí)還要與具體的晶體生長(zhǎng)條件相結(jié)合，找出生長(zhǎng)CdZnTe單晶的關(guān)鍵工藝參數(shù)。

［1］ Koyama，AHichiwa，R Hirano.Recent progress in CdZnTe crystals［J］.Journal of Electronic Materials，1999，28:683－687.

［2］ SUN Shiwen，LIU Congfeng，F(xiàn)ANG Weizheng，et al.The qualities of cadmium zinc telluride single crystals grown from different materials crucible［J］.Laser ＆ Infrared，2007，37(13):924－927.(in Chinese)孫士文，劉從峰，方維政，等.采用不同材料坩堝對(duì)碲鋅鎘晶體質(zhì)量的影響［J］.激光與紅外，2007，37(13):924－927.

［3］ Arun Kumar Garg，MeenakshiSrivastave，R C Narula，et al.Improvement in crystalline quality of Cd1－xZnxTe(x=4%)crystals grown in graphite crucible［J］.Journal of Crystal Growth，2004，260:148－158.

［4］ RajaramShetty，William R Wilcox.Boron nitride coating on fused silicaampoules for semiconductor crystal growth［J］.Journal of Crystal Growth，1995，153:97－102.

［5］ 閔乃本.晶體生長(zhǎng)物理基礎(chǔ)［M］.上海:上?？茖W(xué)技術(shù)出版社，1982:15－16，36－37.

［6］ WANG Siai，SU Xiaoping，ZHANG Fengyi，et al.Numerical simulation study on impact of cone angle of crucible on VGF GaAsmonocrystal growth［J］.稀有金屬，2011，35(4):525－530.(in Chinese)王思愛，蘇小平，張峰燚，等.數(shù)字模擬法研究坩堝錐角對(duì) VGF法 GaAs單晶生長(zhǎng)的影響［J］.稀有金屬，2011，35(4):525－530.

［7］ WANG Dong，QIAN Bing，LIU Zongzheng.Thechoice of condition to CdZnTe crystal growth［J］.Infrared and Laser Technology，1988，4:51－54.(in Chinese)王東，錢冰，劉宗正.CdZnTe晶體生長(zhǎng)條件的選取［J］.紅外與激光技術(shù)，1988，4:51－54.

［8］ L Reijnen，R Brunton，I R Grant，et al.GaSb single－crystal growth by vertical gradient freeze［J］.Journal of Crystal Growth，2005，275:e595－e600.

［9］ 張可從，張樂潓.晶體生長(zhǎng)［M］.北京:科學(xué)出版社，1981，3:447－450.

［10］ G AVerozubova，A O Okunev，A J Gribenyukov，et al.Bulk growth of ZnGeP2crystals and their study by X－ray topography［J］.Journal of Crystal Growth，2014，401:782－786.

［11］甄西合.雙摻鋅鐵鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)及其結(jié)構(gòu)與光折變性能［D］.哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué)，2003:17－18.

［12］ J C Brice.The cracking of Czochralski－grown crystals［J］.Journal of Crystal Growth，1977，42:427－430.

［13］ J Zhang，W Jie，T Wang，et al.Crystal growth and characterization of Cd0.8Mn0.2Te using Vertical Bridgman method ［J］.Materials Research Bulletin，2008，43:1239－1245.

［14］ F F Sheng，X P Cui，S W Sun，et al.Etch pits of precipitates in CdZnTe crystals on(111)B surface［J］.Journal of Crystal Growth，2012，354:76－78.

［15］ H L Glass，A J Socha，C L Parfeniuk，et al.Improvements in production of CdZnTe crystals grown by the Bridgman method［J］.Journal of Crystal Growth，1998，184/185:1035－1038.

［16］ WANG Yue，LI Baoquan，HAN Qinglin，et al.Effects of growth speed on shape of solid－liqiud interface during modified－Bridgman growth of HgCdTe［J］.Journal of Synthetic Crystals，2000，29(1):45－50.(in Chinese)王躍，李全保，韓慶林，等.改進(jìn)布里奇曼法生長(zhǎng)HgCdTe晶體的生長(zhǎng)速度對(duì)固液界面形態(tài)的影響［J］.人工晶體學(xué)報(bào)，2000，29(1):45－50.

［17］ XU Yadong，JIE Wanqi，WANG Tao，et al.Growth of large－size CdZnTe single crystals using seeded vertical Bridgmanmethod［J］.Journal of Synthetic Crystals，2006，35(6):1180－1184.(in Chinese)徐亞東，介萬奇，王濤，等.籽晶垂直布里奇曼法生長(zhǎng)大尺寸 CdZnTe單晶體［J］.人工晶體學(xué)報(bào)，2006，35(6):1180－1184.

［18］ T Asahi，O Oda，Y Taniguchi，et al.Growth and characterization of100mm diameter CdZnTe single crystals by the vertical gradient freezing method［J］.Journal of Crystal Growth，1996，161:20－27.

［19］ A Koyama，A Hichiwa，R Hirano.Recent progress in CdZnTe crystals［J］.Journal of Electronic Materials，1999，28:683－687.