2022年1期
刊物介紹
本刊報(bào)道我國(guó)在半導(dǎo)體材料、光電子材料、納米材料、薄膜材料和超硬材料等領(lǐng)域在理論研究、生長(zhǎng)技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的科研成果，同時(shí)介紹國(guó)內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動(dòng)態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動(dòng)。學(xué)報(bào)是我國(guó)從事人工晶體研究人員與國(guó)外同行交流的一個(gè)重要窗口。
人工晶體學(xué)報(bào)
研究論文
- KCaCl3∶Ce晶體的生長(zhǎng)及發(fā)光性能
- 籽晶臺(tái)形狀對(duì)PVT法同質(zhì)外延生長(zhǎng)氮化鋁單晶初始生長(zhǎng)的影響
- 磷/硼共摻雜納米硅的微觀結(jié)構(gòu)與光電性質(zhì)
- 溶劑蒸汽退火輔助微距升華法制備C8-BTBT單晶
- P摻雜6H-SiC的第一性原理研究
- First-Principle Study on Photoelectric Properties of Mg, N Doped β-Ga2O3
- MnGa合金體的電子結(jié)構(gòu)與磁性質(zhì)的研究
- TFSI鈍化晶體硅表面性質(zhì)的第一性原理研究
- GGA+U方法研究C與Ti摻雜GaN的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)
- 體積應(yīng)變對(duì)立方鈦酸鉛電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響
- 單層MXene納米片Ti2N電磁特性的過渡金屬(Sc、V、Zr)摻雜效應(yīng)
- Li原子摻雜C28單分子器件的熱自旋輸運(yùn)性質(zhì)
- 面向器件應(yīng)用的PEDOT∶PSS薄膜的光電穩(wěn)定性研究
- (111)取向0.7PMN-0.3PT薄膜機(jī)電耦合性能
- NaY(WO4)2∶Sm3+粉末的制備及熒光性能
- 對(duì)氯苯甲酸構(gòu)筑的銅(Ⅱ)配合物的合成、HSA結(jié)合及細(xì)胞毒性
- 低表面濃度磷摻雜的高方阻P-N結(jié)發(fā)射極制備工藝
- 自摻雜SnO2微球的水熱合成及其可見光催化性能
- 近零膨脹Zr0.5Hf0.5V1.4P0.6O7材料的制備及其性能研究