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        國內(nèi)多晶硅冷氫化技術(shù)應(yīng)用研究

        2015-03-23 06:05:53鮑海林昆明冶研新材料股份有限公司云南曲靖655000
        化工管理 2015年16期
        關(guān)鍵詞:四氯化硅硅粉多晶硅

        鮑海林(昆明冶研新材料股份有限公司, 云南 曲靖 655000)

        國內(nèi)多晶硅冷氫化技術(shù)應(yīng)用研究

        鮑海林(昆明冶研新材料股份有限公司, 云南 曲靖 655000)

        多晶硅在生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生SiCl4(STC),而SiCl4會對導(dǎo)致環(huán)境破壞。利用氫化將SiCl4轉(zhuǎn)化為SiHCl3(縮寫為TCS),可以使SiCl4得到有效的利用,降低環(huán)境污染。

        多晶硅;應(yīng)用

        在多晶硅的生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生副產(chǎn)物SiCl4,對導(dǎo)致環(huán)境被破壞,與此同時,還因不能進(jìn)行二次利用,而引起資源出現(xiàn)浪費,不利于企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益的增加。現(xiàn)如今,多晶硅冷氫化應(yīng)運而生并得到了廣泛應(yīng)用,這種技術(shù)有利于多晶硅生產(chǎn)企業(yè)的可持續(xù)的發(fā)展,使企業(yè)在真正意義上實現(xiàn)了綠色閉路循環(huán)生產(chǎn)。

        1 冷氫化技術(shù)概述

        冷氫化技術(shù)利用鐵基或銅基催化劑,當(dāng)溫度達(dá)到400~800℃的范圍,壓力為2~4MPa時,將硅粉和氫氣加入流化床,并使它們與SiCl4發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而形成SiHCl3。這一反應(yīng)過程的表達(dá)式如下所示:

        3Sicl4+2H2+Si→4SiHCl3

        2 冷氫化技術(shù)的原理

        以下主要對目前國內(nèi)主要的多晶硅冷氫化技術(shù)進(jìn)行簡單的介紹:

        (1)高壓低溫冷氫化 這種藝術(shù)是指較低的溫度與較高的壓強的條件下,利用傳統(tǒng)的硅粉、氫氣、SiCl4作為原材料,在500~600℃及1.5~3.5MPa壓力的條件下,使它們反應(yīng)。一般來說,SiCl4在摩爾轉(zhuǎn)化率方面,在17%~20%的范圍內(nèi),如果在反應(yīng)時加入催化劑,可使轉(zhuǎn)化率提高5%左右,這個過程的反應(yīng)式如下所示:

        3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)→4SiHCl3(g)(主反應(yīng))

        SiCl4(g)+Si(s)+2H2(g)→2SiH2Cl2(g)(副反應(yīng))

        2SiHCl3(g)→SiCl4(g)+SiH2(g)(副反應(yīng))

        (2)氯氫化 這種技術(shù)是在傳統(tǒng)冷氫化工藝下,增加了對HCl進(jìn)行二次回收利用的SiHCl3的辦法。這種技術(shù)整合了高壓低溫冷氫化以及三氯氫硅合成和特點,使傳統(tǒng)冷氫化工藝得到優(yōu)化,充分回收利用HCl。其反應(yīng)原理如下:

        2SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)+HCl(g)→3SiHCl3(g)

        然而,不管是哪一種的方法,它所用的設(shè)備和生產(chǎn)流程都是相似的。在這個過程中,有兩種反應(yīng)器,即流化床反應(yīng)器和固定床反應(yīng)器。流化床反應(yīng)器在大型冷氫化項目較為常見,而固定床反應(yīng)器則常用于中小試裝置。

        3 冷氫化與熱氫化的對比

        據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析,一般來說,TCS摩爾轉(zhuǎn)化率為百分之二十左右,在技術(shù)改良以后,對于熱氫化來說,轉(zhuǎn)化率可達(dá)到百分二十分左右,瞬時數(shù)據(jù)可超百分之二十五。然而熱氫化的設(shè)備價格非常高,進(jìn)口的熱氫化爐高達(dá)1500萬。即使目前我國已經(jīng)有廠商專注于氫化爐的研發(fā),并且可進(jìn)行相關(guān)備件的生產(chǎn),但是費用還是居高不下。

        總的來說,冷氫化和熱氫化優(yōu)缺點可以歸結(jié)為以下幾點:

        (1)冷氫化的優(yōu)點:汽相反應(yīng);連續(xù)運行;裝置單一、占地少;更加容易操作與控制管理,減少維修的幾率;氫化反應(yīng)不需要進(jìn)行硅粉的添加,因此排除了硼磷或者金屬雜質(zhì)被帶入的情況,后期要進(jìn)行的精鎦提純方法相對來說比較簡單,提純工作量小。缺點:反應(yīng)溫度高、電耗高,且加熱片為易耗材料,運行費用較高,有碳污染的可能性。

        (2)熱氫化的優(yōu)點:流化床反應(yīng);三氯氫硅合成與四氯化硅氫化可在同一裝置內(nèi)進(jìn)行,可節(jié)省投資;反應(yīng)溫度低、電耗低。缺點:對設(shè)備的密封要求很高,維修工作量大;操作系統(tǒng)較復(fù)雜,;氫化反應(yīng)加入硅粉,有硼磷及金屬雜質(zhì)帶入,提純工作量大

        4 冷氫化的發(fā)展方向

        (1)國內(nèi)研究現(xiàn)狀 冷氫化技術(shù)剛開始被大規(guī)模地應(yīng)用于多晶硅的工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域,目前在我這,應(yīng)用這種技術(shù)進(jìn)行工業(yè)生產(chǎn)與制造的單位只有十幾家,目前,我國對于冷氫化的研究主要集中在以下方面:①優(yōu)化工藝參數(shù),在相對較低的壓力條件下實現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)化率。②進(jìn)行進(jìn)料裝置的改良,使進(jìn)料設(shè)備的使用周期增加,同時可以有效地避免安全問題的出現(xiàn)。

        其中,有的學(xué)者以鎳為催化劑,按照一定的比例將鎳和硅粉混合,在氫氣的狀態(tài)下,在20~420℃的連續(xù)變化溫度條件下,進(jìn)行活化處理。當(dāng)硅粉與鎳的質(zhì)量比為1%~10%,SiCl4與H2的摩爾比為10,壓力為15MPa,反應(yīng)溫度達(dá)到500度的時候,SiCl4的轉(zhuǎn)化率可以達(dá)到30%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于一般情況下氫化的轉(zhuǎn)化率。同時,為了實現(xiàn)冷氫化工藝中硅粉的連續(xù)加料,比亞迪股份有限公司提出了一種四氯化硅的連續(xù)進(jìn)料方法,從而確保生產(chǎn)反應(yīng)能夠連續(xù)持續(xù)地進(jìn)行,使生產(chǎn)能耗降低,提高生產(chǎn)效率。

        (2)國內(nèi)冷氫化的發(fā)展趨勢 未來的冷氫化技術(shù)發(fā)展應(yīng)考慮以下幾個方面:①提高TCS產(chǎn)品的質(zhì)量以及生產(chǎn)的穩(wěn)定性;②加強選擇性強催化劑的研發(fā),實現(xiàn)失效催化劑的回收和活化;③節(jié)省生產(chǎn)成本,一般來說,是利用合成路線的優(yōu)化措施,進(jìn)行節(jié)能改進(jìn);④與硅烷法相結(jié)合,同時參考改良西門子法里的TCS還原手法。

        5 結(jié)語

        近幾年多晶硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模得到了迅速的擴(kuò)大,因而探索研究一種轉(zhuǎn)化率高、能耗低、安全性高的四氯化硅的氫化處理工藝已經(jīng)刻不容緩。相信隨著技術(shù)的不斷成熟,冷氫化技術(shù)應(yīng)用將會更加廣泛。

        [1]唐前正,何勁,趙新征.由四氯化硅制取三氯氫硅的方法.中國:CN101700886[P].2009.

        [2]水島一樹,清水祐司.三氯硅烷的制備方法和三氯硅烷的制備裝置.中國:CN101479193A[P].2007.

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