蔣洪衛(wèi)，張　彥

(中國船舶重工集團公司第723研究所,揚州 225001)

一種高性能直流勵磁電源的設計

蔣洪衛(wèi)，張彥

(中國船舶重工集團公司第723研究所,揚州 225001)

摘要：介紹了一種開關和線性組合式直流勵磁電源，闡述了電源的基本原理,提出一種單片控制器浮地運行的電源控制方案,通過實驗給出了保證電壓線性調整性能時垂直金屬氧化物半導體(VMOS)管的最低管壓降范圍。

關鍵詞：移相控制；線性調整；單片控制器

0引言

在高能醫(yī)用直線加速器中，前級微波激勵源通常采用高峰值微波功率的磁控管。磁路作為磁控管的重要組成部分之一，對磁控管的微波功率輸出影響很大。中小功率磁控管一般采用永磁聚焦方式，峰值功率兆瓦級以上則更多地采用電磁聚焦模式。若要保持磁控管微波輸出穩(wěn)定，則需具有穩(wěn)定輸出的直流勵磁電源。而在高能醫(yī)用加速器中，磁控管往往具有多檔位的功率輸出，對應的直流勵磁電源也需要滿足多檔位連續(xù)穩(wěn)定地工作。

1直流勵磁電源設計

某型高能醫(yī)用直線加速器對磁控管直流勵磁電源主要技術指標如下：

輸入：單相50 Hz， 交流(AC)220V±20%；

輸出電壓：0～30 V分檔連續(xù)可調；

輸出電流：0～35 A分檔連續(xù)可調；

負載調整率：≤0.2%；

電網調整率：≤0.2%；

紋波：≤0.1%；

電源效率：≥85%。

根據技術指標要求，這里采用開關和線性組合式穩(wěn)壓穩(wěn)流技術。

電源末級采用線性穩(wěn)流穩(wěn)壓輸出方式，利用線性電源的高精度和動態(tài)調節(jié)特性來滿足負載調整率、電網調整率和紋波的技術指標等要求。電源前級采用軟開關全橋變換器，通過對線性調整器件的管壓降進行控制，以滿足電源效率要求。

電源系統(tǒng)框圖如圖1所示。

圖1　直流勵磁電源框圖

單相AC220V、50 Hz交流電源經過電磁兼容(EMC)管理電路、整流電路和功率因數校正(PFC)電路，形成直流(DC)370V左右的電源，再經過全橋變換、高頻變壓器降壓和高頻整流濾波后產生約32 V左右的直流電壓，該電壓通過線性調整電路產生符合指標要求的直流勵磁電源。

PFC電路采用單管Boost變換電路，該拓撲型式具有以下優(yōu)點[1]：

(1) 輸入電流連續(xù)，電磁感應(EMI)小，射頻干擾(RFI)低；

(2) 有輸入電感，可減少對輸入濾波器的要求，并可防止電網對主電路高頻瞬態(tài)沖擊；

(3) 開關器件的電壓不超過輸出電壓值。

常用的控制AC-DC開關變換器實現自動功率因數校正(APFC)的方法基本上有3種，即電流峰值控制、電流滯環(huán)控制、平均電流控制，而單管Boost變換電路在平均電路控制模式下，工頻電流的峰值是高頻電流的平均值，因而高頻電流的峰值比工頻電流的峰值更高。諧波(THD)很小，對噪聲不敏感，電感電流峰值與平均值之間的誤差小。PFC控制芯片選用西門子公司的TDA4819。

全橋變換電路如圖2所示。V1、V2、V3、V4、L1、C1、C2等構成定頻諧振式全橋變換器，采用相移PWM控制模式。移相控制電路是高頻開關電源的重要組成部分，其作用在于使全橋變換器的2個橋臂開關管的導通角錯開1個角度，以獲得不同的占空比，從而調節(jié)輸出電壓的高低[2]。本設計采用了專用移相控制集成芯片UC3875，它能夠產生4路移相控制的脈寬調制(PWM)信號，并且具有穩(wěn)壓、穩(wěn)流及多種保護功能。UC3875的4個輸出分別驅動2個半橋，并都能單獨進行導通延時調節(jié)，即死區(qū)時間的調節(jié)，該死區(qū)時間可以確保下一個要導通的開關管的輸出電容能夠放電完畢，也就是開關管2端的電壓可以在該時間內降到零，因而實現了零電壓開通。

圖2　全橋變換示意圖

圖2中L1、C1、C2構成LCC串并聯(lián)諧振網絡，其中C1=C2=2C。

諧振網絡的諧振頻率為：

(1)

諧振網絡特性阻抗為：

(2)

Z0根據全橋變換器所需處理的最大輸出功率設定。

本電源額定輸出功率POmax=UOmax×IOmax=30×35=1 050(W)，考慮到線性調整管的管壓降△U、整流管V5、V6的管壓降、電感L2的壓降以及變壓器傳輸效率等，全橋變換器大約需要處理的功率為P≈1.2kW。由于前級采用了PFC電路，因而全橋變換器工作直流電壓U為相對穩(wěn)定的DC375V，忽略開關管的通態(tài)壓降，則全橋變換器等效負載阻抗ZL為：

Z0一般取值為負載阻抗的95%，本設計取值為110Ω。

為實現全橋變換器橋臂開關的零電壓和零電流轉換，諧振網絡的諧振頻率f0通常取開關頻率fs的1.25倍。本電源開關頻率fs選擇為100kHz，因而諧振網絡的諧振頻率f0為125kHz。

根據以上分析，可以確定L1、C1、C2分別為：L1=140μH，C1=C2=0.022μF。

線性調整電路為經典的串聯(lián)穩(wěn)壓電路，基本電路如圖3所示。

圖3　串聯(lián)線性穩(wěn)壓電路

由于電源輸出電流達35 A，因而在設計中選擇3只VMOS管IRFP150并聯(lián)作為線性調整器件，以滿足輸出電流的要求。由于VMOS管易于并聯(lián)使用，并聯(lián)時僅需要在柵極串入電阻。

圖4為UC3875對調整管管壓降進行閉環(huán)控制的部分電路。圖3中的調整管壓降取樣信號饋送至圖3中的R5，經過R5、C4濾波后饋送如UC3875內的集成誤差運算放大器3腳(IN(-))，UC3875的1腳VREF端通過R4和RP1組合分壓，調節(jié)RP1可以將調整管壓降最高限制在2.5 V。

圖4　調整管管壓降閉環(huán)控制示意圖

電源采用ATMEG32單片機作為核心控制器，實現本電源的遠程控制和本機狀態(tài)檢測功能?？刂破魍ㄟ^RS485串行總線實現與上位機的通訊。電源的輸出電壓、輸出電流通過取樣電路送至單片機，由于ATMEG32內置的模/數轉換器(ADC)為10位模/數轉換，因而本設計外擴12位A/D電路，實現輸出電壓、輸出電流的高精度檢測。

上位機通過串行總線對本電源的輸出電壓、輸出電流進行遠程實時調節(jié)控制，為保證電壓、電流的設置精度，采用3個8字節(jié)數字信號分別代表電流、電壓基準。單片控制器通過外擴的12位數/模轉換器(DAC)轉換，分別產生模擬電流、電壓基準信號，饋送至線性調整單元。

2電源設計要素

2.1　浮動地設計

由于本電源輸出電流、電壓精度要求較高，因而本設計采用浮動接地技術，將單片控制器的地接至電源輸出的正端，該技術具有如下優(yōu)點：

(1) 相移PWM控制器UC3875與線性調整控制電路采用同一輔助+15 V電源供電。調整管管壓降可以直接反饋至相移PWM控制器UC3875。而且調整管管壓降也可以通過濾波電路直接饋送至單片控制器的模擬信號輸入端。

(2) 輸出電流通過小阻值精密電阻取樣，再經過高精度放大后反饋至線性調整控制電路。輸出電壓也可以直接采用精密電阻采樣，饋送至線性調整控制電路。輸出電流、輸出電壓取樣信號經過信號調理電路饋送至ADC后轉換成數字信號，饋送至單片機。

(3) 單片控制器通過隔離的RS485收發(fā)器與上位機通訊，與整機的地線進行物理隔離，有效抑制各種傳導干擾。

2.2　調整管壓降設計

由于本設計采用VMOS管IRFP150作為線性調整器件，因而可以充分利用VMOS管的線性動態(tài)性能，降低調整管壓降。在額定輸出電流狀態(tài)下，管壓降每降低1 V，調整管功耗減小35 W，效率可提高約3%。在電源實際調試過程中，可以通過調節(jié)圖4中所示的RP1來控制調整管管壓降，以使電源獲得最佳的輸出性能。

通過設計調試和對電源性能測試，調整管壓降可以控制在0.85～0.95 V之間。

3電源測試

通過實驗，實際測試數據如表1所示。

表1　電源輸出調節(jié)特性

表1中數據均為調整管壓降為0.9 V時的測試結果，其中負載電阻為0.8~16 Ω,由10只8 Ω/55 W電阻組合而成。

4結束語

單片控制器極強的抗干擾性及良好的穩(wěn)定可靠性，確保了開關和線性組合式直流勵磁電源在高能加速器中的穩(wěn)定運行。本電源電氣性能與產品質量均能滿足用戶要求，并經過長期運行驗證了電源的可靠性。

參考文獻

[1]黃漢生.功率因數校正技術的發(fā)展[A].全國電源技術年會論文集[C].北京,1995:4.

[2]王京梅，蘭文中.零電壓-零電流PWM 軟開關技術研究[J].電子器件，2002，25(24):340-344.

Design of A DC Excitation Power Supply with High Performance

JIANG Hong-wei,ZHANG Yan

(The 723 Institute of CSIC,Yangzhou 225001,China)

Abstract:This paper introduces a DC excitation power supply of switching and linear combination，expatiates the basic principle of power supply,puts forward a kind of power supply control project of monolithic controller floating operation,and gives the least voltage-drop range of vertical metal oxide semiconductor (VMOS) tube to ensure voltage linear adjustment performance through experiment.

Key words:phase-shift control;linear adjustment;monolithic controller

收稿日期:2013-07-23

DOI:10.16426/j.cnki.jcdzdk.2015.03.029

中圖分類號：TM46

文獻標識碼：A

文章編號：CN32-1413(2015)03-0106-04