碳納米管晶體管制造技術(shù)獲得重大突破

美國威斯康星大學麥迪遜分校在碳納米管晶體管制造技術(shù)方面獲得突破。其開發(fā)的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題，開關(guān)速度比普通硅晶體管快1000倍，比此前最快的碳納米管晶體管快100倍，使碳納米管晶體管向商業(yè)應用邁出了關(guān)鍵一步。

目前，碳納米管被認為是制造下一代晶體管的理想材料，但高性能的碳納米管晶體管制造面臨著兩大技術(shù)難題：一是要達到極高的純度；二是要以極高的精度進行陣列控制。研究人員采用聚合體篩選技術(shù)找到了制造高純度碳納米管半導體的解決方案，采用浮動蒸發(fā)自組裝技術(shù)，通過對碳納米管溶液的快速蒸發(fā)觸發(fā)其自組裝現(xiàn)象，解決了碳納米管的陣列控制問題。該技術(shù)目前已申請專利。

（FESA）

該項研究成果使碳納米管晶體管取代硅芯片成為可能，不僅可應用于消費電子領(lǐng)域，也可應用于工業(yè)和軍事領(lǐng)域。

(科 報)