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        基于IR22141的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路設(shè)計(jì)

        2014-12-31 00:00:00方昱琨曾衛(wèi)華李佳澳等
        電子世界 2014年10期

        【摘要】IGBT的驅(qū)動(dòng)電路是應(yīng)用IGBT開關(guān)管的關(guān)鍵技術(shù),一個(gè)性能好的驅(qū)動(dòng)電路不僅能夠有效地驅(qū)動(dòng)IGBT,而且能夠可靠地保護(hù)IGBT。本文介紹了一種基于IR22141芯片的大功率IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路的設(shè)計(jì)以及運(yùn)用。

        【關(guān)鍵詞】IGBT;驅(qū)動(dòng)電路,過(guò)流保護(hù)電路;IR22141芯片

        前言

        絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙晶體管組成的器件,既具有柵極電壓控制快速開關(guān)特性,又具有雙極晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)。但是IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路電流能力等參數(shù),決定了IGBT的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。因此在使用IGBT時(shí),最重要的工作就是設(shè)計(jì)好驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。

        本文將從IR22141芯片簡(jiǎn)介、門極電路設(shè)計(jì)以及有源鉗位設(shè)計(jì)三個(gè)方面來(lái)敘述。

        1.IR22141芯片簡(jiǎn)介

        IR22141是適合于單向器半橋柵極驅(qū)動(dòng),高柵極驅(qū)動(dòng)能力(2A源,3A接收器)和低靜態(tài)電流使自舉電源在中等功率系統(tǒng)的功率開關(guān)應(yīng)用技術(shù)。該IR22141具有通過(guò)功率晶體管飽和檢測(cè)手段全面的短路保護(hù)。該IR22141通過(guò)關(guān)閉順利通過(guò)專用的軟關(guān)斷引腳的去飽和晶體管,因此防止過(guò)電壓年齡和減少電磁排放管理所有半橋故障。在多相體系IR22141驅(qū)動(dòng)程序使用一個(gè)專用的本地網(wǎng)絡(luò)(SY_FLT和故障/SD信號(hào))妥善管理相-相短路溝通。系統(tǒng)控制器可以強(qiáng)制關(guān)閉或通過(guò)3.3 V兼容CMOS的I/O引腳(故障/SD)讀取設(shè)備故障狀態(tài)。為了提高從直流母線噪聲信號(hào)免疫力,控制和電源地使用專用引腳實(shí)現(xiàn)低側(cè)發(fā)射極電流檢測(cè)以及。欠壓條件下浮動(dòng),低壓電路獨(dú)立管理。圖1為利用IR22141芯片驅(qū)動(dòng)IGBT模塊的典型電路連接圖。

        2.門極電路設(shè)計(jì)

        IGBT門極(G極)驅(qū)動(dòng)電阻器、電容器等應(yīng)該盡量靠近模塊引線端子放置。IGBT模塊關(guān)斷過(guò)壓較小,G極驅(qū)動(dòng)電阻無(wú)需遠(yuǎn)大于規(guī)格書給定值。如果IGBT開通、關(guān)斷使用不同阻值的電阻,可以用二極管(最好是肖特基二極管)隔開(如圖2所示)。該二極管還有助于加速負(fù)載短路時(shí)VCE 的退飽和,從而安全地關(guān)斷IGBT。由于IGBT模塊一般采用螺栓式引線端子,為減小電路的寄生電容和電感,驅(qū)動(dòng)電路板常被直接安裝在模塊上,所以溫度因素不可忽略,我們就要盡可能選用溫漂系數(shù)小的器件,比如G極驅(qū)動(dòng)電容最好選用Ⅰ類介質(zhì)獨(dú)石電容器,這樣可以保證工作時(shí)功率器件開關(guān)性能的穩(wěn)定。

        3.有源箝位設(shè)計(jì)

        IGBT工作期間難免遭受瞬時(shí)C、E之間的過(guò)電壓,特別是在器件發(fā)生短路繼而關(guān)斷的時(shí)候,因此需要一個(gè)吸收電路,比較常見的做法是在母線端加吸收電容或使用TVS作有源箝位。這里主要介紹利用TVS進(jìn)行有源箝位,如圖3中圈出部分。TVS是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種產(chǎn)品,在規(guī)定的反向應(yīng)用條件下承受一個(gè)高能量的瞬時(shí)過(guò)壓脈沖時(shí),工作阻抗能立即降至很低的導(dǎo)通值,允許大電流通過(guò)。TVS能承受的瞬時(shí)脈沖功率可達(dá)上千瓦,其箝位響應(yīng)時(shí)間為ps級(jí)。

        4.結(jié)語(yǔ)

        本文從對(duì)IR22141芯片的簡(jiǎn)介入手,大致了解了IR22141芯片的功能和特點(diǎn)。又分別介紹了門極電路設(shè)計(jì)和有源箝位設(shè)計(jì)的工作原理。設(shè)計(jì)的基于IR22141的大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路可以實(shí)現(xiàn)大功率的IGBT驅(qū)動(dòng),同時(shí)從整體上來(lái)看擁有保護(hù)電路的能力,使得IGBT的應(yīng)用更加完善與安全。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了這種方案的合理性與有效性。

        參考文獻(xiàn)

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        作者簡(jiǎn)介:

        方昱琨(1992—),男,山東煙臺(tái)人,大學(xué)本科,研究方向:電子信息通信。

        曾衛(wèi)華(1978—),男,江西人,博士研究生,研究方向:地球物理儀器。

        李佳澳(1992—),女,遼寧沈陽(yáng)人,大學(xué)本科,研究方向:嵌入式編程。

        余明典(1993—),女,四川巴中人,大學(xué)本科,研究方向:?jiǎn)纹瑱C(jī)開發(fā)研究。

        李雙村,男,陜西榆林人,大學(xué)本科,研究方向:光電子線路。

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