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        射頻電路抗高功率微波關(guān)鍵技術(shù)研究

        2014-12-03 04:54:18張勇
        科技資訊 2014年26期
        關(guān)鍵詞:研究

        張勇

        摘 要:隨著社會經(jīng)濟的快速發(fā)展和科學技術(shù)水平的不斷提升,射頻電路抗高功率微波成為現(xiàn)代高科技領(lǐng)域中的重要技術(shù)手段。本文主要對高功率微波前門注入損傷、接收機前門通道抗毀傷等方面的問題進行分析,并在此基礎(chǔ)上就無源電路高功率應用,談一下自己的觀點和認識,以供參考。

        關(guān)鍵詞:射頻電路 高功率微波技術(shù) 研究

        中圖分類號:TN7 文獻標識碼:A 文章編號:1672-3791(2014)09(b)-0101-01

        高功率微波技術(shù)的電磁波能力,可以有效地集中在高頻段窄帶之中,而且其波長通常以毫米波、厘米波等為主,可對為采取嚴密保護措施的電子設(shè)備進行破壞或者干擾。

        1 微波前門注入受損研究

        實踐中可以看到,高功率微波對前門注入損傷效應研究時,需進行理論建模分析研究,并且與實驗有機地結(jié)合起來,對高功率微波損傷效應摳門小系統(tǒng)的評估和研究。

        高功率微波前門注入實驗平臺由微波源、功率放大器、隔離器、定向耦合器、環(huán)形器、待測設(shè)備、測試設(shè)備以及連接電纜組成,如圖1所示。

        (1)實驗儀器連接,前門注入平臺搭建操作;(2)測試實驗樣品小信號,然后獲得小信號參數(shù)特性、噪聲以及兩級漏極實際工作時的電壓值,并在此基礎(chǔ)上建立和完善小信號樣品參考數(shù)據(jù)庫;(3)優(yōu)化設(shè)置智能控制軟件平,主要包括注入信號起始電平、漏極電參考數(shù)值以及門限電壓值等;(4)采用15 min的脈沖功率對低噪聲放大器進行持續(xù)注入,并且利用軟件監(jiān)測兩級漏極電壓,并且對低噪聲放大器的實際輸出功率值進行詳細記錄;(5)如果軟件到達預設(shè)門限,那么功率輸出就會自動關(guān)閉,將低噪聲放大器拆下來;在此過程中,還要應用噪聲分析設(shè)備、矢量網(wǎng)絡(luò)分析設(shè)備等,對低噪聲放大器增益和噪聲系數(shù)進行測量,并且以此來判定放大器損傷與否。如果未達到預設(shè)門限,而常溫條件下掉電放置后再測量噪聲和增益,此時觀測設(shè)備恢復與否;適當提升功率值,注入下一組功率;(6)拆卸設(shè)備,整理數(shù)據(jù)。整個實驗過程中,應當注意以下事項:由于實驗過程中所選擇的樣品個體之間有所區(qū)別,因此在退化實驗初始階段,建議盡可能的將觸發(fā)門限設(shè)低一些,這樣可以更準確的捕獲噪聲退化閾值。

        2 前門通道(接收機)抗損實驗

        高功率微波而言,其能量耦合注入到通信設(shè)施時,載荷系統(tǒng)中的主要途徑可分為兩種,即前門、后門通道。當高功率微波經(jīng)前門接收天線到雷達接收機時,電磁脈沖的實際功率非常的強,而且可能會對雷達接收機中的相關(guān)電子元器件產(chǎn)生影響。實踐中,為防止干擾、損傷,前門通道需利用電磁加固防范威脅。在前門防護過程中,除需采取有效的措施來防止高功率損傷外,還要對系統(tǒng)性能的防護進行全面考慮;一方面要單獨從理論上對防護措施進行分析、進行測試工程實驗;另一方面還要與整機配套,有效測試高功率前門注入是否可靠,并且對高功率信號、環(huán)境等因素進行模擬,使之遭受高功率攻擊。在此過程中,為確保通信系統(tǒng)受HPM壓制時,可以正常建立通信鏈路,建議設(shè)計抗HPM雙通道限幅接收模塊;通過前門PIN二極管限幅器防護設(shè)計,與微帶雙工器有效地結(jié)合起來,設(shè)計一個插損低、尺寸小以及高隔離度和限幅功能強的雙工器。通過仿真、測試發(fā)現(xiàn),雙通道限幅接收模塊抵抗HPM壓制、確保通信鏈路建立的效果非常顯著。實際操作過程中,為進一步對前門抗高功率微波損傷措施研究,了解設(shè)備指標是否受到了影響、程度如何,還要對接收機前門通道抗損傷進行實驗,以此來保證所采取防護措施是否可靠?;谶@些因素考慮,可以設(shè)計一個功分比能夠達到正無窮的功分器,并且不等分操作非常的便捷,因具有接地電阻而適用于高功率應用;對功分器電磁仿真操作以后,要對實物進行加工測試,測試結(jié)果與仿真效果之間相吻合。

        3 無源電路

        實踐中可以看到,雖然傳統(tǒng)的功分器功率容量比較大,而且可以有效應用在高功率,但是對于不等分設(shè)計而言,需高阻抗線才能實現(xiàn),這在一定程度上限制了加工、高功率的實際應用。因此,筆者認為在傳統(tǒng)的功分器基礎(chǔ)上,可以有效應用新型的片狀傳輸結(jié)構(gòu),對高功率微帶功分器的寬帶化進行優(yōu)化設(shè)計;因片狀傳輸結(jié)構(gòu)與普通微帶線電場分布情況存在著一定的區(qū)別,所以可以采用彎曲傳輸路徑形式來實現(xiàn)功分器設(shè)計的小型。在該種結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,功分器自身的優(yōu)勢體現(xiàn)在無需高阻抗線就能進行準確的不等分功分比;無需考慮高阻抗線功率容量,并且在一定程度上還可以確保改進之后的系統(tǒng)能夠有效地應用在高功率之中。通過電磁仿真、實物測試可知,功分器寬帶比原來增加了大約30%,而且尺寸也因此而減小了大約一半,從而有效地實現(xiàn)了不等分功分比之目的。

        4 結(jié)語

        總而言之,高功率微波技術(shù)及其效應的研究,與工程建設(shè)尤其是高科技工程項目建設(shè)之間存在著密切的聯(lián)系,因高功率微波電力、電磁以及電熱效應之間互相交錯,所以傳統(tǒng)的簡單數(shù)值模擬難以說明實際情況。本文主要從實驗方面,對射頻電路抗高功率微波技術(shù)問題進行了分析,而且將試驗、數(shù)值模擬之間有機地結(jié)合在一起,將成為未來的主流研究方向。

        參考文獻

        [1] 吳剛,張新剛,劉波.有孔矩形金屬腔體屏蔽效能的估算[J].強激光與粒子束,2011(3).

        [2] 柴常春,張冰,任興榮,等.集成Si基低噪聲放大器的注入損傷研究[J].西安電子大學學報,2010(5).endprint

        摘 要:隨著社會經(jīng)濟的快速發(fā)展和科學技術(shù)水平的不斷提升,射頻電路抗高功率微波成為現(xiàn)代高科技領(lǐng)域中的重要技術(shù)手段。本文主要對高功率微波前門注入損傷、接收機前門通道抗毀傷等方面的問題進行分析,并在此基礎(chǔ)上就無源電路高功率應用,談一下自己的觀點和認識,以供參考。

        關(guān)鍵詞:射頻電路 高功率微波技術(shù) 研究

        中圖分類號:TN7 文獻標識碼:A 文章編號:1672-3791(2014)09(b)-0101-01

        高功率微波技術(shù)的電磁波能力,可以有效地集中在高頻段窄帶之中,而且其波長通常以毫米波、厘米波等為主,可對為采取嚴密保護措施的電子設(shè)備進行破壞或者干擾。

        1 微波前門注入受損研究

        實踐中可以看到,高功率微波對前門注入損傷效應研究時,需進行理論建模分析研究,并且與實驗有機地結(jié)合起來,對高功率微波損傷效應摳門小系統(tǒng)的評估和研究。

        高功率微波前門注入實驗平臺由微波源、功率放大器、隔離器、定向耦合器、環(huán)形器、待測設(shè)備、測試設(shè)備以及連接電纜組成,如圖1所示。

        (1)實驗儀器連接,前門注入平臺搭建操作;(2)測試實驗樣品小信號,然后獲得小信號參數(shù)特性、噪聲以及兩級漏極實際工作時的電壓值,并在此基礎(chǔ)上建立和完善小信號樣品參考數(shù)據(jù)庫;(3)優(yōu)化設(shè)置智能控制軟件平,主要包括注入信號起始電平、漏極電參考數(shù)值以及門限電壓值等;(4)采用15 min的脈沖功率對低噪聲放大器進行持續(xù)注入,并且利用軟件監(jiān)測兩級漏極電壓,并且對低噪聲放大器的實際輸出功率值進行詳細記錄;(5)如果軟件到達預設(shè)門限,那么功率輸出就會自動關(guān)閉,將低噪聲放大器拆下來;在此過程中,還要應用噪聲分析設(shè)備、矢量網(wǎng)絡(luò)分析設(shè)備等,對低噪聲放大器增益和噪聲系數(shù)進行測量,并且以此來判定放大器損傷與否。如果未達到預設(shè)門限,而常溫條件下掉電放置后再測量噪聲和增益,此時觀測設(shè)備恢復與否;適當提升功率值,注入下一組功率;(6)拆卸設(shè)備,整理數(shù)據(jù)。整個實驗過程中,應當注意以下事項:由于實驗過程中所選擇的樣品個體之間有所區(qū)別,因此在退化實驗初始階段,建議盡可能的將觸發(fā)門限設(shè)低一些,這樣可以更準確的捕獲噪聲退化閾值。

        2 前門通道(接收機)抗損實驗

        高功率微波而言,其能量耦合注入到通信設(shè)施時,載荷系統(tǒng)中的主要途徑可分為兩種,即前門、后門通道。當高功率微波經(jīng)前門接收天線到雷達接收機時,電磁脈沖的實際功率非常的強,而且可能會對雷達接收機中的相關(guān)電子元器件產(chǎn)生影響。實踐中,為防止干擾、損傷,前門通道需利用電磁加固防范威脅。在前門防護過程中,除需采取有效的措施來防止高功率損傷外,還要對系統(tǒng)性能的防護進行全面考慮;一方面要單獨從理論上對防護措施進行分析、進行測試工程實驗;另一方面還要與整機配套,有效測試高功率前門注入是否可靠,并且對高功率信號、環(huán)境等因素進行模擬,使之遭受高功率攻擊。在此過程中,為確保通信系統(tǒng)受HPM壓制時,可以正常建立通信鏈路,建議設(shè)計抗HPM雙通道限幅接收模塊;通過前門PIN二極管限幅器防護設(shè)計,與微帶雙工器有效地結(jié)合起來,設(shè)計一個插損低、尺寸小以及高隔離度和限幅功能強的雙工器。通過仿真、測試發(fā)現(xiàn),雙通道限幅接收模塊抵抗HPM壓制、確保通信鏈路建立的效果非常顯著。實際操作過程中,為進一步對前門抗高功率微波損傷措施研究,了解設(shè)備指標是否受到了影響、程度如何,還要對接收機前門通道抗損傷進行實驗,以此來保證所采取防護措施是否可靠。基于這些因素考慮,可以設(shè)計一個功分比能夠達到正無窮的功分器,并且不等分操作非常的便捷,因具有接地電阻而適用于高功率應用;對功分器電磁仿真操作以后,要對實物進行加工測試,測試結(jié)果與仿真效果之間相吻合。

        3 無源電路

        實踐中可以看到,雖然傳統(tǒng)的功分器功率容量比較大,而且可以有效應用在高功率,但是對于不等分設(shè)計而言,需高阻抗線才能實現(xiàn),這在一定程度上限制了加工、高功率的實際應用。因此,筆者認為在傳統(tǒng)的功分器基礎(chǔ)上,可以有效應用新型的片狀傳輸結(jié)構(gòu),對高功率微帶功分器的寬帶化進行優(yōu)化設(shè)計;因片狀傳輸結(jié)構(gòu)與普通微帶線電場分布情況存在著一定的區(qū)別,所以可以采用彎曲傳輸路徑形式來實現(xiàn)功分器設(shè)計的小型。在該種結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,功分器自身的優(yōu)勢體現(xiàn)在無需高阻抗線就能進行準確的不等分功分比;無需考慮高阻抗線功率容量,并且在一定程度上還可以確保改進之后的系統(tǒng)能夠有效地應用在高功率之中。通過電磁仿真、實物測試可知,功分器寬帶比原來增加了大約30%,而且尺寸也因此而減小了大約一半,從而有效地實現(xiàn)了不等分功分比之目的。

        4 結(jié)語

        總而言之,高功率微波技術(shù)及其效應的研究,與工程建設(shè)尤其是高科技工程項目建設(shè)之間存在著密切的聯(lián)系,因高功率微波電力、電磁以及電熱效應之間互相交錯,所以傳統(tǒng)的簡單數(shù)值模擬難以說明實際情況。本文主要從實驗方面,對射頻電路抗高功率微波技術(shù)問題進行了分析,而且將試驗、數(shù)值模擬之間有機地結(jié)合在一起,將成為未來的主流研究方向。

        參考文獻

        [1] 吳剛,張新剛,劉波.有孔矩形金屬腔體屏蔽效能的估算[J].強激光與粒子束,2011(3).

        [2] 柴常春,張冰,任興榮,等.集成Si基低噪聲放大器的注入損傷研究[J].西安電子大學學報,2010(5).endprint

        摘 要:隨著社會經(jīng)濟的快速發(fā)展和科學技術(shù)水平的不斷提升,射頻電路抗高功率微波成為現(xiàn)代高科技領(lǐng)域中的重要技術(shù)手段。本文主要對高功率微波前門注入損傷、接收機前門通道抗毀傷等方面的問題進行分析,并在此基礎(chǔ)上就無源電路高功率應用,談一下自己的觀點和認識,以供參考。

        關(guān)鍵詞:射頻電路 高功率微波技術(shù) 研究

        中圖分類號:TN7 文獻標識碼:A 文章編號:1672-3791(2014)09(b)-0101-01

        高功率微波技術(shù)的電磁波能力,可以有效地集中在高頻段窄帶之中,而且其波長通常以毫米波、厘米波等為主,可對為采取嚴密保護措施的電子設(shè)備進行破壞或者干擾。

        1 微波前門注入受損研究

        實踐中可以看到,高功率微波對前門注入損傷效應研究時,需進行理論建模分析研究,并且與實驗有機地結(jié)合起來,對高功率微波損傷效應摳門小系統(tǒng)的評估和研究。

        高功率微波前門注入實驗平臺由微波源、功率放大器、隔離器、定向耦合器、環(huán)形器、待測設(shè)備、測試設(shè)備以及連接電纜組成,如圖1所示。

        (1)實驗儀器連接,前門注入平臺搭建操作;(2)測試實驗樣品小信號,然后獲得小信號參數(shù)特性、噪聲以及兩級漏極實際工作時的電壓值,并在此基礎(chǔ)上建立和完善小信號樣品參考數(shù)據(jù)庫;(3)優(yōu)化設(shè)置智能控制軟件平,主要包括注入信號起始電平、漏極電參考數(shù)值以及門限電壓值等;(4)采用15 min的脈沖功率對低噪聲放大器進行持續(xù)注入,并且利用軟件監(jiān)測兩級漏極電壓,并且對低噪聲放大器的實際輸出功率值進行詳細記錄;(5)如果軟件到達預設(shè)門限,那么功率輸出就會自動關(guān)閉,將低噪聲放大器拆下來;在此過程中,還要應用噪聲分析設(shè)備、矢量網(wǎng)絡(luò)分析設(shè)備等,對低噪聲放大器增益和噪聲系數(shù)進行測量,并且以此來判定放大器損傷與否。如果未達到預設(shè)門限,而常溫條件下掉電放置后再測量噪聲和增益,此時觀測設(shè)備恢復與否;適當提升功率值,注入下一組功率;(6)拆卸設(shè)備,整理數(shù)據(jù)。整個實驗過程中,應當注意以下事項:由于實驗過程中所選擇的樣品個體之間有所區(qū)別,因此在退化實驗初始階段,建議盡可能的將觸發(fā)門限設(shè)低一些,這樣可以更準確的捕獲噪聲退化閾值。

        2 前門通道(接收機)抗損實驗

        高功率微波而言,其能量耦合注入到通信設(shè)施時,載荷系統(tǒng)中的主要途徑可分為兩種,即前門、后門通道。當高功率微波經(jīng)前門接收天線到雷達接收機時,電磁脈沖的實際功率非常的強,而且可能會對雷達接收機中的相關(guān)電子元器件產(chǎn)生影響。實踐中,為防止干擾、損傷,前門通道需利用電磁加固防范威脅。在前門防護過程中,除需采取有效的措施來防止高功率損傷外,還要對系統(tǒng)性能的防護進行全面考慮;一方面要單獨從理論上對防護措施進行分析、進行測試工程實驗;另一方面還要與整機配套,有效測試高功率前門注入是否可靠,并且對高功率信號、環(huán)境等因素進行模擬,使之遭受高功率攻擊。在此過程中,為確保通信系統(tǒng)受HPM壓制時,可以正常建立通信鏈路,建議設(shè)計抗HPM雙通道限幅接收模塊;通過前門PIN二極管限幅器防護設(shè)計,與微帶雙工器有效地結(jié)合起來,設(shè)計一個插損低、尺寸小以及高隔離度和限幅功能強的雙工器。通過仿真、測試發(fā)現(xiàn),雙通道限幅接收模塊抵抗HPM壓制、確保通信鏈路建立的效果非常顯著。實際操作過程中,為進一步對前門抗高功率微波損傷措施研究,了解設(shè)備指標是否受到了影響、程度如何,還要對接收機前門通道抗損傷進行實驗,以此來保證所采取防護措施是否可靠?;谶@些因素考慮,可以設(shè)計一個功分比能夠達到正無窮的功分器,并且不等分操作非常的便捷,因具有接地電阻而適用于高功率應用;對功分器電磁仿真操作以后,要對實物進行加工測試,測試結(jié)果與仿真效果之間相吻合。

        3 無源電路

        實踐中可以看到,雖然傳統(tǒng)的功分器功率容量比較大,而且可以有效應用在高功率,但是對于不等分設(shè)計而言,需高阻抗線才能實現(xiàn),這在一定程度上限制了加工、高功率的實際應用。因此,筆者認為在傳統(tǒng)的功分器基礎(chǔ)上,可以有效應用新型的片狀傳輸結(jié)構(gòu),對高功率微帶功分器的寬帶化進行優(yōu)化設(shè)計;因片狀傳輸結(jié)構(gòu)與普通微帶線電場分布情況存在著一定的區(qū)別,所以可以采用彎曲傳輸路徑形式來實現(xiàn)功分器設(shè)計的小型。在該種結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,功分器自身的優(yōu)勢體現(xiàn)在無需高阻抗線就能進行準確的不等分功分比;無需考慮高阻抗線功率容量,并且在一定程度上還可以確保改進之后的系統(tǒng)能夠有效地應用在高功率之中。通過電磁仿真、實物測試可知,功分器寬帶比原來增加了大約30%,而且尺寸也因此而減小了大約一半,從而有效地實現(xiàn)了不等分功分比之目的。

        4 結(jié)語

        總而言之,高功率微波技術(shù)及其效應的研究,與工程建設(shè)尤其是高科技工程項目建設(shè)之間存在著密切的聯(lián)系,因高功率微波電力、電磁以及電熱效應之間互相交錯,所以傳統(tǒng)的簡單數(shù)值模擬難以說明實際情況。本文主要從實驗方面,對射頻電路抗高功率微波技術(shù)問題進行了分析,而且將試驗、數(shù)值模擬之間有機地結(jié)合在一起,將成為未來的主流研究方向。

        參考文獻

        [1] 吳剛,張新剛,劉波.有孔矩形金屬腔體屏蔽效能的估算[J].強激光與粒子束,2011(3).

        [2] 柴常春,張冰,任興榮,等.集成Si基低噪聲放大器的注入損傷研究[J].西安電子大學學報,2010(5).endprint

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