劉 浩
(國家新聞出版廣電總局七二四臺,陜西 寶雞 722400)
DF100A PSM 短波發(fā)射機把主整和調(diào)幅器合二為一,并把主整電壓化整為零,全機共有50 個功率開關(guān)模塊,即50個PSM 開關(guān)。每個PSM 開關(guān)由低壓整流器、相應(yīng)的濾波器、高速電子開關(guān)以及用于空轉(zhuǎn)的箝位二極管組成。48 個功率開關(guān)模塊為射頻功放提供屏壓,每個模塊的輸出電壓為700 V;其余兩個功率開關(guān)模塊為射頻功放管提供簾柵壓,每塊的輸出電壓約600 V。功率開關(guān)控制單元的主要功能有三:1)把光發(fā)射器送來的“合”、“斷”光指令轉(zhuǎn)換成電信號,并去合上或拉開相應(yīng)的PSM 開關(guān)。2)分別對PSM 開關(guān)級進行自我檢測和實行故障保護。3)通過光纜和光接收器,把每個PSM 開關(guān)的工作狀態(tài)和外電電壓變化情況的信息,反饋給開關(guān)狀態(tài)單元。每套整流器一般為三相全波整流電路,其輸出電壓分別受電子開關(guān)所控制。組成電子開關(guān)的主要器件為絕緣門雙極晶體管(Insulated Gates Bipolar Transistor—簡稱IGBT)。而這些電子開關(guān)又受控于直流控制信號和音頻調(diào)制信號,從而使射頻被調(diào)級獲得載波點的直流屏壓和高電平的音頻調(diào)制電壓。為了使部分IGBT 關(guān)斷時能保持整體串聯(lián)電路一直處于連通狀態(tài),每套整流器的直流輸出電壓及其相應(yīng)的IGBT 輸出端還并聯(lián)反向二極管。一套低壓整流器的直流輸出電壓和IGBT 組成的電子開關(guān)再加上相應(yīng)的反向二極管,稱為一級PSM 開關(guān)??梢奍GBT 是DF100A PSM 短波發(fā)射機功率開關(guān)中的關(guān)鍵器件,對IGBT電路進行必要的分析研究,對維護此類型短波發(fā)射機具有重要意義。
IGBT(insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET 的高輸入阻抗和GTR 的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET 驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600 V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
IGBT 的等效電路如圖1 所示。它是由雙極型三極管和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的功率半導體器件。若在IGBT 的柵極G 和發(fā)射極E 之間加上驅(qū)動電壓,則MOSFET導通,這樣晶體管的集電極C 與發(fā)射極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT 的柵極G 和發(fā)射極E 之間電壓為0 V,則MOSFET 截止,切斷晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
圖1 IGBT 的等效電路
在DF100A 型PSM 短波發(fā)射機功率模塊中,它實際上由兩只晶體管復合而成,電路圖如圖2 所示,靠近電源的一只叫保護管,靠近負載的一只叫開關(guān)管,這兩只晶體管的柵極具有場效應(yīng)管的電壓控制特性,發(fā)射集和集電極間具有晶體三極管和可關(guān)斷可控硅的電流控制特性,兩管的控制信號分別輸入到各自的柵極和發(fā)射極之間。在正常情況下保護管將一直處于導通狀態(tài),當開關(guān)管短路或開路時,開關(guān)管的工作狀態(tài)監(jiān)測及保護電路發(fā)出一個信號,將保護管切斷。
圖2 700 V 開關(guān)模塊—PSM 開關(guān)
1)開關(guān)管的額定工作頻率大幅提高,而且絕緣門雙極晶體管對電壓變化率du/dt 并無規(guī)定限額,從而可以獲得兩方面的效益:a)為開關(guān)管外設(shè)的保護電路可以取消;b)采用高速開關(guān)管又無外設(shè)保護電路的電子開關(guān),其通、斷時間明顯縮小,相應(yīng)的前后沿損耗也隨其大幅減小。
2)采用高速開關(guān)管組成的PSM 開關(guān)無論對哪個音頻上升階梯所構(gòu)成的延時都很小,所以最大上升沿時間和最小上升沿時間的差別也很小。不需要再增加前沿時差補償器,從而使數(shù)字化音頻電路大為簡化,既提高了音頻質(zhì)量的穩(wěn)定性,又降低了故障率。
功率開關(guān)是一個脈寬調(diào)制單元,它的開關(guān)頻率能達到10 kHz,并為它的負載提供平均2.1 kW 的功率。功率開關(guān)在上升和下降沿少于400 ns 時間內(nèi)提供700 V 的脈沖。48個功率開關(guān)以串聯(lián)的形式形成一個100 或150 kW 的固態(tài)調(diào)制器。圖3 為功率開關(guān)電路圖。
圖3 功率開關(guān)電路圖
功率開關(guān)由E1、E2 和E3 接入三相500V(有效值)電源,RV1、RV2 和RV3 是壓敏電阻,用于在外電變化時對功率開關(guān)進行保護。通過使用三組雙二極管模塊CR2、CR4 和CR6實現(xiàn)三相全波整流。整流輸出的儲能是由電容C3 和C4 完成的。電阻R3 和R4 作為這兩個電容的分壓器,DS1 是電容器上電壓維持情況的指示器。變壓器T1 和T2 都是降壓變壓器,為A1 提供兩組相互隔離的12 V(有效值)電壓。
Q1 是一對絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)模塊。兩個管子都具有Vce≥1 000 V 直流和Ic=50 A 連續(xù)工作的額定值。集電極管腳為3 的那個晶體管稱為AC 管,第二個集電極管腳為1 的晶體管稱為DC 管。兩個晶體管的門極是通過R8和R7 加偏置的,并且分別由瞬變抑制二極管(CR9 和CR7)和箝位二極管(CR10 和CR8)進行保護。每一個晶體管的門極都是由電路板A1,即功率開關(guān)控制板進行控制的。在功率開關(guān)正常的情況下,AC 管向DC 管提供700 V 的電壓,并且由DC 管控制這700 V 電壓的合斷,以構(gòu)成本塊功率模塊的輸出脈沖電壓。
CR11 是一只反向二極管,它跨接在功率開關(guān)的輸出端。這只二極管反向耐壓為1 000 V,正向電流為50 A 以及小于100 ns 恢復時間的額定值。反向二極管使得功率開關(guān)串接,并使調(diào)制器的負載電流繞過未接通的功率開關(guān)。
功率開關(guān)具有對內(nèi)部故障進行檢測,并且將本級模塊從固態(tài)調(diào)制器電路中移開的能力。如果DC 管出現(xiàn)短路或開路故障,在A1 電路板上的一個相位鑒別器(檢測器)將會識別出這類故障,并且將AC 管關(guān)斷。由于將AC 管關(guān)斷了,這塊有毛病的功率開關(guān)就從調(diào)制器的電路脫開了。這個開關(guān)的去除也將被調(diào)制器的控制器識別出,由控制器把這個有故障的開關(guān)脫開。如果功率開關(guān)在輸出端短路了,那么在E4~E11 之間跨接的那些電阻性的導線兩端的電壓將升高。這個增加的電壓將使A1 板上(通過R5 和R6)的一個光電隔離管導通,由此將關(guān)斷DC 晶體管。如果這個短路現(xiàn)象持續(xù)著,相位檢測電路將被觸發(fā),使得這個功率開關(guān)從調(diào)制器電路中脫開。
每個功率開關(guān)模塊上都附有一個功率開關(guān)控制器板,用其控制保護管和開關(guān)管,由于功率開關(guān)模塊及其控制器都懸浮于高電位,所以它同地電位處的控制信號依靠兩條高絕緣的光纜相聯(lián)系。其中,一條光纜用于接收來自循環(huán)調(diào)制器的合或斷開關(guān)管的指令信號;另一條光纜用于傳遞本塊功率開關(guān)是否工作正常的信息。
壓敏電阻RV1、RV2 和RV3 是三只具有齊納二極管的負阻特性的電阻,當輸入外電電壓高達510 V 時(峰值為721 V),正好進入他們的負阻導通區(qū)。使輸入電壓被箝位在510 V,防止來自供電電源上的浪涌電壓。輸入電壓低于510 V 時,三只電阻呈開路狀態(tài)。
從DC 管發(fā)射極經(jīng)由過載保護拾電鎳阻絲到負載。該電阻絲由四根并聯(lián),每根0.1 Ω,總計0.025 Ω;與30 A 過載電流相對應(yīng)的保護性控制電壓為0.75 V,在正常情況下則相當于短路。當本級PSM 開關(guān)合上時,負載電流由G1 管導通,而本級PSM 開關(guān)拉開時,則負載電流被反向二極管CR11 所旁路。所謂反向二極管,由于它在G1 管導電時承受反電壓而得名。CR11 導電的條件是:G1 管關(guān)斷而且與G1 管并聯(lián)的分布電容被充電到電源電壓(700 V)以上,即CR11 處于少量正向電壓下才能導通負載電流。在功率開關(guān)輸出端跨接著2 ×47 kΩ 和DS2 的串聯(lián)組合,其中的DS2 是發(fā)光二極管,用于指示本塊開關(guān)板是否正常。盡管G1 管導通時DS2得電、而當G1 管關(guān)斷時DS2 也斷電,但因G1 管經(jīng)常處于快速通斷狀態(tài)下,所以開機后DS2 保持發(fā)亮。唯獨在這個功率開關(guān)模塊發(fā)生故障時,即AC 管或DC 管被長時間切斷,DS2才處于熄滅狀態(tài),以便值機員發(fā)現(xiàn)故障點。
一般發(fā)射機的主整濾波電容器儲能高達數(shù)千至上萬焦耳,在發(fā)生負載通地或?qū)Φ卮蚧鸸收蠒r,加入不能快速切斷負載或迅速泄放掉濾波器的儲能,往往會造成大故障,甚至是災(zāi)害性的故障。這里所說的速斷、速放,常用的油閘、繼電器和真空開關(guān)等因動作延時偏長,是不能勝任的,所以要用阻尼電阻、限流電感,或采取引燃管快速泄放儲能。所有這些措施,都要付出相當高的代價。PSM 發(fā)射機則不同,不但主整濾波器儲能相對較小,而且尤為重要的是:充當電子開關(guān)的48 個IGBT 足以勝任“速斷”的要求,它可以在3~5 uS內(nèi)切斷電源和負載的聯(lián)系,主整儲能已被化整為零而又切斷負載分別泄放,剩下與負載相連的儲能只是解調(diào)器的儲能,一般為幾個或幾十個焦耳,決不會使故障擴大化。
IGBT 管的好壞可用指針萬用表的Rxlk 檔來檢測,或用數(shù)字萬用表的“二極管”檔來測量PN 結(jié)正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT 管三只引腳短路放電,避免影響檢測的準確度;然后用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e 兩極及G、c兩極的電阻,對于正常的IGBT 管(正常G、e 兩極與G、c 兩極間的正反向電阻均為無窮大;內(nèi)含阻尼二極管的IGBT 管正常時,e、C 極間均有4 kΩ 正向電阻),上述所測值均為無窮大;最后用指針萬用表的紅筆接c 極,黑筆接e 極,若所測值在3.5 kΩ 左右,則所測管為含阻尼二極管的IGBT 管,若所測值在50 kΩ 左右,則所測IGBT 管內(nèi)不含阻尼二極管。對于數(shù)字萬用表,正常情況下,IGBT 管的e、C 極間正向壓降約為0.5 V。測得IGBT 管三個引腳間電阻均很小,則說明該管已擊穿損壞;若測得IGBT 管三個引腳間電阻均為無窮大,說明該管已開路損壞。在DF100A 型PSM 短波發(fā)射機功率開關(guān)電路中IGBT 管多為擊穿損壞。
故障現(xiàn)象:高末簾柵連續(xù)過荷,降功率無效,但將激勵全部退掉,發(fā)現(xiàn)末級仍有700 V 簾柵壓。
故障原因:一級高末簾柵功率模塊IGBT 被擊穿,造成一加高壓便有700 V 簾柵壓加在電子管上,且不受調(diào)制器控制器控制,使簾柵壓先上,從而造成過荷。
處理方法:迅速更換該級功率模塊。
由于IGBT 模塊為MOSFET 結(jié)構(gòu),IGBT 的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20 V~30 V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT 失效的常見原因之一。在柵極-發(fā)射極間開路時,若在集電極和發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過,這時如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱至損壞。在安裝或更換IGBT 模塊時,應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,為減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT 模塊間涂抹導熱硅脂。在使用模塊時,手持分裝件時,勿觸摸驅(qū)動端子部分。當必須觸摸模塊端子時,要帶防靜電手套。在用導電材料連接IGBT 的驅(qū)動端子時,在配線未接好之前,先不要接上模塊。盡量在底板良好接地的情況下操作,如焊接時,電烙鐵要可靠接地。
DF100A PSM 短波發(fā)射機技術(shù)上的最大優(yōu)點之一就是把主整和調(diào)幅器合二為一并把主整電壓化整為零,IGBT 在DF100A 型PSM 短波發(fā)射機功率開關(guān)電路中的應(yīng)用,體現(xiàn)了DF100A 型PSM 短波發(fā)射機在先進器件運用方面的一大進步,對此電路進行研究分析,摸清電路特點,可以提高維護水平,確保設(shè)備穩(wěn)定運行。
[1]魏瑞發(fā),陳錫安.脈階調(diào)制設(shè)備[Z].無線電臺管理局教育處編印,1999.11.