湯龍飛 許志紅

（福州大學(xué)電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院 福州 350116）

1 引言

電磁閥是利用線圈通電激磁產(chǎn)生電磁吸力，驅(qū)動(dòng)閥心運(yùn)動(dòng)以開(kāi)啟或關(guān)閉閥門的工業(yè)設(shè)備[1]，具有結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、重量輕、密封良好、維護(hù)簡(jiǎn)便、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)[2]。交流電磁電器工作中會(huì)產(chǎn)生磁滯、渦流損耗，為減小損耗鐵心由硅鋼片疊壓而成，而在電磁閥中，由于結(jié)構(gòu)及尺寸特點(diǎn)，一般采用整體的鐵心和磁軛，損耗更加嚴(yán)重，導(dǎo)致電磁閥運(yùn)行溫度升高，影響電磁閥的安全運(yùn)行及壽命。交流電磁閥工作電壓范圍在（（75%～115%）Ue），對(duì)電網(wǎng)電壓的波動(dòng)較敏感；在吸持狀態(tài)時(shí)會(huì)產(chǎn)生交流噪聲，為減小交流噪聲而加入的分磁環(huán)又會(huì)嚴(yán)重影響其機(jī)械壽命[3]，這些缺點(diǎn)難以通過(guò)合理設(shè)計(jì)電磁閥本體而完全克服，需要對(duì)電磁閥進(jìn)行智能控制。目前電磁閥的智能控制大多以高速電磁閥為控制對(duì)象，高速電磁閥是發(fā)動(dòng)機(jī)電控噴射系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，通過(guò)單片機(jī)控制它的吸合和釋放來(lái)控制噴油時(shí)刻及噴油持續(xù)時(shí)間，其動(dòng)態(tài)響應(yīng)是直接影響整個(gè)電控噴射系統(tǒng)的重要指標(biāo)[4]。高速電磁閥多采用脈寬調(diào)制（PWM）控制方式來(lái)控制線圈電流，從而控制高速電磁閥快速的打開(kāi)與關(guān)閉[5]；上述驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)多為開(kāi)環(huán)，不能根據(jù)電磁閥線圈電流或線圈電壓的大小進(jìn)行反饋調(diào)節(jié)，且多用在復(fù)雜的發(fā)動(dòng)機(jī)電控系統(tǒng)中，體積較大，成本較高。

在空調(diào)、制冷設(shè)備中存在很多交流電磁閥，這些行業(yè)對(duì)電磁閥的要求是：電壓輸入范圍寬、節(jié)能、噪聲小、溫升低、壽命高、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小巧且成本較低，對(duì)電磁閥的動(dòng)作速度要求不高。參考文獻(xiàn)[6,7]提出了交流接觸器的高壓起動(dòng)、低壓保持的開(kāi)環(huán)優(yōu)化控制方案，參考文獻(xiàn)[8,9]提出交流接觸器閉環(huán)控制方案，提高了交流接觸器的電壽命，但接觸器的智能控制模塊同樣較為復(fù)雜，體積和成本相對(duì)較高，不適合直接應(yīng)用于電磁閥的智能控制，在AC/DC 高頻電源變換中，有較多應(yīng)用成熟的控制方案及設(shè)計(jì)方法，如參考文獻(xiàn)[10-12]，相應(yīng)的控制方案大多有量產(chǎn)的芯片，這些芯片性能完善、集成度高、成本低、安全可靠，促進(jìn)了高頻AC/DC 技術(shù)的迅速普及。本文以空調(diào)、制冷行業(yè)交流電磁閥為控制對(duì)象，設(shè)計(jì)智能控制模塊，將高頻AC/DC 控制方案靈活應(yīng)用到電磁閥的智能控制中，在滿足控制模塊體積小、成本低的前提下使交流電磁閥高壓直流閉環(huán)起動(dòng)，低壓直流閉環(huán)保持，具有很好的應(yīng)用前景。

2 模塊工作原理及控制參數(shù)的確定

2.1 交流電磁閥智能控制模塊工作原理

圖1 為模塊原理框圖，核心元件為兩片開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器，單片穩(wěn)壓器上集成了一個(gè)高壓MOSFET及一個(gè)電源控制器，采用流限開(kāi)/關(guān)控制模式來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓，工作頻率為66kHz。

模塊為低端降壓升壓型—光耦反饋拓?fù)?，具有如下?yōu)點(diǎn)[13]：輸出電壓可升可降，拓寬了模塊適用范圍；避免集成開(kāi)關(guān)懸浮，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單安全；內(nèi)部開(kāi)關(guān)損壞時(shí)，輸出始終保持零電壓，避免高壓直通燒壞線圈；在交流電源輸入端接入自恢復(fù)保險(xiǎn)絲，可實(shí)現(xiàn)MOSFET 擊穿時(shí)的輸入短路保護(hù)。

圖1 控制模塊原理框圖Fig.1 Control module principle diagram

開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器1 對(duì)電磁閥的起動(dòng)過(guò)程進(jìn)行閉環(huán)控制：上電時(shí)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器1 通過(guò)動(dòng)態(tài)自供電直接從整流后的HV+線上抽取電流向儲(chǔ)能電容C5充電，到一定值時(shí)集成MOSFET 開(kāi)始斬波，經(jīng)降壓升壓拓?fù)湎螂姶砰y線圈提供起動(dòng)能量，通過(guò)光耦電壓反饋電路1 及光耦電流反饋電路1 對(duì)起動(dòng)電壓、電流進(jìn)行調(diào)節(jié)，電路設(shè)計(jì)既可輸出恒定的起動(dòng)電壓也可輸出恒定的起動(dòng)電流，當(dāng)起動(dòng)電路的輸出電壓或輸出電流達(dá)到設(shè)定值時(shí)，反饋回路發(fā)生作用，丟掉多余的開(kāi)關(guān)周期，維持輸出電壓或電流恒定。因此，隨著負(fù)載的減輕，會(huì)有更多的周期被丟掉，而當(dāng)負(fù)載加重時(shí)，只有很少的周期被丟掉，如在50ms 期間沒(méi)有任何周期被丟掉，模塊會(huì)進(jìn)入自動(dòng)重啟動(dòng)狀態(tài)以提供過(guò)載保護(hù)并限制輸出功率。

起動(dòng)電路只在上電后短時(shí)間工作（幾十毫秒），之后被延時(shí)關(guān)斷電路關(guān)閉。延時(shí)關(guān)斷電路根據(jù)HV+電壓的大小自動(dòng)調(diào)節(jié)起動(dòng)電路工作時(shí)間，電壓越低，起動(dòng)時(shí)間越長(zhǎng)，保證電磁閥在寬電壓范圍內(nèi)可靠起動(dòng)。開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器2 對(duì)電磁閥的保持過(guò)程進(jìn)行閉環(huán)控制，原理與起動(dòng)過(guò)程相同，將線圈端電壓或電流穩(wěn)定在一個(gè)較低的數(shù)值，使電磁閥節(jié)能、無(wú)聲保持。

控制模塊采用很少的分立元器件，大部分功能依靠芯片實(shí)現(xiàn)，增加了電路的可靠性，降低了成本和體積；采用動(dòng)態(tài)自供電方式工作，克服了傳統(tǒng)智能控制器需要輔助工作電源的缺陷；工作在流限開(kāi)/關(guān)控制模式，無(wú)需復(fù)雜的補(bǔ)償措施；具有完善的保護(hù)功能，可以方便的調(diào)節(jié)起動(dòng)參數(shù)和保持參數(shù)，便于對(duì)電磁閥進(jìn)行簡(jiǎn)單的優(yōu)化控制。

2.2 控制參數(shù)的確定

采用課題組自行研發(fā)的“電磁閥動(dòng)態(tài)仿真設(shè)計(jì)系統(tǒng)”，對(duì)電磁閥進(jìn)行整體性能仿真，文獻(xiàn)[14]給出了詳細(xì)的仿真原理，利用該系統(tǒng)進(jìn)行控制參數(shù)確定。圖2 為動(dòng)態(tài)仿真波形。通過(guò)計(jì)算得出：打開(kāi)位置時(shí)磁路電感為5.4H，閉合位置時(shí)磁路電感為21.5H，最低起動(dòng)電壓為95V，最低保持電壓為25V，在ts時(shí)刻電磁閥動(dòng)靜鐵心閉合，閉合時(shí)間為19ms，以此確定電磁閥直流運(yùn)行狀態(tài)下的相關(guān)控制參數(shù)，合理設(shè)計(jì)反饋回路及起動(dòng)控制電路的工作時(shí)間。

圖2 動(dòng)態(tài)仿真波形圖中曲線刻度值與實(shí)際值的比例關(guān)系為 電壓：0.1∶1 吸力：0.1∶1 反力：1∶1 磁鏈：10:1 電流：100∶1 速度：10∶1 位移：10 000∶1Fig.2 Dynamic simulation waveforms

3 交流電磁閥智能控制模塊仿真分析

3.1 開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器建模

對(duì)開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器主要功能建模，包括振蕩器：工作于66kHz，最大占空比限制在67%；反饋電路：當(dāng)流入 FB 反饋引腳的電流大于 49μA 時(shí)，內(nèi)部MOSFET 被終止，跳過(guò)多余的開(kāi)關(guān)周期；5.8V 穩(wěn)壓電路：從MOSFET 的漏極吸收電流向動(dòng)態(tài)自供電儲(chǔ)能電容充電，充到5.8V 時(shí)，觸發(fā)芯片開(kāi)始工作；旁路引腳欠壓電路：當(dāng)BP 引腳電壓下降到4.85V 時(shí)，關(guān)閉MOSFET，待電壓重新達(dá)到5.8V，才能重啟MOSFET；限流電路：檢測(cè)MOSFET 電流，當(dāng)超過(guò)內(nèi)部閾值時(shí)，在該周期剩余階段關(guān)斷MOSFET；前沿消隱電路：短時(shí)間內(nèi)禁止內(nèi)部限流電路，通過(guò)前沿消隱，防止電流尖峰導(dǎo)致開(kāi)關(guān)脈沖提前誤關(guān)斷[15]；頻率調(diào)制：將以上各個(gè)電路產(chǎn)生的信號(hào)，經(jīng)適當(dāng)?shù)倪壿嬮T電路和RS 觸發(fā)器，產(chǎn)生需要的PWM 驅(qū)動(dòng)信號(hào)；驅(qū)動(dòng)級(jí)電路及高壓MOSFET：根據(jù)PWM 驅(qū)動(dòng)信號(hào)，對(duì)主電路進(jìn)行斬波。

3.2 控制模塊瞬態(tài)仿真分析

將模擬電源芯片應(yīng)用到電磁閥的智能控制中，實(shí)現(xiàn)低成本、小體積的智能控制。該模擬芯片無(wú)法像單片機(jī)系統(tǒng)那樣進(jìn)行靈活的過(guò)程控制，因此在模塊設(shè)計(jì)中將電磁閥的電路看作恒定阻感負(fù)載，僅對(duì)模塊輸出電壓、電流的閉環(huán)控制能力進(jìn)行重點(diǎn)分析，線圈電阻為2.18kΩ，磁路電感取10H。

圖3 電壓反饋起動(dòng)過(guò)程波形Fig.3 Voltage feedback starting process waveforms

對(duì)起動(dòng)過(guò)程進(jìn)行瞬態(tài)仿真，波形如圖3 所示：在t0時(shí)刻，開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器1 開(kāi)始工作，通過(guò)起動(dòng)電感L1，從HV+吸收電流，向連接在芯片BP 引腳的C5充電，BP 引腳電壓uBPS逐漸上升，在t1時(shí)刻上升到5.8V，內(nèi)部電源控制器向集成MOSFET 輸出驅(qū)動(dòng)PWMS，線圈電壓ucoilS快速上升，在t2時(shí)刻ucoilS首先達(dá)到設(shè)定值，通過(guò)光耦電壓反饋1 的閉環(huán)反饋?zhàn)饔檬馆敵鲭妷悍€(wěn)定在150V，在此過(guò)程中，芯片內(nèi)部漏極電壓UDS的幅值隨著輸出電壓的升高而升高。

在t2到t4時(shí)段，ucoilS維持恒定輸出，由于電磁閥線圈電感很大，導(dǎo)致線圈電流icoilS滯后于ucoilS，icoilS在t3時(shí)刻達(dá)到穩(wěn)定值，在t3到t4時(shí)段，icoilS維持恒定。在t4時(shí)刻，延時(shí)關(guān)斷電路向芯片F(xiàn)B 引腳灌入電流，iFBS=190μA，MOSFET 關(guān)閉，ucoilS及icoilS下降，起動(dòng)控制電路退出工作。

圖4 為t2到t4時(shí)段放大波形，ta～tb時(shí)段，電源控制器輸出PWMS，驅(qū)動(dòng)MOSFET 斬波，電感電流iL1逐漸上升，ucoilS有微小上升，在tb時(shí)刻ucoilS達(dá)到反饋設(shè)定值，控制器開(kāi)始跳過(guò)多余的開(kāi)關(guān)周期，tb～tc時(shí)段，電感L1通過(guò)二極管VD1向電磁閥線圈釋放能量，iL1下降，芯片內(nèi)部漏極電壓滿足：uDS=uIN+ucoilS，至tc時(shí)刻iL1下降到0，二極管VD1被反向截止，tc～td時(shí)段，iL1=0，uDS=uIN，電感工作于電流斷續(xù)模式；在tb～td時(shí)段內(nèi)芯片跳過(guò)多余的開(kāi)關(guān)周期，通過(guò)簡(jiǎn)單的丟周期的開(kāi)/關(guān)工作模式維持輸出電壓動(dòng)態(tài)恒定，當(dāng)負(fù)載較重時(shí)，輸出濾波電容輸出的功率較大，其電壓快速動(dòng)態(tài)波動(dòng)，當(dāng)電壓波動(dòng)到設(shè)定值之下時(shí)，需要開(kāi)始斬波，及時(shí)向?yàn)V波電容補(bǔ)充能量，tb～td時(shí)段較短，跳過(guò)的周期數(shù)較少；當(dāng)負(fù)載較輕時(shí)，輸出濾波電容輸出的功率較小，其電壓動(dòng)態(tài)波動(dòng)較慢，tb～td時(shí)段較長(zhǎng)，跳過(guò)的周期數(shù)較多。

圖4 細(xì)節(jié)放大波形Fig.4 Details of the amplified waveforms

調(diào)整反饋控制回路參數(shù)，在起動(dòng)過(guò)程中使光耦電流反饋1 投入工作，線圈電流維持在反饋設(shè)定值，此時(shí)電壓環(huán)用于防止輸出過(guò)壓，禁止延時(shí)關(guān)斷電路工作，可更好的觀察相關(guān)波形，如圖5 所示：t1時(shí)刻芯片開(kāi)始斬波工作，icoilS、ucoilS開(kāi)始上升，在t2時(shí)刻ucoilS達(dá)到過(guò)壓限制值，電壓環(huán)將ucoilS限制在恒定值，此過(guò)程持續(xù)到t3時(shí)刻；在t3到t4時(shí)段，電壓環(huán)退出工作，在光耦電流反饋1 的作用下，電流在t4時(shí)刻穩(wěn)定。

圖5 電流反饋起動(dòng)過(guò)程波形Fig.5 Current feedback starting process waveforms

可以看出：電流反饋電路與線圈串聯(lián)，由于線圈的強(qiáng)感性對(duì)電流突變產(chǎn)生阻礙作用，嚴(yán)重限制了電流反饋的帶寬，在此拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中采用電流反饋時(shí)，線圈電流會(huì)產(chǎn)生較大的超調(diào)和長(zhǎng)時(shí)間的震蕩，動(dòng)態(tài)響應(yīng)較慢[16]，因此最終使電磁閥的起動(dòng)及保持過(guò)程工作在電壓閉環(huán)反饋控制方式下，使控制過(guò)程更準(zhǔn)確、快速。

4 控制模塊實(shí)驗(yàn)分析

4.1 工作過(guò)程分析

合理設(shè)置起動(dòng)電壓最大值，可減小起動(dòng)過(guò)程動(dòng)靜鐵心碰撞能量，施加一較低保持電壓，可降低電磁閥工作溫升及功耗，提高電磁閥使用壽命。交流電磁閥應(yīng)用在空調(diào)、制冷行業(yè)中時(shí)直接以交流220V作為電源，用交流220V 作為模塊輸入電源，交流電壓存在合閘相角α，其實(shí)驗(yàn)原理如圖6 所示。用選項(xiàng)合閘裝置控制合閘相角α，用霍爾傳感器測(cè)量電磁閥線圈電壓、電流及交流輸入電壓，由于電磁閥小巧且全封閉，無(wú)法用常規(guī)手段測(cè)量其動(dòng)鐵心位移、速度等動(dòng)態(tài)信息，因此用麥克風(fēng)模塊測(cè)量電磁閥動(dòng)靜鐵心撞擊時(shí)的聲音信號(hào)幅值來(lái)反映動(dòng)靜鐵心撞擊能量[17]。

圖6 實(shí)驗(yàn)原理圖Fig.6 Experimental schematic diagram

圖7 中交流電壓uin=220V,圖7a 起動(dòng)電壓限制在150V，圖7b 起動(dòng)電壓限制在100V，在t1時(shí)刻選項(xiàng)合閘裝置導(dǎo)通，相角α=60°，線圈電壓ucoil開(kāi)始上升，在t2時(shí)刻上升至設(shè)定值，在起動(dòng)電壓反饋環(huán)的作用下，ucoil維持恒定，到t3時(shí)刻起動(dòng)控制電路退出工作，ucoil逐漸衰減，至t4時(shí)刻保持電壓施加到線圈，ucoil在保持電壓反饋環(huán)作用下維持恒定，使電磁閥低壓吸持。

圖7 實(shí)測(cè)波形Fig.7 The measured waveforms

線圈實(shí)測(cè)起動(dòng)電流icoil與電路仿真起動(dòng)電流icoilS存在差別，主要因?yàn)椋悍抡鏁r(shí)電磁閥等效為恒定阻感負(fù)載，而實(shí)際起動(dòng)過(guò)程中，由于電磁閥動(dòng)靜鐵心間氣隙變化，其磁路電感發(fā)生變化，線圈回路電壓電流關(guān)系滿足式（1）[18]

式中Roil——電磁閥線圈電阻；

L——磁路電感；

v——?jiǎng)予F心運(yùn)動(dòng)速度；

dx——?jiǎng)予F心位移微分量。

動(dòng)鐵心運(yùn)動(dòng)過(guò)程分為觸動(dòng)階段和運(yùn)動(dòng)階段；在觸動(dòng)階段時(shí)，v=0，線圈的自感電動(dòng)勢(shì)Ldicoil/(dt)取正值，欲與線圈端電壓ucoil平衡，使icoil按指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)；動(dòng)鐵心剛開(kāi)始運(yùn)動(dòng)時(shí)，速度v很小，運(yùn)動(dòng)反電動(dòng)勢(shì)icoilvdL/(dx)很小，使icoil的增長(zhǎng)速度變慢；隨著v的加快，運(yùn)動(dòng)反電動(dòng)勢(shì)作用顯著，迫使icoil下降，直至圖中P 點(diǎn)，動(dòng)靜鐵心閉合，v=0，失去運(yùn)動(dòng)反電動(dòng)勢(shì)的限流作用，icoil重新按指數(shù)規(guī)律上升，導(dǎo)致起動(dòng)電流變化。

電磁閥動(dòng)靜鐵心在P 點(diǎn)碰撞，麥克風(fēng)模塊收集動(dòng)靜鐵心碰撞時(shí)的聲音信號(hào)，由麥克風(fēng)信號(hào)uvoice可以看出，在P 點(diǎn)處開(kāi)始輸出聲音信號(hào)，且P 點(diǎn)處的幅值最大，根據(jù)碰撞時(shí)刻uvoice的幅值可以判斷動(dòng)靜鐵心碰撞能量的大小。由圖7a、7b 對(duì)比可知：電磁閥的起動(dòng)電壓越低，其動(dòng)靜鐵心之間的碰撞能量越小，因此在滿足電磁閥能夠快速可靠吸合的情況下，應(yīng)盡可能降低起動(dòng)電壓。

4.2 合閘相角對(duì)控制模塊的影響

交流電磁閥在交流激勵(lì)下，由于每次合閘相角α的不同，動(dòng)作特性存在很大分散性，難以進(jìn)行優(yōu)化控制[19,20]，在增加智能控制模塊后，電磁閥的激勵(lì)電壓雖為直流，但不同合閘相角會(huì)對(duì)控制模塊起動(dòng)電路的斬波時(shí)刻產(chǎn)生影響，不同斬波時(shí)刻可能對(duì)應(yīng)的HV+電壓不同，進(jìn)而影響電磁閥的工作狀況，通過(guò)合理選取芯片動(dòng)態(tài)自供電的儲(chǔ)能電容，使模塊上電到儲(chǔ)能電容充到5.8V 這段時(shí)間內(nèi)，HV+電壓在不同合閘相角下都有足夠的時(shí)間達(dá)到最大值，避免合閘相角對(duì)電磁閥的影響。

圖8 所示為交流電磁閥智能控制后，在不同合閘相角下得到的線圈電壓、電流波形，將起動(dòng)電壓設(shè)置在150V，分別在α為30°、60°、90°、120°、150°、180°情況下，測(cè)量電磁閥的線圈電壓、電流，用Labview 將六種相角下的電壓及電流分別放到同一個(gè)電壓波形圖窗口和電流波形圖窗口中進(jìn)行對(duì)比，可以看出：合理選擇控制模塊儲(chǔ)能電容后，不同合閘相角α下，其線圈電流、線圈電壓基本一致，電磁閥動(dòng)作過(guò)程不受合閘相角影響。

圖8 合閘相角的影響Fig.8 The influence of the closing phase angle

4.3 寬電壓工作特性分析

模塊工作在流限開(kāi)/關(guān)控制模式，具有寬電壓輸入，交直流通用的特點(diǎn)，同時(shí)可以避免由于電網(wǎng)電壓的短時(shí)波動(dòng)造成的電磁閥意外分?jǐn)?，具有短時(shí)抗晃電功能[21]。圖9 為寬電壓輸入分析，由圖9 可知：智能控制模塊在高的輸入電壓下，可以快速完成起動(dòng)過(guò)程，在較低的輸入電壓時(shí)，可自動(dòng)延長(zhǎng)起動(dòng)電路工作時(shí)間，保證電磁閥在寬電壓范圍內(nèi)可靠起動(dòng)，由于模塊的起動(dòng)和保持過(guò)程均為閉環(huán)控制，所以起動(dòng)電壓值和保持電壓值可以在較寬的輸入電壓范圍內(nèi)維持在設(shè)定值，降低了電磁閥對(duì)電網(wǎng)電壓的敏感性。

圖9 寬電壓輸入分析Fig.9 Wide input voltage analysis

4.4 控制模塊保護(hù)功能分析

該控制模塊具有完善的保護(hù)性能，起動(dòng)控制電路與保持控制電路工作原理相同，保持電路工作時(shí)間較長(zhǎng)，方便觀察，對(duì)保持控制電路的保護(hù)性能進(jìn)行分析。圖10a 為反饋環(huán)開(kāi)路時(shí)，ucoil和icoil波形，輸出電壓電流上升到一定值時(shí)即被關(guān)斷并每隔一段時(shí)間進(jìn)行重啟，限制輸出功率；圖10b 為輸出在tm時(shí)刻突然短路的ucoil和icoil波形，ucoil=0，輸出電流上升到一定值時(shí)即被關(guān)斷并重啟；圖10c 為輸出在tn時(shí)刻突然過(guò)載的ucoil和icoil波形，模塊進(jìn)入周期性的重啟過(guò)程，防止過(guò)載對(duì)模塊造成永久性的損壞。

圖10 保護(hù)性能分析Fig.10 Protection function analysis

5 結(jié)論

本文設(shè)計(jì)了一種交流電磁閥智能控制模塊，通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)得出以下結(jié)論：

（1）可將離線式開(kāi)關(guān)電源控制芯片應(yīng)用到交流電磁閥智能控制中，增加控制模塊的集成度和智能化水平。

（2）在電磁閥的起動(dòng)與保持過(guò)程中可使用電壓閉環(huán)反饋的控制方式，實(shí)現(xiàn)電磁閥的寬電壓應(yīng)用，使電磁閥的動(dòng)作特性相對(duì)一致，降低網(wǎng)壓波動(dòng)對(duì)電磁閥的影響，工作安全可靠。

（3）在起動(dòng)過(guò)程中可降低電磁閥起動(dòng)電壓來(lái)減小動(dòng)靜鐵心的碰撞能量，在保持過(guò)程中施加一低電壓可降低工作溫升，提高使用壽命。

（4）模塊具有完善的保護(hù)功能，且體積小、成本低、性能優(yōu)良，為智能交流電磁閥的研究奠定了基礎(chǔ)。

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