王曉玲,崔碧峰,蘇道軍,張 松,李佳莼,凌小涵,王 勛
(北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100022)
目前國際上高亮度、大功率的980 nm半導(dǎo)體激光器主要作為泵浦源被廣泛應(yīng)用于摻鉺光纖放大器等通信領(lǐng)域以及醫(yī)療、加工和軍事等領(lǐng)域中。為了實(shí)現(xiàn)激光器的高功率輸出,一般在半導(dǎo)體激光器腔面一端鍍以增透膜來消除和減小表面的反射光[1];此外,在腔面進(jìn)行鍍膜也起到了保護(hù)腔面的作用,通過提高半導(dǎo)體激光器的COD閾值,延長了器件的壽命。位于激光器前腔面的增透膜反射率越低,輸出光功率越高,但反射率低會(huì)導(dǎo)致閾值電流增高,導(dǎo)致電光轉(zhuǎn)換效率降低,所以一般鍍以特定反射率防止閾值電流過高[2]。
我們選擇設(shè)計(jì)和制備980 nm處達(dá)到特定反射率的增透膜系,為了確定前后腔面的最佳反射率系數(shù),利用最佳工作點(diǎn)隨著和端面反射率相關(guān)的閾值電流等參數(shù)的變化規(guī)律來進(jìn)行推導(dǎo),然后設(shè)計(jì)膜系并在前后腔面進(jìn)行鍍制,使鍍制的半導(dǎo)體激光器適合更大的電流下工作。
半導(dǎo)體激光器的最佳工作點(diǎn)是功率轉(zhuǎn)換效率最大的點(diǎn),其中功率轉(zhuǎn)換效率ηp具有以下關(guān)系式:
其中,Pem為激光器輻射的光功率,即輸出功率;P0為激光器所消耗的電功率,即輸入功率,它們的表達(dá)式分別為:
式中,VA為器件的開啟電壓,對(duì)于980 nm半導(dǎo)體激光器,VA為1.27 V;Rs為器件的串聯(lián)電阻;Ith為器件的閾值電流。
根據(jù)上述公式,模擬出不同閾值電流下(0.6~1.0 A)的功率轉(zhuǎn)換效率隨輸入電流的變化曲線,如圖1所示。
圖1 不同閾值電流下的轉(zhuǎn)換效率-電流模擬曲線Fig.1 Simulated transfer efficiency-current curve of different threshold current
從圖1可以看出,半導(dǎo)體激光器的閾值電流越大,其工作到最佳工作點(diǎn)時(shí)具有更大的輸入電流,即半導(dǎo)體激光器的最佳工作點(diǎn)隨閾值電流的增大而右移,根據(jù)閾值電流的表征公式:
其中,閾值電流與前后腔面反射率R1·R2成反比,為了使最終鍍膜后的半導(dǎo)體激光器更適合在大功率下工作,選擇增透膜反射率RAR分別為8%、5% 和2%,高反膜反射率RHR均為90%的腔面膜系進(jìn)行制備。在能夠獲得穩(wěn)定的后腔面高反膜反射率的前提下,主要對(duì)鍍制在前腔面的三種增透膜進(jìn)行詳細(xì)膜系設(shè)計(jì)和鍍制后的反射率測試。
設(shè)計(jì)中選擇GaAs和Si兩種材料分別作為襯底進(jìn)行模擬,這兩種材料都有很高的折射率,其中GaAs是常用的半導(dǎo)體激光器出光面材料。對(duì)于鍍制在后腔面的高反膜,因?yàn)槠鋵訑?shù)較多,反射率曲線中心波長所處的波峰較寬,經(jīng)過多次模擬和實(shí)驗(yàn),目前基本可以使鍍制的高反膜反射率穩(wěn)定在設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),所以這里只考慮增透膜的反射率數(shù)值設(shè)計(jì)。
為了獲得性質(zhì)穩(wěn)定、高致密性且高激光損傷閾值的光學(xué)薄膜,需要考慮膜料的一些性質(zhì),包括膜料的純度、光學(xué)機(jī)械特性、化學(xué)特性等,從而選擇出合適的膜料以及匹配的蒸發(fā)技術(shù)[3]。實(shí)驗(yàn)中選用SiO2和Al2O3作為增透膜材料[4],其中制備增透膜選用的Al2O3是一種非常穩(wěn)定的膜料,它的結(jié)構(gòu)和成分就算在頻繁的設(shè)備集成過程中也不會(huì)產(chǎn)生明顯的變化[5-6],此外它也具有好的重復(fù)性及簡單的制備工藝。
目前己有很多不同類型的增透膜,滿足了技術(shù)光學(xué)、激光光學(xué)等領(lǐng)域的需要。根據(jù)膜的層數(shù)不同可分為單層、雙層以及多層增透膜[7]。
首先選擇設(shè)計(jì)980 nm波長處反射率達(dá)2%的單層增透膜。模擬出中心波長下的反射率曲線,反射率曲線在中心波長處有最小值,此時(shí)對(duì)應(yīng)的Al2O3厚度既為中心波長的1/4 λ光學(xué)厚度。在此基礎(chǔ)上,通過對(duì)Al2O3的厚度進(jìn)行調(diào)整,使中心波長發(fā)生改變,從而在特定波長處達(dá)到所需的反射率系數(shù)[8]。設(shè)計(jì)出來的980 nm波長處反射率達(dá)2%的單層增透膜其相關(guān)參數(shù)如表1所示,表中反射率根據(jù)襯底不同而變化。
表1 RAR=2%的單層增透膜設(shè)計(jì)參數(shù)Tab.1 Design parameters of RAR=2%monolayer AR-coating
與單層膜相比,多層膜的反射率曲線具有更大的帶寬,當(dāng)中心波長產(chǎn)生偏移時(shí)不會(huì)造成太大的反射率誤差。分別設(shè)計(jì)980 nm處反射率達(dá)5%及8%的雙層增透膜,材料為Al2O3和SiO2。同樣通過調(diào)整材料膜厚,使反射率曲線在特定波長處接近于設(shè)計(jì)要求,設(shè)計(jì)出來的980 nm波長處反射率達(dá)5%與8%的雙層增透膜膜系分別為:
膜系中,H為高折射率材料Al2O3;L為低折射率材料SiO2,這兩種材料在中心波長980 nm處設(shè)定的厚度及對(duì)應(yīng)的反射率如表2所示,表中反射率根據(jù)襯底不同而變化。
表2 雙層增透膜設(shè)計(jì)參數(shù)Tab.2 Design parameters of double-layer AR -coating
我們用的鍍膜設(shè)備為Denton Vacuum的Infinity26真空鍍膜機(jī),鍍膜機(jī)中包括冷陰極離子源及石英晶振監(jiān)控系統(tǒng),薄膜鍍制采用離子輔助電子束蒸發(fā)技術(shù),全程由與鍍膜機(jī)連接的計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控與操作。為了方便對(duì)薄膜的參數(shù)和厚度進(jìn)行修正,選擇了各方面性能與激光器解理面比較接近的單晶硅襯底做陪片。
按照上述設(shè)計(jì)的膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行實(shí)驗(yàn),薄膜鍍制前開電子槍對(duì)鍍膜材料進(jìn)行充分的預(yù)熔,鍍制過程中SiO2用O2及Ar作為離子源的工作氣體,Al2O3則用O2作為離子源的工作氣體,O2離子注入可提高薄膜化學(xué)計(jì)量比,減少失氧,獲得具有更低吸收的薄膜[9-11],Ar離子注入輔助鍍膜,增加了膜層的牢固度。用離子源產(chǎn)生的離子束對(duì)基片進(jìn)行轟擊,高能轟擊增加了薄膜致密度從而增加光譜穩(wěn)定性[12]。實(shí)驗(yàn)結(jié)束后取下實(shí)驗(yàn)片,用分光光度計(jì)或橢偏儀進(jìn)行測試。
實(shí)驗(yàn)了980 nm波長的2%特定反射率單層增透膜及5%、8%反射率的雙層增透膜,這三種增透膜對(duì)應(yīng)在Si襯底上的反射率設(shè)計(jì)值分別為3.34%、5.99%及10.04%,應(yīng)用分光光度計(jì)分別測試了薄膜的反射率曲線,之后與模擬的增透膜反射率曲線進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如圖2、3所示。
圖2 RAR=2%的單層增透膜的波長-反射率對(duì)比曲線Fig.2 reflectivity - wavelength contrastive curve ofRAR=2%monolayer AR Coating
圖3 不同反射率雙層增透膜的波長-反射率對(duì)比曲線Fig.3 reflectivity - wavelength contrastive curve of RAR=5%double layer AR Coating and RAR=8%double layer AR Coating
表3列出了軟件模擬出的980 nm波長處三種特定反射率的增透膜的設(shè)定膜厚、對(duì)應(yīng)的反射率曲線的中心波長,以及實(shí)際鍍制的增透膜的中心波長λ'中心波長和 980 nm 處的實(shí)際反射率系數(shù) R'特定。從表中可以看出,實(shí)驗(yàn)測得的三種增透膜的反射率曲線中心波長均略向右偏移,導(dǎo)致980 nm處實(shí)際測得的反射率與設(shè)計(jì)的反射率值存在偏差,但誤差不大,由此可以得出實(shí)際鍍制的激光器出光面增透膜基本可以達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
表3 特定反射率增透膜實(shí)驗(yàn)結(jié)果Tab.3 Experimental results of AR - coating with specific reflectivity
將未鍍膜和進(jìn)行薄膜鍍制后的激光器管芯分別進(jìn)行封裝、測試,它們的P-I特性曲線如圖4所示,轉(zhuǎn)換效率與輸入電流之間的關(guān)系曲線如圖5所示。
圖4 不同腔面膜系半導(dǎo)體激光器P-I曲線Fig.4 Power- current curve of LDs with different AR coatings
圖5 不同腔面膜系半導(dǎo)體激光器及轉(zhuǎn)換效率-電流曲線示意圖Fig.5 Conversion efficiency -current curve of LDs with different AR coatings
由圖4可以看出,進(jìn)行腔面鍍膜的半導(dǎo)體激光器與未鍍膜的激光器相比,其功率隨著輸入電流的增加有著明顯提高:在輸入電流為15 A處,前腔面分別進(jìn)行R=8%、R=5%及R=2%鍍膜處理以及后腔面均進(jìn)行R=90%鍍膜處理的激光器其輸出功率分別提高了37.35%、39.65%及41.18%。
由圖5可以看出,進(jìn)行腔面鍍膜的半導(dǎo)體激光器其轉(zhuǎn)換效率也有明顯的提高:沒有腔面鍍膜的半導(dǎo)體激光器在最佳工作點(diǎn)處的轉(zhuǎn)換效率僅為37.62%,對(duì)于后腔面均鍍制R=90%高反膜,前出光腔面分別鍍制R=8%、R=5%及R=2%增透膜的三種半導(dǎo)體激光器,它們?cè)谧罴压ぷ鼽c(diǎn)處的轉(zhuǎn)換效率分別可達(dá)到 62.95%、63.75% 及 65.06%;這三種膜系的半導(dǎo)體激光器達(dá)最佳工作點(diǎn)時(shí)的輸入電流分別約為4.8 A、6 A及7 A,因此可以看出增透膜反射率系數(shù)最低的激光器工作到最佳工作點(diǎn)時(shí)具有更大的輸入電流。
對(duì)于980 nm大功率半導(dǎo)體激光器,提出了最佳工作點(diǎn)隨著和端面反射率相關(guān)的閾值電流等參數(shù)的變化規(guī)律。為了驗(yàn)證這一關(guān)系,方便以后腔面反射率膜系的選擇,在能夠獲得穩(wěn)定的高反膜反射率的前提下,設(shè)計(jì)并制備了高反膜反射率為90%且增透膜反射率系數(shù)分別為2%、5%及8%的三種腔面膜膜系,之后對(duì)鍍膜機(jī)蒸鍍的增透膜進(jìn)行了反射率測試,實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本可以達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
對(duì)激光器管芯進(jìn)行封裝和發(fā)光性能測試,結(jié)果顯示鍍膜后激光器的輸出功率及光轉(zhuǎn)換效率均有大幅的提高:在輸入電流為15 A處,它們的輸出功率提高了約37.35% ~35.18%;在它們的最佳工作點(diǎn)處,轉(zhuǎn)換效率提高了25.33% ~27.44%;此外通過測試結(jié)果可以看出,高反膜反射率一定時(shí)半導(dǎo)體激光器的最佳工作點(diǎn)隨其出光面增透膜反射率的減小而右移,即最佳工作點(diǎn)隨閾值電流的增大而右移;上述三種不同腔面膜膜系的半導(dǎo)體激光器中,選擇2%增透膜反射率系數(shù)進(jìn)行鍍制的半導(dǎo)體激光器不僅具有更高的輸出功率與更大的最佳工作點(diǎn)處的轉(zhuǎn)換效率,在其最佳工作點(diǎn)處也具有更大的電流值。結(jié)果表明優(yōu)化選擇腔面膜膜系進(jìn)行鍍制,可以使半導(dǎo)體激光器更適合在較大的功率下工作。
[1] JIN Fa,GU Peifu,LIU Xi,et al.Modern optical thin film technology[M].Hangzhou:Zhejiang University Press,2006:243.(in Chinese)晉發(fā),顧培夫,劉旭,等.現(xiàn)代光學(xué)薄膜技術(shù)[M].杭州:浙江大學(xué)出版社,2006:243.
[2] ZHU Liyan,F(xiàn)U Xiuhua.The technical development of the 850nm high - iuminance semiconductor lasers film[J].Journal of Changchun University of Science and Technology,2007,30(1):18 -20.(in Chinese)朱立巖,付秀華.850nm高亮度半導(dǎo)體激光器腔面膜技術(shù)研究[J].長春理工大學(xué)學(xué)報(bào):自然科學(xué)版,2007,30(1):18-20.
[3] ZHU Zhen.Applicationof optical films in laser and infrared technology[J].Laser & Infrared,2006,36(S1):792 -796.(in Chinese)朱震.光學(xué)薄膜在激光與紅外技術(shù)中的應(yīng)用[J].激光與紅外,2006,36(S1):792 -796.
[4] TAO Getao,LU Guoguang,YAO Shun,et al.Optimized design of cavity facet coatings of 808 nm high power semiconductor laser[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(6):778 -780,784.(in Chinese)套格套,路國光,堯舜,等.808nm大功率半導(dǎo)體激光器腔面膜優(yōu)化設(shè)計(jì)[J].半導(dǎo)體光電,2007,28(6):778-780,784.
[5] Morton D,Stevenson I,Garcia M.Design and development of optical coatings on laser bar facets[C].SPIE,2004,5280:413-513.
[6] TANG Tingting,WANG Rui,LIU Gangming,et al.Plating film on facets of 808 nm semiconductor laser[J].Semiconductor Optoelectronics,2006(2):167 -169.(in Chinese)唐婷婷,王銳,劉剛明,等.808nm激光器端面鍍膜技術(shù)[J].半導(dǎo)體光電,2006,27(2):167 -169.
[7] ZHANG Jiabin,F(xiàn)UXiuhua,HE Caimei.Design and fabrication of visible and infrared band broadband AR coating[J].Laser& Infrared,2009,39(5):528 -530.(in Chinese)張家斌,付秀華,賀才美.可見與近紅外增透膜的設(shè)計(jì)和制備[J].激光與紅外,2009,39(5):528 -530.
[8] TANG Yalu,HU Guang.An analysis of the reflectivity and anti- reflective film[J].Journal of Huaiyin Institute of Technology,2008,03:86 -88.(in Chinese)唐亞陸,胡光.增透膜反射率與膜層折射率及膜厚之間的關(guān)系[J].淮陰工學(xué)院學(xué)報(bào),2008,03:86 -88.
[9] Myoung Y S,Cho E N,Chang E K,et al.Characterization of Al2O3films grown by electron beam evaporator on Si substrates[C].Nanoelectronics Conference,2010:238-239.
[10] Maiti N,Biswas A,Tokas R B,et al.Effects of oxygen flow rate on microstructure and optical properties of aluminum oxide films deposited by electron beam evaporation technique[J].Vacuum,2010,85(2):214 -220.
[11] WANG Jinxiao,WANG Zhimin,F(xiàn)ENG Yudong,et al.Synthesis and characterization of Al2O3films by oxygen Ion beam assisted reactive pulsed magnetron sputtering[J].Chinese Journal of Vacuum Science and Technology,2012,08:705 -709.(in Chinese)王金曉,王志民,馮煜東,等.氧離子能量對(duì)離子束輔助沉積Al2O3薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性能的影響[J].真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào),2012,08:705-709.
[12] Placido F,Gibson D.High ion current density plasma source for ion-assisted deposition of optical thin films[J].Chinese Optics Letters,2010,8(suppl.):49 -52.