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        光伏陣列多峰最大功率點分布特點研究

        2014-10-18 14:29:04翁國慶章旌紅
        電力自動化設備 2014年3期
        關鍵詞:山峰陰影全局

        戚 軍,翁國慶,章旌紅

        (浙江工業(yè)大學 信息工程學院,浙江 杭州 310023)

        0 引言

        光伏發(fā)電系統(tǒng)的效率主要由光伏陣列的效率和逆變器的效率這兩部分組成,目前逆變器的效率可以達到95%,而光伏陣列的效率通常只有80%~90%[1]。引起光伏陣列效率降低的原因很多,其中包括由陰影引起的光照損失、組件失配以及最大功率點MPP(Maximum Power Point)誤跟蹤[2-3]。

        局部陰影下光伏陣列的功率-電壓(P-U)特性曲線上存在多個峰值[4-6]。傳統(tǒng)的最大功率點跟蹤MPPT(Maximum Power Point Tracking)方法[7-11],如爬山法、電導增量法、恒壓/恒流法等,可能無法跟蹤到全局MPP,從而導致光伏陣列輸出功率的顯著降低[12-13]。

        適用于局部陰影條件的多峰MPPT方法是目前的研究熱點,已經涌現(xiàn)出很多研究成果[14-22]。文獻中多峰MPPT方法可以分為人工智能算法[14-17]和代數(shù)算法[18-22]兩大類。人工智能算法可以不依賴光伏陣列的具體數(shù)學模型,具有很好的自適應能力和準確度,然而,此類MPPT算法的高效可靠運行依賴于大量的運行數(shù)據以及積累的經驗,MPPT過程中可能存在隨機功率振蕩,給負載或電網帶來較大擾動。相對而言,代數(shù)算法計算量較小,MPPT搜索軌跡明確,實現(xiàn)簡單,但是其準確度與光伏陣列的數(shù)學模型密切相關,當局部陰影復雜多變時,仍然存在MPP誤跟蹤的可能性。通常文獻提供的實驗或仿真驗證結果會證實某幾個案例中MPPT方法可以跟蹤到全局MPP,由于不同局部陰影條件下光伏陣列的輸出特性差異顯著,基于個別案例的驗證結果說服力非常有限。如何驗證和評估MPPT方法在實際陰影條件下的綜合性能仍需進一步研究。

        實際光伏陣列面臨的局部陰影非常復雜,其數(shù)學模型呈現(xiàn)高維非線性,因此本文將結合計算機數(shù)字仿真技術和統(tǒng)計方法來分析多峰P-U曲線上的MPP分布特點。首先提出了適用于任意陰影條件的光伏陣列數(shù)學模型,然后通過大量案例的仿真計算,統(tǒng)計分析各種形狀、分布范圍及光照強度的局部陰影下,光伏陣列多峰MPP的主要分布特點;最后概括統(tǒng)計結果對多峰MPPT算法的啟示。

        1 光伏陣列數(shù)學模型

        光伏陣列的基本單元為光伏組件,每個光伏組件又包含若干個光伏電池。光伏電池不同于傳統(tǒng)的恒壓源或恒流源,其特殊的非線性電流-電壓(I-U)輸出外特性可以用單二極管等效模型表示[23]。實際應用中,光伏電池生產廠商僅為用戶提供產品在標準測試條件STC(Standard Test Condition)下的短路電流Isc、開路電壓Uoc、最大功率點電流Im和電壓Um的值,與此對應的是光伏電池工程用I-U特性數(shù)學模型[24]。

        當光伏陣列或者光伏組件上的太陽輻照度和溫度均勻一致時,可以直接采用光伏電池數(shù)學模型來描述其輸出I-U特性。當局部陰影引起輻照度和溫度分布不均勻時,光伏陣列的等效數(shù)學模型與其串并聯(lián)結構、陰影狀況密切相關,其輸出I-U特性與光伏電池的輸出特性明顯不同。圖1所示是典型的光伏陣列結構,規(guī)模為M×N,即每串有M個光伏組件,共有N串并聯(lián)。考慮到旁路二極管VDs和防逆二極管VDp的正向導通電壓和反向漏電流較小,因此采用理想二極管特性來等效。

        每串光伏組件的數(shù)學模型如式(1)所示。

        圖1 光伏陣列的結構Fig.1 Structure of photovoltaic array

        其中,下標ij表示第j串、第i個光伏組件;i=1,2,…,M;j=1,2,…,N;Ij、Uj分別為第 j串光伏組件的輸出電流和端電壓;Iij=fM(Uij)為考慮防逆二極管作用后第j串、第i個光伏組件及其對應旁路二極管的合成I-U輸出特性方程,可以用分段函數(shù)式(2)來表示。

        其中,i=1,2,…,M;j=1,2,…,N;C1和 C2為與 Uoc、Isc、Um、Im、溫度系數(shù)和輻照度系數(shù)有關的2個參數(shù),詳見文獻[24]。受陰影影響,光伏組件上的光照強度以及溫度可能存在差異,式(2)中組件的 Iscij、Uocij、C1ij和C2ij并不完全相同。式(1)中第j串組件的輸出Ij-Uj特性計算有2M+1個方程,其中包含2M+2個變量,理論上存在Ij關于Uj的單變量函數(shù),記為Ij=fS(Uj)。在式(1)、(2)的基礎上,整個光伏陣列的等效數(shù)學模型為:

        其中,j=1,2,…,N;I、U 分別為光伏陣列的輸出電流和端電壓。式(3)中2N+1個方程包含2N+2個變量,I關于U的單變量函數(shù)記為I=fA(U)。

        式(1)—(3)可以描述任意陰影條件下圖1所示的典型光伏陣列的輸出特性,受陰影或組件特性差異影響,通常難以推導出光伏陣列輸出電流I與端電壓U之間的顯函數(shù)關系。根據文獻[5]提出的仿真算法,可以快速準確地計算出任意陰影條件下的光伏陣列輸出特性。光伏陣列的輸出功率P的計算公式如下:

        局部陰影條件下光伏陣列的P-U特性曲線可能呈現(xiàn)多個山峰,除了全局MPP,還存在其他局部MPP,如圖2所示,局部陰影條件下,P-U特性曲線上存在3個山峰。

        圖2 局部陰影對光伏陣列輸出特性的影響Fig.2 Influence of partial shade on characteristics of photovoltaic array output

        2 仿真案例

        本文通過計算機仿真來挖掘大量局部陰影條件下多種光伏陣列的MPP分布特點。仿真中,每塊光伏組件在STC下的額定功率為200 W,對應MPP電壓為28.8 V,MPP電流為6.94 A,開路電壓為35.4 V,短路電流為7.44 A。共設置4個光伏陣列,其規(guī)模分別為 10×10、10×15、20×10 和 20×20,對應的額定功率分別為20、30、40和80 kW。當光伏陣列規(guī)模較大時,相對于陣列,每個組件的面積較小,因此假設局部陰影時單個光伏組件上的光照是均勻一致的。

        為了較全面地覆蓋實際存在的各種局部陰影,本文設置了如圖3所示的7種局部陰影類型。其中,類型A—C可以模擬建筑物、山脈等形成的陰影遮擋;類型D—F可以模擬浮云等透光度漸變的陰影遮擋;類型G可以模擬樹木、鳥群等形狀和透光度均不確定的陰影遮擋。

        圖3 仿真中的局部陰影類型Fig.3 Partial shade types for simulation

        通過調整圖3中陰影覆蓋的范圍和陰影處的輻照度,每種局部陰影類型又可以衍生出若干個局部陰影案例。本文仿真案例中,陰影處光照強度以100 W/m2為步長進行調整,根據光伏陣列規(guī)模,局部陰影案例數(shù)量為4000~15000個。

        3 MPP電壓分布特點分析

        3.1 MPP電壓分布位置

        如圖2所示,無陰影條件下,光伏陣列全局MPP對應的電壓和功率分別為Umax和Pmax;局部陰影條件下,光伏陣列的P-U輸出特性曲線上存在多個局部MPP,其對應的電壓分別記為Umkh,且滿足:

        其中,k 為局部陰影案例編號,k=1,2,…,Ns;h 為每個局部陰影案例中 MPP 的編號(h=1,2,…,Nk),那么所有陰影案例中MPP的數(shù)量為MPP處P-U函數(shù)滿足式(6),因此仿真中可以據此確定P-U特性曲線上MPP所處位置。

        光伏陣列在不同的局部陰影下,其MPP電壓將呈現(xiàn)不同的分布。圖4給出了規(guī)模為10×10的光伏陣列在圖3所示各種局部陰影條件下MPP數(shù)量相對于MPP電壓的柱狀分布統(tǒng)計圖。光伏陣列全電壓運行范圍(0~355.8 V)被均分為 100 個區(qū)間,圖 4 中橫坐標為每個電壓區(qū)間的中間值,MPP數(shù)量存在10個突增點(用“×”標出),突增點兩側MPP數(shù)量呈現(xiàn)快速遞減態(tài)勢。

        圖4 MPP電壓分布Fig.4 Distribution of MPP voltage

        表1列出了規(guī)模為10×10的光伏陣列的MPP數(shù)量突增點的電壓Um與無陰影情況下的MPP電壓Umax的對比。由表1可見,這些MPP電壓突增點較均勻地分布于Umax的10等分位置。對串聯(lián)數(shù)不同的光伏陣列進行分析,可以發(fā)現(xiàn)類似結果,即在Umax的M等分位置MPP分布較多。

        表1 MPP分布數(shù)量突增點的電壓值Tab.1 Voltage of points with distributed MPPs suddenly increased

        3.2 MPP 電壓間距

        如圖2所示,第k個局部陰影案例對應的P-U特性曲線上,存在Nk個MPP,相鄰MPP間的電壓間距記為 ΔUmkh,定義如式(7)所示。

        取基準電壓UB=Umax/M,則可以定義ΔUmkh的標幺值為:

        為了量化分析光伏陣列多峰P-U特性曲線上多個MPP之間的關系,定義ΔU*mkh大于x的概率PA(x)如式(9)所示。

        圖5是4個不同規(guī)模光伏陣列在局部陰影條件下的相鄰MPP電壓間距概率分布圖,表2列出了x在1附近時的PA典型值。

        圖5 概率PA分布圖Fig.5 Distribution of PA

        表2 PA的典型值Tab.2 Typical values of PA

        從圖5和表2中可以看出:

        a.P-U曲線上相鄰MPP電壓間距較大,超過95%的電壓間距大于0.5UB,超過90%的電壓間距大于 0.8UB;

        b.串聯(lián)組件數(shù)M相同、并聯(lián)組件串數(shù)N不同的光伏陣列具有相似的PA分布特點。

        3.3 全局MPP電壓分布

        圖6是概率PB的分布圖,表3列出了幾個典型的概率PB值。由圖6和表3可見:全局MPP電壓主要位于電壓軸右半側,即全局MPP電壓大于0.4MUB的概率大于94%,即94%以上的仿真案例中全局MPP電壓大于0.4Umax;串聯(lián)組件數(shù)M相同、并聯(lián)組件串數(shù)N不同的光伏陣列具有相似的概率PB分布特點。

        圖6 概率PB分布圖Fig.6 Distribution of PB

        表3 PB的典型值Tab.3 Typical values of PB

        4 MPP山峰分布特點

        4.1 局部陰影對多峰的影響

        如圖2所示,無局部陰影時,光伏陣列的輸出P-U曲線呈單峰;受局部陰影影響,光伏陣列的輸出P-U曲線可能呈現(xiàn)多峰,山峰數(shù)量受陰影影響。

        表4列出了各類局部陰影類型下,仿真案例中P-U曲線呈多峰(≥2)的統(tǒng)計結果,由此可見:

        a.形狀隨機的局部陰影(陰影類型C、G),出現(xiàn)多個山峰的概率普遍高于光照類型相同的規(guī)則形狀的局部陰影,例如隨機陰影類型C的多峰概率高于陰影類型A和B,隨機陰影類型G的多峰概率高于陰影類型D—F;

        b.每一串光伏組件的輻照度分布越不均勻,出現(xiàn)多個山峰的概率越高,例如隨機陰影類型E和F出現(xiàn)多個山峰的概率高于陰影類型D。

        表4 P-U特性曲線多峰比例Tab.4 Ratio of P-U curve with multiple peaks

        表5列出了各類局部陰影條件下MPP數(shù)量大于2的統(tǒng)計結果,具有與表4相似的特點。

        表5 P-U曲線山峰數(shù)大于2的比例Tab.5 Ratio of P-U curve with more than 2 peaks

        4.2 MPP功率變化趨勢分析

        全局MPP兩側局部MPP功率單調遞減,即在全局 MPP左側 dPmk/dUmk>0,而在全局 MPP右側dPmk/dUmk<0,其中 Pmk和 Umk分別表示第 k 個案例中的MPP功率和電壓。定義全局MPP兩側局部MPP功率單調遞減概率函數(shù)PC如式(11)所示。

        其中,Nm為MPP數(shù)量大于2的局部陰影案例數(shù)量;Nd為滿足全局MPP兩側局部MPP功率單調遞減的局部陰影案例數(shù)。

        選取山峰數(shù)大于2的局部陰影案例作進一步統(tǒng)計分析,統(tǒng)計結果列于表6中,表中εP為判別功率山峰的閾值,即P-U曲線上功率波動超過εP,則認為存在1個局部MPP。當εP取100 W(相當于10×10系統(tǒng)額定功率的0.5%)時,超過一半的局部陰影案例中,全局MPP兩側局部MPP功率單調遞減。適當?shù)靥岣擀臥,將增加具有該特性的局部陰影案例的所占比例。

        表6 概率PC統(tǒng)計結果Tab.6 Statistical results of PC

        4.3 全局MPP山峰分布特點

        圖2中,點O為原點,點S0由無陰影時光伏陣列的開路電壓Uoc和短路電流Isc定義,負載線OS0與第k個局部陰影案例的I-U特性曲線相交于Sk。Sk所在山峰的MPP功率和電壓記為Psmk、Usmk,將其與全局MPP電壓Ugmk和功率Pgmk進行對比,定義相對功率偏差ΔPmk如式(12)所示。

        其中,PN為STC下的光伏陣列額定功率。

        仿真分析Ns個局部陰影案例中光伏陣列的功率偏差,ΔPmk屬于區(qū)間R的陰影案例的概率PD如式(13)所示。

        概率PD的統(tǒng)計結果列于表7中,可以發(fā)現(xiàn):

        a.在超過85%的案例中,ΔPmk偏差小于1%,此時可近似認為Sk所在山峰即全局MPP山峰;

        b.少數(shù)案例中,交點Sk所在山峰MPP與全局MPP功率之間存在明顯功率偏差,但ΔPmk主要集中于1%~5%之間,超過15%的案例不足1%,屬于小概率事件。

        表7 概率PD統(tǒng)計結果Tab.7 Statistical results of PD

        為了進一步揭示ΔPmk>1%的Np個陰影案例中,交點Sk所在山峰與全局MPP山峰之間的關系,定義MPP電壓偏差概率PE如式(14)所示,其中分子表示的陰影案例數(shù)量。

        由圖7所示概率PE分布圖可知:80%以上案例中小于 3.5 M,60% 以上案例中小于 0.2 M。這說明,雖然Sk所在山峰不是全局MPP山峰,但兩者非常鄰近。因此,表7中除去相對功率偏差小于1%的案例可以忽略不計,剩余Np個案例的功率偏差普遍較小,主要集中于1%~5%。

        圖7 概率PE分布圖Fig.7 Distribution of PE

        此外,分析圖 3中各類局部陰影對功率偏差的影響后發(fā)現(xiàn),陰影類型C和E包含較高比例功率偏差大于1%的案例,其中功率偏差超過15%的案例集中在陰影類型E。

        5 統(tǒng)計結果對多峰MPPT的啟示

        在研究過程中,還測試了其他多組典型光伏組件參數(shù),得到的統(tǒng)計結果與上文基本一致?;趯Υ罅烤植筷幱鞍咐露鄠€光伏陣列的仿真和統(tǒng)計分析結果,在設計多峰MPPT算法時,有如下幾點可供借鑒。

        a.全局MPP山峰定位時,可以采用如圖2所示的負載線OS0,由4.3節(jié)可知其與I-U曲線的交點Sk具有較高的概率落在全局MPP山峰。每當局部陰影條件改變后,MPPT算法可根據OS0的斜率Isc/Uoc在I-U特性曲線上尋找全局MPP山峰。

        b.相鄰 MPP電壓間距通常大于 0.5UB,因此MPPT算法初步搜索的步長可以據此選擇以加快全局MPP的搜索速度。為了避免全局MPP附近的左右振蕩,可以融入變步長搜索和電導增量法的思想。

        c.全局MPP山峰兩側的局部MPP功率呈單調下降趨勢的概率較高。因此,MPPT搜索過程中若發(fā)現(xiàn)MPP功率隨電壓增大呈先增后降趨勢時,基本可認定全局MPP為已搜索區(qū)間的MPP最大值,文獻[20]中的MPPT算法就是據此設計的。

        d.全局MPP大部分位于電壓軸右半側,因此,如果將 MPPT 搜索范圍限制在 0.4Umax~Uoc,則可以顯著提高跟蹤速度,簡化MPPT算法,同時還能擁有較高的跟蹤準確度。

        基于上述策略組合設計出的MPPT算法,在確保較高跟蹤準確度的前提下,搜索范圍將大幅縮小,功率超調將顯著減少,可以顯著提高復雜陰影條件下光伏發(fā)電效率。

        6 結論

        本文基于常用串并聯(lián)光伏陣列數(shù)學模型,對局部陰影條件下光伏陣列MPP分布進行了大量仿真分析與統(tǒng)計,研究結果揭示了以下3個重要特征:

        a.多峰P-U曲線上相鄰MPP電壓間距一般大于 0.5UB,而且全局 MPP 電壓多數(shù)大于 0.5Umax;

        b.多數(shù)局部陰影案例中,P-U曲線上全局MPP兩側的局部MPP功率呈現(xiàn)單調遞減趨勢;

        c.無陰影時的短路電流與開路電壓之比是全局MPP山峰的有效辨識依據,準確率較高。

        據此,對多峰MPPT算法設計提出了幾點建議。如何與實際光伏陣列的局部陰影狀況相結合,進一步完善和評估已有的MPPT算法,提高局部陰影條件下的MPPT跟蹤精度和速度、改進跟蹤性能,是下一步需要繼續(xù)研究的內容。

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