于麗瑩

【摘要】本文介紹了一種高基頻晶體濾波器，通過(guò)采用倒臺(tái)面晶片實(shí)現(xiàn)高頻化，同時(shí)優(yōu)化設(shè)計(jì)工藝參數(shù)，使各項(xiàng)性能指標(biāo)要求滿足用戶要求。

【關(guān)鍵詞】高基頻倒臺(tái)面晶片晶體濾波器

晶體濾波器在接收機(jī)中起著信號(hào)選擇作用，是一種頻率控制器件。為了適應(yīng)市場(chǎng)的需求，我們研制了一種高基頻晶體濾波器。

一、技術(shù)指標(biāo)

標(biāo)稱(chēng)頻率：60MHz，3dB寬度：15.5kHz，帶內(nèi)波動(dòng)：≤2.0dB，矩形系數(shù)：BW60dB/BW3dB≤5，插入損耗：≤5dB，阻帶衰減：≥60dB，外形尺寸：24mm×13.5mm×7mm，工作溫度范圍：-55℃～85℃。

二、設(shè)計(jì)及方案確定

2.1方案論證

該產(chǎn)品通帶寬度為15.5kHz±1kHz，標(biāo)稱(chēng)頻率為60MHz，相對(duì)帶寬是0.025%，若采用三次泛音振動(dòng)模式，實(shí)現(xiàn)這個(gè)指標(biāo)需加展寬電路，鑒于體積所限很難滿足要求，同時(shí)展寬后矩形系數(shù)增大，不利于指標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。其次泛音晶體還存在寄生大的問(wèn)題。由以上分析可知，最好采用基頻振動(dòng)模式的晶片，傳統(tǒng)的研磨工藝最高只能實(shí)現(xiàn)45MHz，所以必須采用激光刻蝕倒臺(tái)面的晶片，即中間薄邊緣厚。

2.2電路設(shè)計(jì)

該濾波器要求阻帶衰減大于60dB，矩形系數(shù)小于5，從契比雪夫?yàn)V波器特性圖上直接查出n=4可滿足上述要求。因此選用四極點(diǎn)單片晶體濾波電路，見(jiàn)圖1。

2.3晶片設(shè)計(jì)

（1）石英晶片尺寸見(jiàn)圖2，（2）振動(dòng)模式：基頻；（3）切型：AT切35°17.5′±1′；（4）晶片內(nèi)臺(tái)區(qū)頻率61.260MHz，外臺(tái)區(qū)頻率22MHz。

2.4結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

內(nèi)部由2只兩極點(diǎn)單片晶體濾波器、3只耦合電容、1塊印制板、2各變量器組成，采用電阻焊封裝形式，晶體焊接時(shí)，金屬外殼直接與基座相焊接固定，實(shí)現(xiàn)大面積接地。

三、關(guān)鍵工藝

由于采用的是高基頻晶片，各工序工藝控制很關(guān)鍵。

（1）清洗工藝：該晶片的內(nèi)臺(tái)區(qū)厚度是0.027mm很薄，在清洗時(shí)不要相互撞擊摩擦，否則晶片很容易破碎。要求一次清洗數(shù)量少于20片，用酸洗液加熱煮沸2遍，再用去離子水加熱煮沸2遍，最后用無(wú)水乙醇超聲2min后取出用微波爐烘干。（2）點(diǎn)膠工藝：晶片與基座接地簧片處的膠點(diǎn)不允許涂到基座上，否則電阻焊封裝時(shí)使基座產(chǎn)生應(yīng)力，會(huì)導(dǎo)致變頻。（3）微調(diào)工藝：?jiǎn)纹w濾波器的頻率微調(diào)，包括對(duì)稱(chēng)頻率、反對(duì)稱(chēng)頻率、帶寬調(diào)整、中心頻率調(diào)整。微調(diào)機(jī)微調(diào)時(shí)微調(diào)孔的位置大小，直接影響濾波特性，實(shí)際操作中，盡量減小因微調(diào)源蒸發(fā)造成的散射，使電極面積擴(kuò)大，影響電阻和寄生。

四、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

五、結(jié)束語(yǔ)

本品是采用高基頻倒臺(tái)面晶片，方案設(shè)計(jì)科學(xué)合理，完全達(dá)到技術(shù)指標(biāo)要求。本品的開(kāi)發(fā)成功，為今后高基頻的進(jìn)一步發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

參考文獻(xiàn)

[1]李忠誠(chéng).現(xiàn)代晶體濾波器的設(shè)計(jì).國(guó)防工業(yè)出版社，1981年

[2]馮致禮，王之興.晶體濾波器.宇航出版社，1987年endprint

【摘要】本文介紹了一種高基頻晶體濾波器，通過(guò)采用倒臺(tái)面晶片實(shí)現(xiàn)高頻化，同時(shí)優(yōu)化設(shè)計(jì)工藝參數(shù)，使各項(xiàng)性能指標(biāo)要求滿足用戶要求。

【關(guān)鍵詞】高基頻倒臺(tái)面晶片晶體濾波器

晶體濾波器在接收機(jī)中起著信號(hào)選擇作用，是一種頻率控制器件。為了適應(yīng)市場(chǎng)的需求，我們研制了一種高基頻晶體濾波器。

一、技術(shù)指標(biāo)

標(biāo)稱(chēng)頻率：60MHz，3dB寬度：15.5kHz，帶內(nèi)波動(dòng)：≤2.0dB，矩形系數(shù)：BW60dB/BW3dB≤5，插入損耗：≤5dB，阻帶衰減：≥60dB，外形尺寸：24mm×13.5mm×7mm，工作溫度范圍：-55℃～85℃。

二、設(shè)計(jì)及方案確定

2.1方案論證

該產(chǎn)品通帶寬度為15.5kHz±1kHz，標(biāo)稱(chēng)頻率為60MHz，相對(duì)帶寬是0.025%，若采用三次泛音振動(dòng)模式，實(shí)現(xiàn)這個(gè)指標(biāo)需加展寬電路，鑒于體積所限很難滿足要求，同時(shí)展寬后矩形系數(shù)增大，不利于指標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。其次泛音晶體還存在寄生大的問(wèn)題。由以上分析可知，最好采用基頻振動(dòng)模式的晶片，傳統(tǒng)的研磨工藝最高只能實(shí)現(xiàn)45MHz，所以必須采用激光刻蝕倒臺(tái)面的晶片，即中間薄邊緣厚。

2.2電路設(shè)計(jì)

該濾波器要求阻帶衰減大于60dB，矩形系數(shù)小于5，從契比雪夫?yàn)V波器特性圖上直接查出n=4可滿足上述要求。因此選用四極點(diǎn)單片晶體濾波電路，見(jiàn)圖1。

2.3晶片設(shè)計(jì)

（1）石英晶片尺寸見(jiàn)圖2，（2）振動(dòng)模式：基頻；（3）切型：AT切35°17.5′±1′；（4）晶片內(nèi)臺(tái)區(qū)頻率61.260MHz，外臺(tái)區(qū)頻率22MHz。

2.4結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

內(nèi)部由2只兩極點(diǎn)單片晶體濾波器、3只耦合電容、1塊印制板、2各變量器組成，采用電阻焊封裝形式，晶體焊接時(shí)，金屬外殼直接與基座相焊接固定，實(shí)現(xiàn)大面積接地。

三、關(guān)鍵工藝

由于采用的是高基頻晶片，各工序工藝控制很關(guān)鍵。

（1）清洗工藝：該晶片的內(nèi)臺(tái)區(qū)厚度是0.027mm很薄，在清洗時(shí)不要相互撞擊摩擦，否則晶片很容易破碎。要求一次清洗數(shù)量少于20片，用酸洗液加熱煮沸2遍，再用去離子水加熱煮沸2遍，最后用無(wú)水乙醇超聲2min后取出用微波爐烘干。（2）點(diǎn)膠工藝：晶片與基座接地簧片處的膠點(diǎn)不允許涂到基座上，否則電阻焊封裝時(shí)使基座產(chǎn)生應(yīng)力，會(huì)導(dǎo)致變頻。（3）微調(diào)工藝：?jiǎn)纹w濾波器的頻率微調(diào)，包括對(duì)稱(chēng)頻率、反對(duì)稱(chēng)頻率、帶寬調(diào)整、中心頻率調(diào)整。微調(diào)機(jī)微調(diào)時(shí)微調(diào)孔的位置大小，直接影響濾波特性，實(shí)際操作中，盡量減小因微調(diào)源蒸發(fā)造成的散射，使電極面積擴(kuò)大，影響電阻和寄生。

四、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

五、結(jié)束語(yǔ)

本品是采用高基頻倒臺(tái)面晶片，方案設(shè)計(jì)科學(xué)合理，完全達(dá)到技術(shù)指標(biāo)要求。本品的開(kāi)發(fā)成功，為今后高基頻的進(jìn)一步發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

參考文獻(xiàn)

[1]李忠誠(chéng).現(xiàn)代晶體濾波器的設(shè)計(jì).國(guó)防工業(yè)出版社，1981年

[2]馮致禮，王之興.晶體濾波器.宇航出版社，1987年endprint

【摘要】本文介紹了一種高基頻晶體濾波器，通過(guò)采用倒臺(tái)面晶片實(shí)現(xiàn)高頻化，同時(shí)優(yōu)化設(shè)計(jì)工藝參數(shù)，使各項(xiàng)性能指標(biāo)要求滿足用戶要求。

【關(guān)鍵詞】高基頻倒臺(tái)面晶片晶體濾波器

晶體濾波器在接收機(jī)中起著信號(hào)選擇作用，是一種頻率控制器件。為了適應(yīng)市場(chǎng)的需求，我們研制了一種高基頻晶體濾波器。

一、技術(shù)指標(biāo)

標(biāo)稱(chēng)頻率：60MHz，3dB寬度：15.5kHz，帶內(nèi)波動(dòng)：≤2.0dB，矩形系數(shù)：BW60dB/BW3dB≤5，插入損耗：≤5dB，阻帶衰減：≥60dB，外形尺寸：24mm×13.5mm×7mm，工作溫度范圍：-55℃～85℃。

二、設(shè)計(jì)及方案確定

2.1方案論證

該產(chǎn)品通帶寬度為15.5kHz±1kHz，標(biāo)稱(chēng)頻率為60MHz，相對(duì)帶寬是0.025%，若采用三次泛音振動(dòng)模式，實(shí)現(xiàn)這個(gè)指標(biāo)需加展寬電路，鑒于體積所限很難滿足要求，同時(shí)展寬后矩形系數(shù)增大，不利于指標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。其次泛音晶體還存在寄生大的問(wèn)題。由以上分析可知，最好采用基頻振動(dòng)模式的晶片，傳統(tǒng)的研磨工藝最高只能實(shí)現(xiàn)45MHz，所以必須采用激光刻蝕倒臺(tái)面的晶片，即中間薄邊緣厚。

2.2電路設(shè)計(jì)

該濾波器要求阻帶衰減大于60dB，矩形系數(shù)小于5，從契比雪夫?yàn)V波器特性圖上直接查出n=4可滿足上述要求。因此選用四極點(diǎn)單片晶體濾波電路，見(jiàn)圖1。

2.3晶片設(shè)計(jì)

（1）石英晶片尺寸見(jiàn)圖2，（2）振動(dòng)模式：基頻；（3）切型：AT切35°17.5′±1′；（4）晶片內(nèi)臺(tái)區(qū)頻率61.260MHz，外臺(tái)區(qū)頻率22MHz。

2.4結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

內(nèi)部由2只兩極點(diǎn)單片晶體濾波器、3只耦合電容、1塊印制板、2各變量器組成，采用電阻焊封裝形式，晶體焊接時(shí)，金屬外殼直接與基座相焊接固定，實(shí)現(xiàn)大面積接地。

三、關(guān)鍵工藝

由于采用的是高基頻晶片，各工序工藝控制很關(guān)鍵。

（1）清洗工藝：該晶片的內(nèi)臺(tái)區(qū)厚度是0.027mm很薄，在清洗時(shí)不要相互撞擊摩擦，否則晶片很容易破碎。要求一次清洗數(shù)量少于20片，用酸洗液加熱煮沸2遍，再用去離子水加熱煮沸2遍，最后用無(wú)水乙醇超聲2min后取出用微波爐烘干。（2）點(diǎn)膠工藝：晶片與基座接地簧片處的膠點(diǎn)不允許涂到基座上，否則電阻焊封裝時(shí)使基座產(chǎn)生應(yīng)力，會(huì)導(dǎo)致變頻。（3）微調(diào)工藝：?jiǎn)纹w濾波器的頻率微調(diào)，包括對(duì)稱(chēng)頻率、反對(duì)稱(chēng)頻率、帶寬調(diào)整、中心頻率調(diào)整。微調(diào)機(jī)微調(diào)時(shí)微調(diào)孔的位置大小，直接影響濾波特性，實(shí)際操作中，盡量減小因微調(diào)源蒸發(fā)造成的散射，使電極面積擴(kuò)大，影響電阻和寄生。

四、實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

五、結(jié)束語(yǔ)

本品是采用高基頻倒臺(tái)面晶片，方案設(shè)計(jì)科學(xué)合理，完全達(dá)到技術(shù)指標(biāo)要求。本品的開(kāi)發(fā)成功，為今后高基頻的進(jìn)一步發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

參考文獻(xiàn)

[1]李忠誠(chéng).現(xiàn)代晶體濾波器的設(shè)計(jì).國(guó)防工業(yè)出版社，1981年

[2]馮致禮，王之興.晶體濾波器.宇航出版社，1987年endprint