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        一種基于反熔絲結(jié)構(gòu)的FPGA測(cè)試技術(shù)研究

        2014-10-11 03:16:50
        微處理機(jī) 2014年2期
        關(guān)鍵詞:功能測(cè)試熔絲端口

        耿 爽

        (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所,沈陽(yáng)110032)

        一種基于反熔絲結(jié)構(gòu)的FPGA測(cè)試技術(shù)研究

        耿 爽

        (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所,沈陽(yáng)110032)

        介紹了一種基于反熔絲結(jié)構(gòu)的FPGA電路結(jié)構(gòu)及特點(diǎn),闡述了該電路的功能、直流參數(shù)、交流參數(shù)的測(cè)試方法,并著重研究了該電路功能測(cè)試的測(cè)試要點(diǎn)及編程技巧。

        反熔絲;可編程;測(cè)試

        1 引 言

        反熔絲FPGA具有保密性強(qiáng)、功耗低、抗輻射能力強(qiáng)、耐高低溫等優(yōu)點(diǎn),因此反熔絲FPGA在保密通信產(chǎn)品中具有特殊應(yīng)用。由于反熔絲FPGA為一次性可編程器件,如何在未編程的情況下完成反熔絲FPGA功能及參數(shù)測(cè)試是反熔絲FPGA測(cè)試的關(guān)鍵。下面以我所研制的一款反熔絲FPGA產(chǎn)品為例,介紹反熔絲FPGA的測(cè)試技術(shù)。

        2 電路簡(jiǎn)介

        2.1 功能框圖

        該電路由可編程邏輯單元CELL、可編程輸入輸出單元I/O及互連資源組成。通過(guò)編程,實(shí)現(xiàn)用戶需要的邏輯功能。電路功能框圖如圖1所示。

        2.2 電路特點(diǎn)

        反熔絲控制的FPGA器件是用反熔絲單元來(lái)控制可編程器件內(nèi)可編程節(jié)點(diǎn)的通斷,使芯片中每一部分具有應(yīng)有的邏輯功能,以實(shí)現(xiàn)器件的設(shè)計(jì)功能。反熔絲單元是一個(gè)被動(dòng)的兩端器件中,通常情況下處于開(kāi)路狀態(tài),在施加充足的電壓后,介質(zhì)會(huì)被擊穿,把兩層導(dǎo)電材料連通,接通電阻小于1k歐姆。反熔絲在硅片上只占一個(gè)通孔的面積,在一個(gè)2000門的器件,可以設(shè)置186000個(gè)反熔絲,平均每門接近100個(gè)反熔絲。因此,反熔絲元件占用的硅片面積很小,十分適宜做集成度很高的可編程器件的編程元件。其特點(diǎn)是工作穩(wěn)定可靠,但只允許編程一次。

        圖1 電路功能框圖

        3 電路測(cè)試

        測(cè)試在集成電路的研制過(guò)程中起到了舉足輕重的作用。通過(guò)測(cè)試可以驗(yàn)證版圖,進(jìn)行故障定位。電路的測(cè)試包括功能測(cè)試、直流參數(shù)測(cè)試和交流參數(shù)測(cè)試三部分。其中,功能測(cè)試是電路測(cè)試的關(guān)鍵。

        3.1 功能測(cè)試

        電路的功能測(cè)試包括編程前功能測(cè)試和編程后功能測(cè)試。編程前功能測(cè)試包括器件ID測(cè)試、移位寄存器鏈測(cè)試、輸入/輸出端口測(cè)試、邏輯單元功能測(cè)試、反熔絲陣列查空測(cè)試。編程后功能測(cè)試按照編程電路的實(shí)際功能進(jìn)行測(cè)試。編程前功能測(cè)試是反熔絲FPGA功能測(cè)試的重點(diǎn)。

        (1)編程點(diǎn)狀態(tài)測(cè)試

        編程點(diǎn)狀態(tài)測(cè)試是電路出廠之前必須通過(guò)的檢查,包括ID讀取,反熔絲陣列檢查等測(cè)試,通過(guò)測(cè)試程序完成查空測(cè)試。

        反熔絲點(diǎn)數(shù)字信號(hào)檢測(cè)方法是通過(guò)下載測(cè)試指令,選擇相應(yīng)的反熔絲點(diǎn),加載一定的電壓,讀取相應(yīng)的信號(hào)狀態(tài),來(lái)判斷反熔絲點(diǎn)是否導(dǎo)通。

        (2)寄存器鏈測(cè)試

        通過(guò)SDI端口寫入測(cè)試數(shù)據(jù),以DCLK為時(shí)鐘,從PRA、PRB端口讀出相應(yīng)數(shù)據(jù)。

        (3)I/O輸出狀態(tài)測(cè)試

        通過(guò)下載測(cè)試指令,將通用I/O置成三態(tài)輸出狀態(tài)、“1”輸出狀態(tài)或“0”輸出狀態(tài),并進(jìn)行端口測(cè)試,判斷I/O端口的功能是否正確,每個(gè)I/O端口對(duì)應(yīng)一組測(cè)試碼點(diǎn)。

        (4)互聯(lián)通道測(cè)試

        互聯(lián)通道測(cè)試包括垂直通道和水平通道測(cè)試,是對(duì)通道內(nèi)的連線分段晶體管結(jié)構(gòu)的測(cè)試。

        (5)邏輯單元功能測(cè)試

        電路中有兩個(gè)專用的探測(cè)端口PRA和PRB(Action Peobes)。在測(cè)試模式下,選擇任何一個(gè)內(nèi)部邏輯模塊的輸出,通過(guò)專用的垂直互連線,輸出到PRA或PRB端口。通過(guò)這種方式,可以實(shí)現(xiàn)邏輯單元功能測(cè)試。

        上述測(cè)試碼點(diǎn)覆蓋了電路中的所有邏輯結(jié)構(gòu),按此測(cè)試程序,完成了電路的編程前功能測(cè)試。

        3.1.1 測(cè)試要點(diǎn)

        該電路編程前功能測(cè)試使用串行數(shù)據(jù)的測(cè)試方法,數(shù)據(jù)由SDI端口讀入,DCLK端口作為時(shí)鐘。數(shù)據(jù)下載到內(nèi)部邏輯和I/O模塊的輸入端,完成邏輯功能測(cè)試,結(jié)果通過(guò)PRA、PRB端口輸出。

        該電路的編程前功能測(cè)試使用串行時(shí)序,故編程時(shí)必須注意SDI、DCLK、PRA、PRB的時(shí)序關(guān)系。DCLK為輸入時(shí)鐘信號(hào),時(shí)鐘上升沿將SDI端口信號(hào)輸入、時(shí)鐘下降沿將數(shù)據(jù)輸出到PRA或PRB端口上。

        3.1.2 編程技巧

        因?yàn)榉慈劢zFPGA只能一次編程,因此編程前功能測(cè)試是檢驗(yàn)電路的關(guān)鍵。通過(guò)對(duì)電路邏輯的分析和仿真,實(shí)現(xiàn)了對(duì)電路內(nèi)部所有邏輯功能和邏輯結(jié)構(gòu)的100%覆蓋測(cè)試,如內(nèi)部寄存器鏈、IO端口、內(nèi)部邏輯單元、內(nèi)部互連線、反熔絲點(diǎn)狀態(tài)等,并開(kāi)發(fā)出了相應(yīng)的測(cè)試向量,全部測(cè)試向量有近萬(wàn)條。

        由于測(cè)試向量較多,根據(jù)測(cè)試的內(nèi)容不同進(jìn)行分類,將測(cè)試相同模塊的測(cè)試向量歸為一類,形成一個(gè)測(cè)試子程序,利用ETS770測(cè)試系統(tǒng)的MACRO命令在主程序中調(diào)用子程序,這樣減少了測(cè)試時(shí)間,提高了測(cè)試效率。測(cè)試語(yǔ)句如下:

        3.2 參數(shù)測(cè)試

        3.2.1 直流參數(shù)測(cè)試

        直流參數(shù)測(cè)試是按照器件詳細(xì)規(guī)范的要求,對(duì)所測(cè)項(xiàng)目施加相應(yīng)的測(cè)試條件,從而得出所測(cè)參數(shù)值。器件的直流參數(shù)如表1所示。

        3.2.2 交流參數(shù)測(cè)試

        Binning電路延遲是指通過(guò)Binning電路的特殊路徑輸入(BIN)到輸出(BOUT)的延遲。采用搜索法進(jìn)行測(cè)試。

        表1 直流參數(shù)

        4 結(jié)束語(yǔ)

        介紹了一種基于反熔絲結(jié)構(gòu)的FPGA電路的特點(diǎn)和測(cè)試技術(shù),并著重介紹了該電路功能測(cè)試的測(cè)試要點(diǎn)及編程技巧。其測(cè)試程序是在ETS770集成電路測(cè)試系統(tǒng)上調(diào)試開(kāi)發(fā)的,它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)版圖進(jìn)行快速驗(yàn)證和準(zhǔn)確的故障定位,從而縮短了電路設(shè)計(jì)周期,保證電路順利地研制成功。

        [1] Actel Corporation.RadHard/RadTolerant Programming Guide[S].Actel Corporation August,2001.

        [2] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)局.GB 3834-83半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理[S].中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社,2007.

        Research of Test Technology Based on Antifuse FPGA

        GENG Shuang
        (The 47th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Shenyang 110032,China)

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        Antifuse;Programmable;Test

        10.3969/j.issn.1002-2279.2014.02.005

        TN4

        B

        1002-2279(2014)02-0013-02

        耿爽(1974-),女,吉林省吉林市人,高級(jí)工程師,主研方向:集成電路測(cè)試技術(shù)。

        2013-09-6

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