蔣友芹 田文倩 尹曉明 王敬東 楊紅英

（蘇州大學(xué)醫(yī)學(xué)部放射醫(yī)學(xué)與防護學(xué)院/放射醫(yī)學(xué)及交叉學(xué)科研究院 蘇州 215123）

傳統(tǒng)放射生物學(xué)中的標靶理論認為細胞只有受到直接電離輻射，才會產(chǎn)生生物學(xué)效應(yīng)。然而，近幾十年來關(guān)于電離輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)和適應(yīng)性等現(xiàn)象的研究結(jié)果嚴重質(zhì)疑了該理論的準確性。旁效應(yīng)是指受照射細胞傳遞信號給未受照射細胞，從而使未受照射細胞發(fā)生一系列諸如基因表達改變[1-2]、基因突變[3-4]、DNA損傷[5-6]、細胞死亡[1,7]及惡性轉(zhuǎn)化[8]等的生物學(xué)改變。目前為止，大量體外[1,8]、體內(nèi)[9]證據(jù)證實了輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)的存在。傳統(tǒng)的適應(yīng)性描述的是當細胞先用一個小劑量照射后，再接受大劑量照射時變得具有抗性的現(xiàn)象，這個現(xiàn)象在體內(nèi)外均曾被觀察到[10-11]。

近年來有證據(jù)顯示電離輻射誘導(dǎo)的旁效應(yīng)和適應(yīng)性之間可能存在關(guān)聯(lián)[12]。輻射誘導(dǎo)的旁效應(yīng)細胞在受到大劑量照射時與適應(yīng)性現(xiàn)象中的細胞預(yù)先受過小劑量照射一樣變得具有抗性[13]。相反地，預(yù)先給予旁效應(yīng)細胞一個低劑量照射可使旁效應(yīng)不再出現(xiàn)[14]。然而這樣的關(guān)聯(lián)并非具有普適性。例如，研究發(fā)現(xiàn)輻射誘導(dǎo)的H460和A549旁效應(yīng)細胞的輻射敏感性反而增加了[15]。這些看似矛盾的結(jié)果表明深入研究旁效應(yīng)和適應(yīng)性之間的關(guān)系將有助于對這些現(xiàn)象分子機制的理解。

研究顯示轉(zhuǎn)化生長因子 β1(TGF-β1)可能在輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)現(xiàn)象中發(fā)揮著重要的調(diào)控作用[16-17]。加入TGF-β1抑制劑之后，T98G細胞輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)現(xiàn)象（微核形成和細胞存活能力）消失了[16-17]，提示受照射細胞釋放出的 TGF-β1信號因子可能作用于旁效應(yīng)細胞，誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞產(chǎn)生自由基，從而導(dǎo)致 DNA損傷[16]。但是 TGF-β1是否也在適應(yīng)性中發(fā)揮重要作用卻鮮有報道。另外，錳超氧化物歧化酶(SOD2)被發(fā)現(xiàn)參與了傳統(tǒng)適應(yīng)性反應(yīng)的發(fā)生[18]。因此本研究以H1299人非小細胞肺癌細胞為研究對象，研究輻射誘導(dǎo)的旁效應(yīng)細胞是否存在適應(yīng)性的現(xiàn)象，并探討TGF-β1信號通路和SOD2在此過程中可能發(fā)揮的作用。

1 材料與方法

1.1 材料和試劑

人非小細胞肺癌細胞H1299購自中國科學(xué)院上海生命科學(xué)研究院細胞庫；胎牛血清購自美國Hyclone公司；RPMI1640培養(yǎng)基、丙酮酸鈉、二甲基亞砜(Dimethyl sulfoxide, DMSO)和TGF-βR1抑制劑(SB431542)購自美國Sigma-Aldrich公司；HEPES緩沖液購自中國南京旋光科技有限公司；青霉素-鏈霉素、胰酶消化液和抗辣根過氧化物酶標記山羊抗小鼠IgG(H+L)購自中國碧云天生物技術(shù)研究所；抗SOD2小鼠單克隆抗體購自美國BD公司；化學(xué)發(fā)光劑(ECL)購自美國Bio-Rad公司。

1.2 方法

1.2.1 細胞培養(yǎng)和輻照

H1299細胞以適當比例接種于含有10%胎牛血清、2.5g·L–1葡萄糖、1 mmol·L–1丙酮酸鈉、100 U·mL–1青霉素、100 μg·mL–1鏈霉素及 1 mmol·L–1HEPES (pH 7.2)的 RPMI1640培養(yǎng)液中，放置于37 ℃、含5% CO2、飽和濕度的培養(yǎng)箱中培養(yǎng)，隔天換液。

細胞在 20℃下采用美國 RAD SOURCE RS2000 X-射線機進行照射，能量為160 kVp，距離為40 cm，劑量率為1.16 Gy·min–1。用來提取照射條件培養(yǎng)液的細胞吸收劑量為5 Gy，用來研究輻射適應(yīng)性的吸收劑量為2 Gy。

1.2.2 條件培養(yǎng)液的提取

本文采用培養(yǎng)液轉(zhuǎn)移法獲得經(jīng)培養(yǎng)液介導(dǎo)的輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞。取100–120萬個細胞接種于100mm的培養(yǎng)皿中，培養(yǎng)24 h后，更換新鮮的培養(yǎng)液并用X-射線照射，劑量為5 Gy。繼續(xù)培養(yǎng)1 h或18 h后，收集培養(yǎng)液并用無菌過濾器(Ф 0.22 μm)過濾以去除細胞碎片。為方便起見，在本文中提供旁效應(yīng)信號的照射細胞被稱為信號細胞，接收條件培養(yǎng)液處理的未照射細胞被稱為旁效應(yīng)細胞。照射后1 h和18 h收集的條件培養(yǎng)液分別被稱為1 h照射條件培養(yǎng)液(1 h RCM)和 18 h照射條件培養(yǎng)液(18h RCM)。相對應(yīng)的未照射組被稱為未照射條件培養(yǎng)液(1 h SCM和18 h SCM)。另外，采用新鮮培養(yǎng)液作為空白對照(Control)。

1.2.3 克隆形成實驗

取對數(shù)生長期的細胞制成單細胞懸液接種于60mm的培養(yǎng)皿中，每皿分別接種100個細胞，每個處理組設(shè)3個平行樣。24 h后，去除原培養(yǎng)液，分別更換為新鮮培養(yǎng)液、1 h RCM、1 h SCM、18 h RCM或18 h SCM，繼續(xù)培養(yǎng)13 d之后，棄培養(yǎng)液，用PBS快速洗3遍，甲醇固定15 min、亞甲基藍染色30 min，用清水將培養(yǎng)皿洗凈晾干。于顯微鏡下計數(shù)含50個細胞以上的細胞集落?？寺⌒纬陕屎图毎寺〈婊盥拾慈缦鹿接嬎悖嚎寺⌒纬陕?%) =（克隆數(shù)/接種細胞數(shù)）×100%；細胞克隆存活率 =處理組克隆形成率/對照組克隆形成率。

1.2.4 Western Blotting檢測旁效應(yīng)細胞的SOD2表達水平

旁效應(yīng)細胞經(jīng)過1 h RCM、1 h SCM、18 h RCM或18 h SCM培養(yǎng)3 h或5 h后，用預(yù)冷的PBS溶液沖洗 3遍，加入適量細胞裂解液（0.1%曲拉通X-100、10 mmol·L–1Tris (pH 7.4)、10%甘油、150 mmol·L–1氯化鈉、5 mmol·L–1EDTA、1 mmol·L–1原釩酸鈉、1 mmol·L–1苯甲基磺酰氟(PMSF)和 0.1%蛋白酶抑制劑），在4 ℃裂解30 min后，13000×g 4 ℃離心10 min，取上清，并用Bradford蛋白定量方法測定蛋白濃度。取適量樣品并加入 1/4體積的5×SDS-PAGE上樣緩沖液，95 ℃加熱5 min使蛋白變性。然后用12%的SDS-PAGE凝膠電泳分離蛋白(200 V, 30-60 min)。等到蛋白分離完成后，將蛋白轉(zhuǎn)膜至PVDF膜(100 mA, 2 h)。膜用含5%脫脂奶粉的 TBST(100 mmol·L–1Tris-HCl/pH7.5, 0.9% NaCl,0.1% Tween-20)進行非特異性封閉。加入抗 SOD2小鼠單克隆抗體4℃孵育過夜，膜用TBST溶液清洗3遍，加入二抗辣根過氧化物酶標記山羊抗小鼠IgG(H+L)室溫孵育45 min。膜用TBST清洗3遍，加入化學(xué)發(fā)光劑(ECL)，用多功能激光掃描成像系統(tǒng)（美國Amersham公司Typhoon 9410）進行曝光成像。

1.2.5 統(tǒng)計學(xué)方法

所有數(shù)據(jù)都是至少3次獨立實驗的平均，并用均數(shù)加減標準誤差表示（±s)。采用Origin 8.0軟件的 Student’s T檢驗進行組與組間的比較分析，p<0.05被認為兩組間的差異有統(tǒng)計學(xué)意義。

2 結(jié)果

2.1 各條件培養(yǎng)液對旁效應(yīng)細胞的克隆存活率無影響

本研究采用培養(yǎng)液轉(zhuǎn)移的方法，檢測了X-射線誘導(dǎo) H1299旁效應(yīng)細胞的克隆形成能力的改變情況。如圖1所示，與正常對照組相比，1 h 和18 h收集的未照射條件培養(yǎng)液并未改變旁效應(yīng)細胞的克隆形成能力，且這兩個時間點收集的照射條件培養(yǎng)液也未改變旁效應(yīng)細胞的克隆存活率，提示X-射線不能誘導(dǎo)經(jīng)培養(yǎng)液介導(dǎo)的H1299旁效應(yīng)細胞克隆能力的改變。

2.2 H1299旁效應(yīng)細胞對X-射線照射出現(xiàn)適應(yīng)性

本研究探討了用照射和未照射條件培養(yǎng)液培養(yǎng)的H1299旁效應(yīng)細胞，經(jīng)2 Gy的X-射線照射后，其細胞克隆存活率的改變情況。如圖2a所示，與未受照射細胞相比，H1299細胞直接接受2 Gy照射后其克隆存活率降低了14% (p<0.01)；但如果細胞先在培養(yǎng)過未受照射 H1299細胞的條件培養(yǎng)液(1 h SCM)中培養(yǎng)24 h后再接受照射，其克隆存活率與未受照細胞相比只降低了4% (p=0.085)，與直接照射細胞相比卻增加了12% (p<0.01)；而細胞如果先在培養(yǎng)過受照 H1299細胞的照射條件培養(yǎng)液(1 h RCM)中培養(yǎng)24 h后再接受照射，其克隆存活率竟超過了未受照射細胞，增加了約5% (p=0.068)，與直接照射細胞相比增加了22% (p=0.012)。并且，用長時間培養(yǎng)過未受照和受照H1299細胞的條件培養(yǎng)液(18 h SCM和18 h RCM)培養(yǎng)后再接受照射，細胞的克隆存活率進一步增加，與未受照細胞相比，分別增加了20%和31%，比直接照射細胞分別增加了38%和 52%（圖 2b）。有意思的是，無論照后 1 h還是18 h收集的條件培養(yǎng)液，RCM培養(yǎng)過的細胞與 SCM 培養(yǎng)過的細胞相比，其受照后克隆存活率都約高10%。這些結(jié)果提示H1299旁效應(yīng)細胞經(jīng)未照射條件培養(yǎng)液培養(yǎng)后出現(xiàn)了對輻射的適應(yīng)性，而照射條件培養(yǎng)液進一步增加了這種適應(yīng)性，并且該適應(yīng)性的大小與收集條件培養(yǎng)液的時間有關(guān)。

圖1 H1299旁效應(yīng)細胞經(jīng)條件培養(yǎng)液(1 h SCM、1 h RCM、18 h SCM或18 h RCM)培養(yǎng)后的克隆存活率Fig.1 The clonogenic cell survival of H1299 unirradiated bystander cells cultured in SCM or RCM harvested at 1 h or 18h post-irradiation

圖2 接受不同處理的H1299細胞受照后的克隆存活能力：(a) 1 h 條件培養(yǎng)液培養(yǎng)24 h后加照2 Gy；(b) 18 h條件培養(yǎng)液培養(yǎng)24 h后加照2 Gy(*代表兩組相比，p<0.05)Fig.2 The survival fraction of H1299 bystander cells irradiated with 2 Gy X-rays after cultured in 1 h conditioned medium (a)or 18 h conditioned medium (b) for 24 h (*p<0.05 vs. relative controls)

2.3 H1299旁效應(yīng)細胞的輻射適應(yīng)性與 TGF-β1信號通路相關(guān)

為了探討 TGF-β1信號通路是否參與了輻射誘導(dǎo)H1299旁效應(yīng)細胞的輻射適應(yīng)性，我們在照射前用 10 μmol·L–1TGF-βR1 抑制劑(SB431542)預(yù)處理信號細胞1 h或收集條件培養(yǎng)液后直接將SB431542加入到條件培養(yǎng)液中，然后用與上述相同的方法培養(yǎng)旁效應(yīng)細胞，觀察SB431542對輻射誘導(dǎo)H1299旁效應(yīng)細胞輻射適應(yīng)性的影響。10 μmol·L–1的SB431542對H1299細胞的短期增殖和長期克隆形成均無顯著影響，SB431542聯(lián)合2 Gy照射與單獨照射相比，也未造成克隆形成率的顯著降低（未發(fā)表數(shù)據(jù)）。圖3顯示，當信號細胞在照前用SB431542預(yù)處理1 h后，1 h SCM培養(yǎng)過的旁效應(yīng)細胞經(jīng)2 Gy照射，其克隆存活率比直接照射組低7% (p=0.34)，比未加SB431542組降低了20% (p =0.02)；1 h RCM培養(yǎng)過的旁效應(yīng)細胞經(jīng)2 Gy照射，其克隆存活率比直接照射組低11% (p=0.03)，比未加SB431542組降低了32% (p<0.01)。SCM組與RCM組間無顯著性差異；而用18 h SCM和18 h RCM培養(yǎng)過的旁效應(yīng)細胞經(jīng)照射，其克隆率與直接照射組之間無統(tǒng)計學(xué)差異，卻比未加 SB431542組分別降低了 19%和30%，并且SCM組和RCM組間也沒有顯著差異。這些結(jié)果顯示當用SB431542抑制了信號細胞中的TGF-β1通路后，條件培養(yǎng)液誘導(dǎo)H1299旁效應(yīng)細胞的輻射適應(yīng)性消失了。另一方面，當 SB431542直接加到條件培養(yǎng)液中后，1 h條件培養(yǎng)液培養(yǎng)過的H1299旁效應(yīng)細胞經(jīng)2 Gy照射后，其克隆率仍較直接照射組高，與未加SB431542組無顯著差異，并且 SCM 和 RCM 組間仍有 13%的差異，顯示用SB431542抑制旁效應(yīng)細胞自身的TGF-β1通路并不影響1 h條件培養(yǎng)液誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞的輻射適應(yīng)性；然而，用含有SB431542的18 h SCM和18 h RCM培養(yǎng)過的H1299旁效應(yīng)細胞經(jīng)2 Gy照射后，其克隆存活率較未加 SB431542組分別降低了 28%和18%，18 h SCM組甚至降至直接照射組水平，但是18 h SCM組和18 h RCM組間差異增大至24%，提示用SB431542抑制旁效應(yīng)細胞自身的TGF-β1通路消除了未照射條件培養(yǎng)液誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞的輻射適應(yīng)性，但卻增加了照射條件培養(yǎng)液和未照射條件培養(yǎng)液之間的差異。所有這些結(jié)果表明信號細胞和旁效應(yīng)細胞中的TGF-β1信號通路對H1299旁效應(yīng)細胞的輻射適應(yīng)性有著重要的調(diào)控作用。

圖3 TGF-βR1抑制劑(SB431542)對X-射線誘導(dǎo)H1299旁效應(yīng)細胞輻射適應(yīng)性的影響（*代表兩組相比，p<0.05）Fig.3 The effects of SB431542 on the radiation adaptive response in bystander cells after cultured in conditioned medium harvested at 1 h and 18 h post-irradiation

2.4 照射條件培養(yǎng)液誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞SOD2表達水平下降

我們通過western blotting檢測了各條件培養(yǎng)液培養(yǎng)旁效應(yīng)細胞3 h和5 h后細胞中SOD2的表達情況。如圖4所示，1 h RCM培養(yǎng)3 h和5 h后，H1299旁效應(yīng)細胞SOD2的表達水平均降低了；18 h RCM培養(yǎng)3 h后，H1299旁效應(yīng)細胞SOD2表達水平?jīng)]有明顯改變，但是培養(yǎng)5 h后，H1299旁效應(yīng)細胞SOD2表達水平發(fā)生了明顯的下降。

圖4 采用Western Blotting 檢測各條件培養(yǎng)液培養(yǎng)3 h和5 h后，H1299旁效應(yīng)細胞中SOD2表達水平改變情況Fig.4 The alterations of SOD2 expression in bystander cells cultured in conditioned medium harvested at different times post-irradiation for 3 h and 5 h, respectively, which was determined by Western Blotting

3 討論

本研究證實雖然 X-射線不能影響 H1299旁效應(yīng)細胞的克隆存活能力，卻可以降低旁效應(yīng)細胞的輻射敏感性，即旁效應(yīng)細胞出現(xiàn)了輻射適應(yīng)性。具體表現(xiàn)為與未照射培養(yǎng)液和未處理細胞相比，在照后1 h或18 h 收集的照射條件培養(yǎng)液均不能改變H1299旁效應(yīng)細胞的克隆存活率（圖1）。然而有趣的是，旁效應(yīng)細胞經(jīng)未照射條件培養(yǎng)液培養(yǎng)后加照2 Gy，其克隆存活率竟比單獨照射組的高（圖2），提示未照射條件培養(yǎng)液可在H1299細胞中誘導(dǎo)適應(yīng)性反應(yīng)，換句話說，H1299細胞自身就可釋放某種信號因子給接收細胞使其產(chǎn)生輻射抗性；旁效應(yīng)細胞經(jīng)照射條件培養(yǎng)液培養(yǎng)后加照2 Gy，其克隆存活率不僅較單獨照射組高，并且顯著高于未照射條件培養(yǎng)液組（圖2），表明X-射線誘導(dǎo)的H1299旁效應(yīng)細胞出現(xiàn)了適應(yīng)性反應(yīng)，也即是X-射線誘導(dǎo)受照細胞產(chǎn)生信號因子，從而使旁效應(yīng)細胞的輻射敏感性降低。這與文獻[15]報道的結(jié)果不一致，該研究顯示與接受未照射培養(yǎng)液處理后加照2 Gy的細胞相比，H460和A549細胞在接受其照射條件培養(yǎng)液處理后加照2 Gy，其克隆存活率顯著降低，即旁效應(yīng)細胞未發(fā)生適應(yīng)性反應(yīng)。巧合的是H460細胞和A549細胞剛好都具有野生型的tp53，而H1299細胞的tp53是突變型的。tp53是否在輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞的適應(yīng)性中發(fā)揮某種作用需要進一步研究。這些結(jié)果與傳統(tǒng)的適應(yīng)性反應(yīng)不相同，有研究發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)的適應(yīng)性反應(yīng)發(fā)生在野生型tp53的細胞中，而不發(fā)生在突變型tp53的細胞中[20]。這些提示旁效應(yīng)細胞的輻射適應(yīng)性與傳統(tǒng)的輻射適應(yīng)性可能不同。另外令人驚訝的是，旁效應(yīng)細胞接受2 Gy的X-射線照射后，其克隆形成率居然大于未處理細胞。研究發(fā)現(xiàn)，H1299細胞含有81.3%的CD44陽性細胞，而這些細胞同時表達多能性和間質(zhì)轉(zhuǎn)換的標志物，具有干細胞的自我更新和分化潛能的特點，成瘤效率較CD44陰性細胞高，對順鉑具有抗性，并且長期的順鉑處理將導(dǎo)致 CD44+細胞的比例增加到96.2%[21]；另一方面，2 Gy的γ-射線照射可以促進異質(zhì)非干細胞腫瘤細胞群中腫瘤干細胞的形成[22]。因此我們推測所觀察到的克隆形成率增加的原因可能是在此條件下，2 Gy的X-射線照射增加了旁效應(yīng)H1299細胞中CD44陽性細胞的數(shù)目。該推測需要進一步的驗證。

我們已有的數(shù)據(jù)證實 X-射線在 H1299細胞中誘導(dǎo)的旁效應(yīng)產(chǎn)生過程中，受照信號細胞和旁效應(yīng)細胞的 TGF-β1信號通路都被激活，并且對旁效應(yīng)的各個終點（DNA損傷、ROS水平及細胞增殖等）的產(chǎn)生發(fā)揮著關(guān)鍵的調(diào)控作用（未發(fā)表數(shù)據(jù)）。本研究顯示 TGF-β1信號通路對輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞的適應(yīng)性反應(yīng)起著復(fù)雜的作用。當信號細胞的TGF-β1信號通路被抑制后，條件培養(yǎng)液誘導(dǎo)的適應(yīng)性不再產(chǎn)生，輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞的適應(yīng)性也消失了。這些結(jié)果表明信號細胞中的 TGF-β1信號通路對旁效應(yīng)細胞適應(yīng)性反應(yīng)的發(fā)生起著非常關(guān)鍵的作用。這些結(jié)果提示所觀察到的適應(yīng)性反應(yīng)的確是由旁效應(yīng)介導(dǎo)的，所以一旦通過抑制信號細胞的 TGF-β1通路來抑制旁效應(yīng)后，旁效應(yīng)細胞的適應(yīng)性就不再發(fā)生了。另一方面，當旁效應(yīng)細胞的 TGF-β1通路被抑制后，1 h收集的條件培養(yǎng)液誘導(dǎo)的適應(yīng)性仍然存在，而18 h收集的條件培養(yǎng)液誘導(dǎo)的適應(yīng)性都降低了，但照射條件培養(yǎng)液與未照射條件培養(yǎng)液之間的差異卻增大了，提示旁效應(yīng)細胞的 TGF-β1通路在不同時間點提取的條件培養(yǎng)液誘導(dǎo)的適應(yīng)性反應(yīng)中發(fā)揮的作用不相同，并且可能還有別的關(guān)鍵通路參與了旁效應(yīng)細胞適應(yīng)性反應(yīng)這一過程。這些結(jié)果提示旁效應(yīng)細胞的適應(yīng)性與傳統(tǒng)適應(yīng)性可能源于不同的機制，因為研究發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)適應(yīng)性的發(fā)生與TGF-β無關(guān)[23]。

表明輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞的適應(yīng)性與傳統(tǒng)的適應(yīng)性不同的另一個證據(jù)是旁效應(yīng)細胞中SOD2的表達。在傳統(tǒng)適應(yīng)性反應(yīng)中，低劑量電離輻射預(yù)處理細胞后導(dǎo)致SOD2表達上升[18]，從而介導(dǎo)了適應(yīng)性的發(fā)生；但本研究發(fā)現(xiàn)旁效應(yīng)細胞經(jīng)照射條件培養(yǎng)液培養(yǎng)3 h 或5 h后，其胞內(nèi)SOD2表達水平卻下降了。我們已有的數(shù)據(jù)顯示 1 h RCM 可以引起H1299旁效應(yīng)細胞的miR-21表達增加，18 h RCM卻導(dǎo)致H1299旁效應(yīng)細胞miR-21表達下降（未發(fā)表數(shù)據(jù)）。而 miR-21可以通過 TNF-α間接調(diào)控SOD2[19]。因此miR-21表達的變化可能是本研究觀察到的 SOD2表達下降的一個主要原因。但 1 h RCM和18 h RCM引起H1299旁效應(yīng)細胞中miR-21不同的改變，卻都引起了SOD2表達的降低，其中一個可能的解釋是因為檢測時間點的不同導(dǎo)致的，另一個可能的解釋是SOD2還有別的調(diào)控機制。這些結(jié)果提示，SOD2可能未參與輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞適應(yīng)性反應(yīng)的發(fā)生，但這一結(jié)論還需要進一步的直接證據(jù)。

總之，本研究證實了電離輻射誘導(dǎo)的旁效應(yīng)和適應(yīng)性之間存在關(guān)聯(lián)。伴隨著H1299旁效應(yīng)細胞中SOD2表達水平的下降，X-射線誘導(dǎo)的H1299旁效應(yīng)細胞受照后發(fā)生了適應(yīng)性反應(yīng)；并且該適應(yīng)性的發(fā)生依賴于信號細胞中的 TGF-β1信號通路，而旁效應(yīng)細胞中的 TGF-β1信號通路發(fā)揮的作用比較復(fù)雜，與照后收集條件培養(yǎng)液的時間有關(guān)。研究結(jié)果還顯示電離輻射誘導(dǎo)的旁效應(yīng)信號可作為一個類似小劑量照射的傳統(tǒng)適應(yīng)性中的誘導(dǎo)劑，但輻射誘導(dǎo)旁效應(yīng)細胞的適應(yīng)性卻不同于傳統(tǒng)適應(yīng)性，表現(xiàn)為SOD2和 TGF-β1信號通路在兩種現(xiàn)象中的調(diào)控作用不同。

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