劉憲華, 石瀟璇, 楊嬌鳳, 米 瑪
(1.天津大學(xué) 環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院,天津 300072;
2.西藏自治區(qū)環(huán)境監(jiān)測(cè)中心站,西藏 拉薩 850000)
表面等離子體共振(surface plasmon resonance,SPR)傳感技術(shù)作為一種生化檢測(cè)方法,可以實(shí)時(shí)在線檢測(cè),無(wú)需標(biāo)記待測(cè)物,耗樣量少[1],但由于SPR生物傳感器設(shè)備體積大,價(jià)格昂貴,對(duì)溫度等實(shí)驗(yàn)條件要求嚴(yán)格,真正高精度自動(dòng)化的商業(yè)檢測(cè)裝置難以推廣[2]。局域表面等離子體共振(localized surface plasmon resonance,LSPR)技術(shù)不僅繼承了SPR技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),而且克服了SPR技術(shù)的不足,裝置小型化,成本低廉,受溫度等實(shí)驗(yàn)條件的影響小[3]。LSPR在生物傳感器方面的應(yīng)用受到越來(lái)越多的關(guān)注,包括利用膠體聚集的生物傳感器用于蛋白識(shí)別[4]和酶活性探測(cè)[5]以及用于檢測(cè)抗原—抗體識(shí)別[6,7],激素藥物檢測(cè)[8,9]。透射光譜檢測(cè)方法是LSPR生物傳感器常用的檢測(cè)方法之一,可以直接在比色皿中進(jìn)行檢測(cè)。它的缺點(diǎn)是每次檢測(cè)時(shí)LSPR芯片位置會(huì)發(fā)生改變,導(dǎo)致檢測(cè)結(jié)果不準(zhǔn)確。將檢測(cè)池設(shè)計(jì)成為流動(dòng)池,能夠避免檢測(cè)過(guò)程中換樣時(shí)芯片移動(dòng)產(chǎn)生的誤差。但是先制備芯片后檢測(cè),步驟繁瑣,穩(wěn)定性差的問(wèn)題依然存在。
本文主要是針對(duì)上述LSPR傳感器系統(tǒng)芯片制備過(guò)程繁瑣、制備與檢測(cè)相互孤立等缺點(diǎn),將電化學(xué)沉積法應(yīng)用于LSPR芯片的制備,設(shè)計(jì)一種操作簡(jiǎn)單、小型化的原位制備LSPR芯片和用于檢測(cè)的一體化的免標(biāo)記LSPR生物傳感器裝置。
LSPR是Au,Ag,Pt等貴金屬納米粒子傳感性質(zhì)的一種光譜表現(xiàn)形式,金屬納米粒子表面大量活躍的自由電子被入射光照射,發(fā)生集體振蕩,當(dāng)入射光頻率與自由電子集體振蕩頻率相當(dāng)時(shí),產(chǎn)生共振,入射光被強(qiáng)烈吸收,在紫外可見(jiàn)光光譜上表現(xiàn)為出現(xiàn)明顯的特征吸收峰。研究表明,納米粒子的組成、尺寸、形狀和周?chē)橘|(zhì)折射率等因素均會(huì)影響LSPR性質(zhì)[10]。LSPR傳感器即是利用Ag納米粒子的LSPR對(duì)外圍介質(zhì)變化的敏感性制備的。通過(guò)計(jì)算機(jī)采集光譜數(shù)據(jù),并進(jìn)行處理分析,獲得所需信息,達(dá)到檢測(cè)目的。
原位制備檢測(cè)LSPR生物傳感器分為兩部分:芯片電沉積系統(tǒng);原位檢測(cè)系統(tǒng)(如圖1)。芯片電沉積系統(tǒng)由電化學(xué)工作站組成;原位檢測(cè)系統(tǒng)由光源系統(tǒng)、傳感系統(tǒng)、光譜分析系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)組成,光源系統(tǒng)由氘燈和鎢燈提供紫外光和可見(jiàn)光光源,傳感系統(tǒng)由光學(xué)樣品流動(dòng)池組成,光譜分析系統(tǒng)由光譜儀組成,數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)由電腦和相關(guān)處理軟件組成。其中,傳感系統(tǒng)是整個(gè)傳感器的核心部分,也是整合制備和檢測(cè)的關(guān)鍵部分。
圖1 傳感器芯片原位制備與檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)示意圖
圖2是傳感系統(tǒng)中光學(xué)樣品流動(dòng)池的半剖結(jié)構(gòu)圖,光纖連接裝置連接光纖和樣品流動(dòng)池,芯片插入芯片插口,覆蓋墊圈,光纖接口裝置在螺紋中緩慢推移芯片,使芯片與墊圈完全接觸密封,樣品池為圓柱形,樣品池的另一端為石英玻璃,整個(gè)樣品池空間密封,在石英片與另一光纖連接裝置之間有一段空白區(qū)域,防止光纖連接裝置擠壓石英片影響密封,另一光纖連接裝置也與光纖相連。樣品由蠕動(dòng)泵勻速進(jìn)樣,從進(jìn)樣口進(jìn)入流動(dòng)池,出樣口流出,進(jìn)樣通道與樣品池下底面相切,Pt絲電極與進(jìn)樣通道相接觸,Pt絲設(shè)計(jì)為螺旋狀,以增加接觸面積。出樣通道與樣品池頂部相切,甘汞電極與出樣口相接觸。另有2個(gè)圓柱形塞子,可在不使用Pt絲電極與甘汞電極時(shí)替代電極,密封樣品池空間。樣品池厚度僅為3 mm,有效地縮短了光程。
圖2 光學(xué)樣品流動(dòng)池半剖結(jié)構(gòu)圖
LSPR生物傳感器芯片原位制備檢測(cè)的過(guò)程如圖3所示。一般選擇氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)導(dǎo)電玻璃做基底芯片,先以基底芯片在水中的光譜線做參比,然后通入電解液,在一定條件下電沉積法在ITO層表面自組裝納米粒子,并測(cè)得吸光光譜圖,做基準(zhǔn)值。如果只是簡(jiǎn)單地測(cè)周?chē)橘|(zhì)折射率的改變,可直接通入不同折射率的溶液,記錄吸光光譜的變化即可;如果做復(fù)雜的蛋白質(zhì)、DNA、生物小分子等的檢測(cè),待檢測(cè)物與納米粒子無(wú)法直接作用,則需要進(jìn)一步地修飾LSPR芯片表面來(lái)達(dá)到檢測(cè)的目的。最后由相關(guān)的光譜分析軟件實(shí)時(shí)記錄和分析所得數(shù)據(jù)。整個(gè)過(guò)程制備檢測(cè)一體化,實(shí)時(shí)快速便捷,無(wú)需移動(dòng),有效地減少了繁瑣的步驟和移動(dòng)帶來(lái)的干擾。
圖3 LSPR生物傳感器芯片原位制備與測(cè)試過(guò)程示意圖
該LSPR生物傳感器也適用于傳統(tǒng)的先制備好芯片后進(jìn)行檢測(cè),只需使用另外的2個(gè)圓柱形塞子代替Pt絲電極和甘汞電極密封樣品池空間,其余步驟類(lèi)似。整個(gè)檢測(cè)過(guò)程中,芯片位置不需要移動(dòng),同樣地顯示出其原位檢測(cè)的優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)驗(yàn)選用ITO層厚度為25±5 nm的ITO導(dǎo)電玻璃。將ITO導(dǎo)電玻璃切割成120 mm×20 mm的長(zhǎng)方形,在丙酮、乙醇、超純水中分別超聲清洗10 min,氮?dú)獯蹈伞⑶逑春玫腎TO導(dǎo)電玻璃安裝在LSPR傳感器裝置中,導(dǎo)電的一面朝向樣品流動(dòng)池。通入含2 mmol/L AgNO3和0.5 mol/L H2SO4的水溶液電解液,Pt絲做對(duì)電極,甘汞電極做參比電極,使用電化學(xué)工作站在一定的電壓下電沉積60 s,制得LSPR芯片,然后依次通入0 %(n=1.333),10 %(n=1.347 9),20 %(n=1.363 9),30 %(n=1.381 1),40 % (n=1.399 7)和50 % (n=1.420 0)質(zhì)量分?jǐn)?shù)的蔗糖溶液(n表示折射率),記錄其吸光光譜,檢測(cè)其對(duì)于周?chē)橘|(zhì)折射率的敏感度。
對(duì)ITO導(dǎo)電玻璃在依次在-1.2,-1.4,-1.6 V條件下電化學(xué)沉積60 s,并通入上述不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)梯度的蔗糖溶液,得到的吸光光譜。其中在-1.4 V電位下制備的LSPR芯片在不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)蔗糖溶液中的吸光光譜如圖4所示。對(duì)吸光光譜圖進(jìn)行分析,得到峰位移敏感度和吸光度敏感度(表1)。ITO層厚度為23±5 nm的ITO玻璃,在電化學(xué)沉積電位為-1.2 V時(shí),相對(duì)周?chē)橘|(zhì)折射率的峰位移敏感度為238 nm/RIU,在-1.4,1.6 V時(shí),峰位移敏感度分別為246,257 nm/RIU。由此可見(jiàn),在同一ITO厚度層的條件下,當(dāng)電化學(xué)沉積電位在負(fù)方向由1.2 V增大到1.6 V時(shí),LSPR峰所處波段的紅移相對(duì)于周?chē)凵渎首兓龃?,Ag納米自組裝LSPR芯片對(duì)周?chē)橘|(zhì)折射率響應(yīng)增大。
圖4 ITO導(dǎo)電玻璃在-1.4 V電位下電化學(xué)沉積60 s
LSPR峰的吸光度數(shù)值的變化與周?chē)橘|(zhì)折射率的變化呈線性關(guān)系也表現(xiàn)了電化學(xué)沉積法自組裝的Ag納米LSPR對(duì)于周?chē)橘|(zhì)折射率的響應(yīng)。ITO層厚度為23±5 nm的ITO玻璃,電化學(xué)沉積電位在負(fù)方向依次增大時(shí),LSPR峰的吸光度數(shù)值相對(duì)周?chē)橘|(zhì)折射率的敏感度分別為-0.58,-0.65,-0.32 nm/a。電化學(xué)沉積電位為-1.4 V時(shí),吸光度靈敏度最高。厚度為23±5 nm的ITO玻璃,電化學(xué)沉積電位為-1.4 V時(shí),表現(xiàn)出的246 nm/RIU的折射率靈敏度比已報(bào)道的Ag納米球的折射率靈敏度要高[11],此條件下所制得的LSPR芯片性能最好。
表1 ITO玻璃在不同電化學(xué)沉積電位下自組裝的LSPR芯片相對(duì)于周?chē)橘|(zhì)折射率的峰位移敏感度和吸光度敏感度
本文與電化學(xué)法相結(jié)合,設(shè)計(jì)了芯片制備和檢測(cè)一體化的LSPR生物傳感器。該裝置具有小型化、易操作、檢測(cè)結(jié)果實(shí)時(shí)化等特點(diǎn),具有廣闊的商業(yè)化前景。研究了不同電化學(xué)沉積電位對(duì)自組裝Ag納米粒子LSPR芯片的影響,厚度為23±5 nm的ITO玻璃,電化學(xué)沉積電位為-1.4 V時(shí),制得的LSPR芯片折射率靈敏度為246 nm/RIU,高于已報(bào)道的Ag納米球折射率靈敏度。
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