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        CL-20結晶形貌的預測

        2014-09-11 02:40:26聞利群王美妮
        山西化工 2014年2期
        關鍵詞:晶體生長晶面晶體

        文 國, 聞利群, 王美妮, 王 寧

        (中北大學化工與環(huán)境學院,山西 太原 030051)

        引 言

        六硝基六氮雜異伍茲烷(CL-20)是一種著名的高能鈍感炸藥[1],其爆轟性能和感度大小在一定程度上受到晶體形態(tài)的影響。CL-20分子具有偶極子的特性,其結構的共價鍵具有方向性和飽和性,生長基元在結晶方位和晶體各個面族上疊合的穩(wěn)定性與結晶型態(tài)有關[2],且CL-20晶體的形態(tài)特征除了與其內部結構有關之外,還與生長時的物理、化學條件密切相關[3],如溶劑、過飽和度、雜質等,因此研究CL-20晶體的生長習性需要把晶體內部結構同生長條件密切結合起來,這是研究晶體生長機理的一個重要途徑。模擬晶體生長或預測晶習的基本物理模型有 Bravais提出的 BFDH 模型[4]、Hartman和Perdok提出的PBC模型、Bennema等提出的附著能(attachment energy,簡稱 AE)模型[5]。其中,基于AE模型預測晶習被證實是較為精確的[1-4,6-7]。該模型認為,晶面附著能絕對值越大,生長速率越快,重要性越低,該模型被廣泛用于研究晶體生長的熱動力學、晶面生長機理、多晶生長的界面結構等。Jianxin chen等[4]分別用BFDH模型和AE模型對氫化可的松在甲醇中的晶貌進行預測,并與實驗對比。結果表明,AE模型的準確性較高。A.V.D.Heijden等[1]用AE模型對RDX結晶形態(tài)進行了預測,發(fā)現(111)、(200)和(020)等面為重要生長面。郁衛(wèi)飛等[6]進行了以水和NMP為混合溶劑的CL-20重結晶實驗,發(fā)現在10℃/min的降溫速率下晶粒較規(guī)整。薛其彬等[7]進行了CL-20揮發(fā)結晶實驗,并通過XRD實驗分析出分型結構的晶體可能是某些面擇優(yōu)取向的生長結果。

        但對于CL-20晶貌形成的內在機理,微觀層次上溶劑分子對CL-20晶習的作用機制和改變情況,尚未有人做過深入細致的研究。本研究對AE模型預測出的CL-20在真空中的晶貌從鍵鏈角度分析其形成機理,根據溶劑與各晶面的交互作用,用修正附著能的方法對CL-20在水和甲醇中形貌進行了預測,并分析了其成因。

        1 AE晶體生長模型

        AE模型是在PBC模型的基礎上發(fā)展起來的。PBC模型假設晶體表面成鍵所需時間與鍵合能成反比,晶面生長速度正比于鍵合能,晶體結構由PBC組成,且晶體生長最快的方向是化學鍵最強的方向[9]。而AE模型在此基礎上定義了晶片能Ea為生長出一層厚度為dhkl的晶片釋放出的能量,附著能Eatt為晶片附著在晶體表面(hkl)所釋放出的能量,兩者之和為晶體的晶格能Elatt[8],見式(1)。

        對于有機分子,晶格能可通過非成鍵原子間作用力函數[2]和分子間作用綜合計算求得;對于晶片能和附著能,可由中心分子與晶片內、外的所有分子總作用力計算得出。

        Berkovitch-Yellin[9]對前述方法加以改進,指出各晶面的相對生長速率(Rij)正比于附著能Eatt,見式(2)。

        最低附著能的晶面生長得最慢,所以具有最大的形態(tài)學特征,從而決定了晶體的微觀形貌。該方法基于晶體對稱性、分子間鍵鏈特性和晶面附著能來計算、推演出有機分子在真空和溶劑中的附著能、晶貌特征。

        2 晶面-溶劑的吸附能計算

        2.1 晶體與溶劑分子模型的構建

        計算所需的CL-20晶胞參數均在CCDC數據庫查得,具有α和β2種晶型,均屬于單斜晶系。因后者密度較高,在起爆藥內應用較多,故本研究對象為β型CL-20晶體。

        根據β型CL-20晶體中原子分數坐標和對稱性信息在Material studio 6.0中建立原胞,并在Discover模塊下進行5 000步的幾何優(yōu)化。因分子動力學模擬(MD)過程需要較大的數據采樣空間,故用優(yōu)化后的原胞建立4×4×4的超晶胞。為進一步消除CL-20超胞中不合理的能量和構象,用Forceit模塊下Anneal過程對其進行300℃~500℃升、降溫退火循環(huán)處理,此過程步數為10 000步,采用Compass力 場[10]、NPV 系 綜、Andersen 控 溫 方法[11],各原子起始速度按 Maxwell分布取樣,Velocity Verlet[12]算法進行求解,范德華和靜電作用,分別用 Atom based[13]和 Ewald[14]方法,原子截斷半徑取1.25nm,緩沖寬度取0.001。此過程可對充分豫弛超胞,為以后的MD模擬提供合理、平衡的幾何構象。

        水和甲醇分子的模型由Sketch建立后,也采用前述方法進行幾何構型和能量的豫弛。

        2.2 吸附模型的構建與優(yōu)化

        溶劑分子對CL-20晶習的影響是通過與其晶面的吸附作用實現的,故需先建立水、甲醇與CL-20晶面的吸附模型,再后求解其吸附能。

        對前面退火所得到的CL-20超胞最低勢能構象的100、001和010面進行切割(之前,用Crystal-Graph基于單體鍵鏈能量和方向對CL-20晶體生長面做過預測,得知100、-100、001、00-1、010和0-10晶面是易保留下來的重要生長面。因CL-20所屬晶系的高度對稱性,100和-100、001和00-1、010和0-10互為同一面且方向平行。為減小計算量,僅取100、001和010面研究),切割厚度為2個分子層。之后,對此二維結構加2nm的真空層(vacuum),由此形成了具有吸附面的層晶(slab)。分別往各個吸附面加入水和甲醇分子,用文獻[7]中的方法調整合理的構型,以形成6個初始吸附模型,再對每種模型進行幾何優(yōu)化,方法與前述相同。經優(yōu)化后的水、甲醇與100面吸附模型見圖1、圖2(虛線為氫鍵)。其中,圖1中的吸附模型與文獻[15]中的CL-20和水全優(yōu)化構型相符。

        圖1 水分子與100面的吸附模型

        圖2 甲醇分子與100面的吸附模型

        2.3 吸附過程的動力學模擬

        用Forceit模塊下的Dynamic過程對前面優(yōu)化后的6種吸附模型進行NPT系綜下的MD模擬,總時間為150ps,步長為1fs,其他參數與退火過程相同。MD過程結束后,用各模型能量穩(wěn)定后的構型(后50幀)分別對整個體系、溶劑分子和晶面的能量求均值,之后用吸附能計算公式[4,16-17](3)進行吸附能求解,計算結果見第29頁表1。

        式中:Etotal為吸附體系的總能量,kcal/mol;Esolv為溶劑分子單點能,kcal/mol;Esury為晶面的表面能,kcal/mol。

        表1 溶劑分子與晶面的吸附能

        3 CL-20晶習的預測

        預測CL-20真空中晶習的主要目的是從晶體的周期性鍵鏈(即分子間作用)和自身附著能的角度分析自由狀態(tài)下晶貌生成的內部因素,并據此用溶劑分子與晶面吸附和對附著能改變的方法預測和研究CL-20在水、甲醇中的晶習。

        3.1 真空中的晶習

        采用Crystal Graph法計算優(yōu)化后CL-20原胞晶面間的交互作用(見圖3)和各晶面上CL-20分子的附著能值(見表2),根據Rij∝Dij∝Eatt[6]可求得各面的相對生長速率和生長面到晶體中心的距離Dij,再通過Wulff圖對上述信息進行分析,推導出真空環(huán)境下晶體的生長形態(tài)(見圖3)。重要面的生長情況見表2。

        圖3 真空中NTO晶貌和分子間作用力

        表2 真空中CL-20重要晶面生長狀況

        CL-20分子在010方向形成了一種偶極生長基元,(—NO2)基團方向電子云密度大,為負極面,與三唑環(huán)上的正電荷中心(距C原子較近)有很強的分子間力。010晶面與晶體最強鍵鏈方向夾角小,受此極化作用影響,CL-20分子在010面疊合效率較高,故010面的生長速率較100和001面快、晶面面積小,相對于其他快速生長、或已消失的面仍頑強顯露。

        001面和100面幾乎垂直于CL-20分子的正-負極面。100晶面方向的分子附著主要靠羰基與三唑基團間微弱的親和作用;001晶面方向與三唑環(huán)共軛平面夾角小,分子附著主要靠共軛體系間的范德華力作用。由于偏離極性生長方向,CL-20分子間疊合能小,晶面生長緩慢,故100和001面在結晶過程中能保留下來且成為重要的生長面。

        由于Rij∝Eatt,故真空中各晶面生長速率010>>100≈001,其形貌為長四棱柱。

        3.2 溶劑中的晶習

        3.1 中的模擬結果未考慮溶劑及其他因素對晶體形貌的影響,所以需要對其進行進一步修正??紤]到溶劑對不同晶面的作用不同,CL-20分子附著能計算公式為式(4)[4,16]:

        式中:Em是修正后CL-20分子的附著能,kcal/mol;Es是晶面對溶劑分子的吸附能,kcal/mol;Eatt是真空中CL-20分子的附著能,kcal/mol。計算結果見表3。由表3可知,溶劑分子對晶習的影響通過其與晶面的吸附來影響CL-20分子在各面的疊合能量與效率,溶劑與面相互能愈大,面生長愈慢。反之亦然。

        表3 真空、水和甲醇中CL-20主要晶面附著能

        溶劑的吸附改變了CL-20各晶面間的交互作用。根據水、甲醇與不同晶面結合強度(吸附能)的不同,修正各晶面的附著能值,為各晶面指定相對生長速率和中心到面的距離,再通過Wulff圖對以上信息進行分析,推導出晶體形態(tài),并與文獻中CL-20在水和甲醇中的結晶型態(tài)電鏡掃描圖對比,見圖4和圖5。

        圖4 水中CL-20晶貌的預測和實際圖[1]

        圖5 甲醇中CL-20晶貌的預測和實際圖[1]

        綜合表1~表3分析可得,水和甲醇均會通過與晶面的吸附作用而降低CL-20分子的附著能。據文獻[2]顯示,溶劑與有機分子的相互作用中,除范德華力和靜電力外,氫鍵的貢獻尤為顯著。

        水分子可與010晶面上分布密集的硝基氧形成較強的氫鍵,其吸附作用最強;水分子中的氫、氧原子能與CL-20分子上的9位氧原子、11位氫原子[16]間形成2個氫鍵,且方向垂直于100面,該方向的吸附強度次之;三唑共軛平面與001面的夾角小,且無垂直于該面方向的氫原子顯露,故001面與水吸附能最低。溶劑與面吸附能愈大,CL-20分子附著能越小,且Rij∝Eatt,但010面的附著能本身很大,溶劑的強抑制作用并不能使其顯著降低,所以水中各面生長速率為010>001>100。從圖3可見,其結晶型態(tài)接近扁平的六面體。

        甲醇分子同各面的相互作用機理類似于水。另外,甲基推電子基團使羥基周圍電子云密度高,分子偶極距大[1,4],與各面形成的氫鍵作用較強且鍵能差距較小,但在100面所成的氫鍵無水分子與該面所成氫鍵的特殊性,故與100面的吸附強度與水相當。甲醇中各面的生長速率為010>100≈001,從圖4可見其結晶型態(tài)為四棱柱。

        用修正后的AE模型所預測的晶習與掃描電鏡顯示的實際晶習能很好地相匹配,說明預測是成功的。

        4 結論

        1)利用AE模型和修正附著能的方法可對CL-20晶體在真空、水和甲醇環(huán)境中的晶習進行預測,其結果和實際能較好地吻合。

        2)真空中CL-20晶體各面的生長速率受垂直于面方向的分子間力影響,生長速率依次為010>100≈001,其形貌為長四棱柱。

        3)受水和甲醇抑制作用的影響,在水中晶面生長速率依次為010>100>001,晶體外觀為扁平的六面體;甲醇中為010>100≈001,晶體外觀為四棱柱,較真空中的稍短。

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