趙 亮,杜小輝
(南京電子技術(shù)研究所,南京 210013)
?
X波段帶幅度加權(quán)功能T/R組件設(shè)計
趙 亮*,杜小輝
(南京電子技術(shù)研究所,南京 210013)
體積小、重量輕、高性能、高可靠性的T/R組件的研制已經(jīng)成為目前的研究熱點。介紹了一種具有收發(fā)幅度加權(quán)功能的X波段T/R組件的原理及設(shè)計方法,該組件基于多層低溫共燒陶瓷(LTCC)工藝實現(xiàn),在一塊LTCC基板上集成了電阻、電容、ASIC、MMIC等器件,最后給出了組件的測試結(jié)果。主要性能:發(fā)射功率大于40 dBm,接收增益大于20 dB,噪聲系數(shù)小于3.5 dB,重量90 g。
相控陣雷達;T/R組件;X波段;幅度加權(quán);LTCC
在相控陣雷達的系統(tǒng)性能中,天線波束副瓣的性能是很重要的,其決定了雷達的抗干擾、抗反輻射導(dǎo)彈及雜波抑制等戰(zhàn)術(shù)性能。為實現(xiàn)具有低副瓣電平的天線,面陣必須具有加權(quán)功能[1-2]。
T/R組件是有源相控陣雷達的關(guān)鍵部件,T/R組件的研制決定了整個雷達研制的性能、價格和可靠性[3-4],因此T/R組件的設(shè)計成為各雷達系統(tǒng)設(shè)計師關(guān)注的焦點。
本文設(shè)計了一種帶幅度加權(quán)功能的T/R組件,該組件采用了低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)和表面微組裝互連技術(shù),在一塊LTCC基板上集成了多種微波單片、波控單片及電阻電容等無源器件,實現(xiàn)了組件的小型化、集成化設(shè)計。
T/R組件的具體功能隨系統(tǒng)性能要求各不相同,但其基本電路形式類似,均由收發(fā)通道組成,其基本形式見圖1,主要由移相器、微波T/R開關(guān)、功率放大器、限幅器、低噪聲放大器、環(huán)行器以及控制電路等組成[5-7]。
圖1 T/R組件的基本形式組成框圖
圖2 具有發(fā)射加權(quán)功能T/R組件原理框圖
本組件的研制充分考慮了雷達整機的設(shè)計需求,組件原理框圖如圖2所示。該組件包含4路發(fā)射通道及4路接收通道,為實現(xiàn)收發(fā)幅度加權(quán)的功能,結(jié)合組件收發(fā)分時工作的特點,在收發(fā)通道增加共用電調(diào)衰減器,既有效減少了器件數(shù)量,又可以改善組件間的幅度一致性。為了獲得良好的性能和穩(wěn)定可靠的工作,在發(fā)射通道增加驅(qū)動功率放大器以提高發(fā)射通道的增益,在功率放大器輸出端增加環(huán)形器以保護功率器件。同時,該組件內(nèi)集成波控ASIC芯片,實現(xiàn)收發(fā)開關(guān)、移相器及衰減器的不同工作狀態(tài)切換。
該組件工作于發(fā)射狀態(tài)時,波控信號控制開關(guān)1、開關(guān)2及開關(guān)3選通發(fā)射鏈路,使得由功分網(wǎng)絡(luò)饋至各通道的移相器的微波信號通過放大器2、衰減器、驅(qū)動放大器,最后經(jīng)過功率放大器放大后,通過天線單元向空間輻射出去。接收時,波控信號控制開關(guān)1、開關(guān)2及開關(guān)3選通接收鏈路,使得各天線單元接收到的微波信號通過環(huán)形器、低噪放1、低噪放2、放大器1、衰減器、放大器2、移相器,最后4路接收信號通過功分網(wǎng)絡(luò)合成后輸出供組件后級電路處理。
所有微波芯片、波控芯片及阻容器件等元器件高密度表貼在一塊多層低溫共燒陶瓷(LTCC)基板上。芯片間的互聯(lián)走線及微波通道均在多層基板內(nèi)部實現(xiàn),使得電路的尺寸、焊盤數(shù)量均大為減小,既提高了可靠性及組件幅相一致性,又節(jié)約了成本,減輕了重量。
根據(jù)這一方案,我們開展了T/R組件的研制工作,下面介紹關(guān)鍵技術(shù)研究情況和研制結(jié)果。
2.1 功分網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計
目前,一般采用功分器來實現(xiàn)多路收發(fā)通道信號的分配和合成。很多T/R組件設(shè)計中的功分器平面結(jié)構(gòu)的,這種平面結(jié)構(gòu)的功分器體積較大,難以滿足當前微波組件小型化、集成化的發(fā)展趨勢[8-10]。本文設(shè)計了一種較新的微波器件設(shè)計結(jié)構(gòu),即基于低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)的帶狀線三維結(jié)構(gòu)功分網(wǎng)絡(luò)。由于LTCC技術(shù)可以將電阻、電容和電感等無源元件埋置在多層互連基板中,因此具有高性能、低成本、高可靠性、小型化的優(yōu)點。
由于微波電路性能易受殼體結(jié)構(gòu)影響,因此進行功分器仿真設(shè)計時有必要將組件結(jié)構(gòu)考慮進來,圖3為一分四功分器的仿真模型。
圖3 T/R組件功分器仿真模型
仿真結(jié)果如圖4所示,可見,在整個波段內(nèi),傳輸損耗小于8 dB,4個輸出端口間隔離度大于24 dB,輸入端口駐波小于1.26,4個輸出端口駐波小于1.12。
圖4 功分器仿真結(jié)果
2.2 收發(fā)鏈路的設(shè)計
發(fā)射鏈路主要完成發(fā)射輸入信號的放大,對于X波段的工作頻率,組件通常采用GaAs FET或PHEMT有源器件來實現(xiàn)其高頻特性,在目前的器件水平下,砷化鎵PHEMT芯片可實現(xiàn)大于10 W的功率輸出。前級驅(qū)動選用了2級MMIC實現(xiàn),第1級放大器進行小信號的高增益放大,用以補償移相器、衰減器及開關(guān)所造成的增益損失,第2級驅(qū)放對信號進一步放大,提供功率放大器所需的驅(qū)動功率電平。
接收鏈路主要包含限幅器、低噪放、移相器、衰減器、開關(guān)等電路,由于組件接收增益較高,為保證組件的穩(wěn)定性,將增益進行了分配,采用了多級放大器級聯(lián)的形式實現(xiàn)。
由于收發(fā)鏈路中包含大量微波芯片,芯片間的互聯(lián)一般采用金絲鍵合,金絲互聯(lián)模型見圖5。如果采用三維電磁場仿真對金絲的拱高、長度進行設(shè)計優(yōu)化則能夠提高組件整體駐波以及平坦度等指標,提高組件性能。
圖5 金絲互聯(lián)模型
圖6 T/R組件內(nèi)波控驅(qū)動電路
2.3 波控驅(qū)動電路的設(shè)計
T/R組件的移相、衰減、收發(fā)切換等邏輯控制功能通過波控驅(qū)動電路實現(xiàn),它對雷達波束形成起著重要作用。
當需要改變雷達波束指向時,每個T/R組件的波控電路即按照波控運算產(chǎn)生的移相碼改變移相器的控制電平,達到移相要求。本設(shè)計中移相控制的位數(shù)為6位,相應(yīng)的控制精度為5.625°。當需要實現(xiàn)雷達波束賦形和幅度補償時,波控電路即控制衰減器工作,衰減器的控制位數(shù)也為6位,衰減精度為0.5 dB。T/R組件內(nèi)控制驅(qū)動電路的框圖如圖6所示[2]。
由于T/R組件的4路收發(fā)通道全部集成在一個很小的LTCC基板內(nèi),微波及控制信號布線極為密集,組件的電磁兼容設(shè)計顯得極為重要[11-12]??紤]到組件接收通道和發(fā)射通道可能相互影響,形成增益環(huán)路,因此將組件設(shè)計為分時工作模式,即在發(fā)射通道工作時,接收通道斷電,在接收通道工作時,發(fā)射通道斷電。同時,為防止收發(fā)開關(guān)可能存在開關(guān)延滯導(dǎo)致收發(fā)通道同時打開形成增益回路的隱患,在波控收發(fā)轉(zhuǎn)換時序中間插入一個中間狀態(tài),從而使得收發(fā)時序不會交叉,保證了收發(fā)通道間良好的隔離度。組件內(nèi)部微波傳輸通道使用了大量帶狀線和微帶線,傳輸線間會在空間內(nèi)相互耦合影響,同時由于組件內(nèi)部空間狹小復(fù)雜,微波信號在腔體內(nèi)會由于腔體效應(yīng)形成諧振,從而影響微波性能,因此必須采取合適措施消除危害。在本設(shè)計中通過采用金屬隔墻、微波電路分腔等方法對通道進行空間隔離。
利用低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)和表面微組裝互連技術(shù)設(shè)計的4通道T/R組件實物照片如圖7所示。
圖7 T/R組件外形照片
對組件收發(fā)通道的性能指標進行了測試,主要測試結(jié)果見表1所示。
表1 T/R組件主要技術(shù)指標測試數(shù)據(jù)
該組件具有收發(fā)幅度加權(quán)的功能,能夠有效提高陣面天線性能,同時具有結(jié)構(gòu)緊湊、重量輕、微波性能好、可靠性高的特點,在艦載、機載、星載相控陣雷達和通信領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。
[1]張光義. 相控陣雷達系統(tǒng)[M]. 北京:國防工業(yè)出版社,1994:272-277.
[2]Bahl I J,Bhartia P. Microwave Solid State Circuit Design[M]. John Wiley and Sons INC,1988:71-74.
[3]Donado Morcillo C A,Patterson C E,Lacroix B,et al. An Ultra-Thin,High-Power,and Multilayer Organic Antenna Array With T/R Functionality in the X-Band[J]. Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactions on,2012,60(12):3856-3867.
[4]Golcuk F,Kanar T,Rebeiz G M. A 90 GHz-100 GHz 4 4 SiGe BiCMOS Polarimetric Transmit/Receive Phased Array With Simultaneous Receive-Beams Capabilities[J]. Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactions on,2013,61(8):3099-3114.
[5]胡明春,周志鵬,嚴偉. 相控陣雷達收發(fā)組件技術(shù)[M]. 北京:國防工業(yè)出版社,2010:110-111,147.
[6]Wang X S,Yue C P. A Dual-Band SP6T T/R Switch in SOI CMOS With 37 dBm for GSM/W-CDMA Handsets[J]. Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactions on,2014,62(4):861-870.
[7]Gharibdoust K,Mousavi N,Kalantari M,Moezzi M,Medi A. A Fully Integrated 0. 18μm CMOS Transceiver Chip for X-Band Phased-Array Systems[J]. Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactions on,2012,60(7):2192-2202.
[8]Florian C,Paganelli R P,Lonac J A. 12-W-band MMIC HPA and driver amplifiers in InGaP-GaAs HBT technology for space SAR T/R Modules[J]. Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactions on,2012,60(6):1805-1816.
[9]Dinc T,Kalyoncu I,Kaynak M,et al. Building Blocks for an X-Band SiGe BiCMOS T/R Module[C]//Power Amplifiers for Wireless and Radio Applications(PAWR),2013 IEEE Topical Conference on. IEEE,2013:130-132.
[10]Jung Y B,Eom S Y,Jeon S I,et al. The Design of T/R Module for X-Band APAA System Used in Satellite Communications[C]//Microwave Symposium Digest,2002 IEEE MTT-S International. IEEE,2002,2:1337-1340.
[11]Yuefei D,Chunming L,Qilin X. Double Mode X-Band T/R Module Based on LTCC[C]//Radar,2006. CIE’06. International Conference on. IEEE,2006:1-4.
[12]Jardel O,Mazeau J,Piotrowicz S,et al. GaN Power MMICs for X-Band T/R Modules[C]//Microwave Integrated Circuits Conference(EuMIC),2010 European. IEEE,2010:17-20.
[13]Schuh P,Sledzik H,Reber R,et al. GaN MMIC based T/R-Module Front-End for X-Band Applications[C]//Microwave Integrated Circuit Conference,2008. EuMIC 2008. European. IEEE,2008:274-277.
趙亮(1985-),男,碩士,主要從事微波T/R組件研制工作;
杜小輝(1977-),男,碩士,主要從事微波T/R組件研制工作。
ADesignofXBandT/RModulewiththeFunctionofAmplitudeWeighted
ZHAOLiang*,DUXiaohui
(Nanjing Research Institute of Electronics Technology,Nanjing 210039,China)
It is a research hotspot on the design of small size,low weight,high performance and high reliability microwave T/R module. The principle and design method of a kind of X-band T/R module is presented with the fuction of weighted Amplitude. The T/R module is based on LTCC multiplayer substrate technology,the T/R module is constructed on one base board and integrates resistance,capacitor,ASIC and MMIC,etc. Finally the test results are given. The T/R module provides over 40 dBm output power,23dB receive gain and less than 3.5 dB noise figure,weighs only 90 g.
phased array radar;T/R modue;X-band;amplitude weighted;LTCC
2014-05-06修改日期:2014-05-27
10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.013
:TN882.4;TN958.92
:A
:1005-9490(2014)06-1072-04