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        約束阻尼結(jié)構(gòu)的雙向漸進(jìn)拓?fù)鋬?yōu)化

        2014-08-11 14:49:50房占鵬
        振動(dòng)與沖擊 2014年8期
        關(guān)鍵詞:雙向阻尼損耗

        房占鵬, 鄭 玲

        (重慶大學(xué) 機(jī)械傳動(dòng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,重慶 400044)

        約束阻尼結(jié)構(gòu)的雙向漸進(jìn)拓?fù)鋬?yōu)化

        房占鵬, 鄭 玲

        (重慶大學(xué) 機(jī)械傳動(dòng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,重慶 400044)

        針對(duì)約束層阻尼板的拓?fù)鋬?yōu)化問題,以模態(tài)損耗因子最大化為目標(biāo)函數(shù),約束阻尼材料體積分?jǐn)?shù)為約束條件,建立了約束阻尼板的拓?fù)鋬?yōu)化模型。基于模態(tài)應(yīng)變能方法,推導(dǎo)了目標(biāo)函數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)變量的靈敏度。采用雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法(BESO)對(duì)約束阻尼材料的布局進(jìn)行了拓?fù)鋬?yōu)化,獲得了約束阻尼材料的最優(yōu)拓?fù)錁?gòu)型,并與漸進(jìn)優(yōu)化算法(ESO)進(jìn)行了比較。研究結(jié)果表明:雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法相比漸進(jìn)優(yōu)化算法,獲得的模態(tài)損耗因子更高,阻尼減振效果更好。

        約束阻尼;模態(tài)損耗因子;拓?fù)鋬?yōu)化;雙向漸進(jìn)優(yōu)化法

        阻尼結(jié)構(gòu)能有效抑制結(jié)構(gòu)的振動(dòng)與噪聲,特別是約束阻尼結(jié)構(gòu)對(duì)寬帶隨機(jī)振動(dòng)響應(yīng)有很好的抑制作用,廣泛應(yīng)用于汽車、航空航天、艦船等行業(yè)。在傳統(tǒng)的阻尼結(jié)構(gòu)減振設(shè)計(jì)中,將阻尼材料覆蓋于整個(gè)結(jié)構(gòu)的表面,有效抑制結(jié)構(gòu)振動(dòng)和噪聲的同時(shí),也增加了結(jié)構(gòu)的附加質(zhì)量。

        對(duì)約束阻尼材料的布局進(jìn)行優(yōu)化配置能夠有效提高約束阻尼材料的使用效率,減少約束阻尼材料的使用量。Zheng等[1]以振動(dòng)能量最小化為目標(biāo),采用遺傳算法對(duì)約束阻尼梁進(jìn)行了優(yōu)化分析。楊德慶等[2-3]提出了阻尼胞單元和阻尼拓?fù)涿舳鹊雀拍?,利用均勻法方法?duì)自由阻尼層結(jié)構(gòu)進(jìn)行了阻尼材料優(yōu)化配置,指出阻尼優(yōu)化配置是減振降噪設(shè)計(jì)的有效途徑。Zheng等[4]針對(duì)圓柱殼體結(jié)構(gòu)用解析方法研究了分片阻尼的結(jié)構(gòu)特性,探討了分片布置約束阻尼的布局優(yōu)化問題。Chia等[5]結(jié)合有限元分析,采用胞元自動(dòng)控制算法(cellular automata) 對(duì)約束阻尼板結(jié)構(gòu)的布局進(jìn)行優(yōu)化,并采用理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了優(yōu)化算法的有效性。Zheng等[6]以模態(tài)阻尼比最大化為目標(biāo),采用移動(dòng)漸近線算法(MMA)對(duì)約束阻尼板進(jìn)行優(yōu)化,得到了優(yōu)化構(gòu)型,并指出移動(dòng)漸近線算法對(duì)約束阻尼圓柱殼的優(yōu)化也有很好的求解效果。

        1993年,Xie等[7]提出了漸進(jìn)優(yōu)化算法,它通過將無(wú)效或低效的材料逐步去掉,使得結(jié)構(gòu)逐漸趨于優(yōu)化,該算法通用性好,計(jì)算效率高,已經(jīng)在應(yīng)力、位移、剛度,振動(dòng)頻率、相位、臨界壓力等優(yōu)化問題中得到廣泛的應(yīng)用。郭中澤等[8]將漸進(jìn)優(yōu)化算法應(yīng)用到了自由阻尼材料最優(yōu)配置問題。李超等[9]采用漸進(jìn)優(yōu)化算法對(duì)約束阻尼圓柱殼的約束阻尼材料進(jìn)行優(yōu)化配置。在采用漸進(jìn)優(yōu)化算法對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行拓?fù)鋬?yōu)化的過程中,某些被刪除的低效率的單元可能變?yōu)楦咝实膯卧?,但是漸進(jìn)優(yōu)化算法不能將這些刪除單元恢復(fù)為實(shí)體單元,影響了優(yōu)化算法的可靠性,使優(yōu)化結(jié)果出現(xiàn)低效局部?jī)?yōu)化解。雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法[10]是對(duì)漸進(jìn)優(yōu)化算法的改進(jìn),它不僅可以刪除材料,還可以添加材料,使得材料布局更加合理,因此,該方法具有更好的優(yōu)化設(shè)計(jì)能力。

        本文采用雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法,以模態(tài)損耗因子為目標(biāo)函數(shù),約束阻尼材料用量為約束條件,建立了約束阻尼結(jié)構(gòu)的拓?fù)鋬?yōu)化模型?;谀B(tài)應(yīng)變能的方法推導(dǎo)了約束阻尼單元的靈敏度。編制雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法的優(yōu)化流程,對(duì)模態(tài)損耗因子最大化的約束阻尼材料最優(yōu)分布問題進(jìn)行研究。

        1 約束阻尼板的動(dòng)力學(xué)模型

        1.1 有限元模型

        約束層阻尼板的單元結(jié)構(gòu)如圖1所示,建模時(shí)作如下假設(shè):

        (1) 忽略約束層和基層的剪切變形;

        (2) 不計(jì)轉(zhuǎn)動(dòng)慣量;

        (3) 同一截面任一點(diǎn)的橫向位移和轉(zhuǎn)角相同;

        (4) 各層材料之間粘貼牢固,層間無(wú)相對(duì)滑動(dòng)。

        圖1 約束層阻尼板單元示意圖Fig.1 A schematic drawing of an element in FE structure of plate with CLD treatments

        1.2 變形關(guān)系

        結(jié)構(gòu)的應(yīng)變關(guān)系表達(dá)式如下:

        (1)

        1.3 單元的自由度與形函數(shù)

        構(gòu)造約束阻尼板單元包含4個(gè)物理節(jié)點(diǎn),每一個(gè)物理節(jié)點(diǎn)有7個(gè)自由度,分別是基層面內(nèi)的兩個(gè)位移分量up和vp;約束阻尼層面內(nèi)的兩個(gè)位移分量uc和vc;約束阻尼板的橫向位移w;中性面的兩個(gè)旋轉(zhuǎn)角θx和θy。下標(biāo)p,v,c分別表示基本、粘彈性阻尼層和約束層。它們的插值函數(shù)如下式:

        uc=a1+a2x+a3y+a4xy

        vc=a5+a6x+a7y+a8xy

        up=a9+a10x+a11y+a12xy

        vp=a13+a14x+a15y+a16xy

        w=a17+a18x+a19y+a20x2+a21xy+a22y2+

        a23x3+a24x2y+a25xy2+a26y3+a27x3y+a28xy3

        (2)

        式中:{a}={a1a2…a28}可由每個(gè)單元位移矢量{Δe}確定,單元的位移矢量可表示為

        {Δe}={Δ1Δ2Δ3Δ4}T

        式中:{Δi}={ucivciupivpiwiθxiθyi}T(i=1,2,…,4)

        因此,單元內(nèi)的任意點(diǎn)位移{Δ}={ucvcupvpwθxθy}T可由單元的四個(gè)節(jié)點(diǎn)位移矢量插值得到:

        {ucvcupvpwθxθy}T=

        {[N1][N2][N3][N4][N5][N5],y[N5],x}{Δ(e)}

        式中:[N1],[N2],[N3],[N4],[N5],[N5],y和 [N5],x分別為位移矢量uc,vc,up,vp,w,θx和θy所對(duì)應(yīng)的形函數(shù)。

        1.4 單元的運(yùn)動(dòng)方程

        約束阻尼板單元的動(dòng)能和應(yīng)變能表達(dá)如下:

        約束阻尼板單元的動(dòng)能:

        (1) 基板單元:

        (3)

        (2) 約束層單元:

        (4)

        (3) 阻尼層單元:

        (5)

        約束阻尼板單元的應(yīng)變能:

        (1) 基板單元:

        (6)

        (2) 約束層單元:

        (3) 阻尼層單元:

        (8)

        (9)

        將單元應(yīng)變能及單元?jiǎng)幽艽際amilton原理變分公式,可得第e個(gè)單元的運(yùn)動(dòng)方程:

        (10)

        式中:F(e)為外界對(duì)單元的激勵(lì)作用力,M(e)為單元的質(zhì)量矩陣:

        (11)

        K(e)為單元的剛度矩陣:

        (12)

        將單元的質(zhì)量矩陣和剛度矩陣組裝為約束阻尼板的總質(zhì)量矩陣和總剛度矩陣:

        (13)

        (14)

        因此,約束阻尼板的有限元?jiǎng)恿W(xué)方程為

        (15)

        2 拓?fù)鋬?yōu)化模型

        約束阻尼結(jié)構(gòu)主要通過粘彈性層的剪切變形把振動(dòng)能量轉(zhuǎn)化為熱能,實(shí)現(xiàn)振動(dòng)能量的耗散,達(dá)到抑制振動(dòng)的目的。約束阻尼結(jié)構(gòu)對(duì)能量的耗散與模態(tài)損耗因子直接相關(guān)。因此,約束阻尼結(jié)構(gòu)的拓?fù)鋬?yōu)化以模態(tài)損耗因子最大化為目標(biāo)函數(shù),以達(dá)到對(duì)模態(tài)振動(dòng)的有效控制。以模態(tài)損耗因子最大化為目標(biāo)函數(shù),約束阻尼材料使用量為約束條件,建立的拓?fù)鋬?yōu)化模型為

        (16)

        式中:設(shè)計(jì)變量xi是約束阻尼材料的第i個(gè)單元(包括阻尼單元和阻尼單元所對(duì)應(yīng)的約束單元)的存在狀態(tài),取值為1和xmin。1代表結(jié)構(gòu)表面覆蓋阻尼材料和約束材料。xmin代表刪除了結(jié)構(gòu)表面覆蓋的阻尼材料和約束材料,為了防止剛度矩陣出現(xiàn)奇異,本文取值為0.001;n為約束阻尼材料單元的總數(shù);ηr是第r階模態(tài)損耗因子。V為約束阻尼材料的體積;V*是體積約束。

        3 靈敏度分析和數(shù)值不穩(wěn)定的抑制

        3.1 靈敏度分析

        根據(jù)Johnson等[11]提出的附加阻尼結(jié)構(gòu)的模態(tài)應(yīng)變能(MSE)的方法,可以得到第r階模態(tài)損耗因子為

        (17)

        其中,ηv為阻尼材料的損耗因子;Uvr和Ur分別為第r階模態(tài)的阻尼材料應(yīng)變能和約束阻尼結(jié)構(gòu)總應(yīng)變能;Φr是第r階結(jié)構(gòu)彈性分析得到的實(shí)模態(tài)振型。

        令ηr對(duì)設(shè)計(jì)變量xi求偏導(dǎo),第r階模態(tài)損耗因子關(guān)于設(shè)計(jì)變量的靈敏度可以計(jì)算如下:

        (18)

        阻尼材料的剛度矩陣和約束阻尼結(jié)構(gòu)的剛度矩陣分別為

        (19)

        令式(19)對(duì)設(shè)計(jì)變量xi求偏導(dǎo),得:

        (20)

        將式(20)代入式(19):

        (21)

        則約束阻尼單元i的靈敏度βi為

        βi=

        (22)

        如果要使前m階的模態(tài)損耗因子最大化,可以按照這些模態(tài)在響應(yīng)中的比重相加,得到一個(gè)模態(tài)損耗因子的函數(shù):

        (23)

        模態(tài)損耗因子的函數(shù)關(guān)于設(shè)計(jì)變量xi的靈敏度表示如下:

        (24)

        通過式(24)就可以得到前m階模態(tài)損耗因子最大化的模態(tài)損耗因子關(guān)于設(shè)計(jì)變量xi的靈敏度。

        3.2 數(shù)值不穩(wěn)定的抑制

        在拓?fù)鋬?yōu)化過程中常見的數(shù)值不穩(wěn)定現(xiàn)象主要有灰度單元、局部極值、棋盤格式、網(wǎng)格依賴性現(xiàn)象。采用雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法進(jìn)行拓?fù)鋬?yōu)化,數(shù)值不穩(wěn)定性主要表現(xiàn)為棋盤格式和網(wǎng)格依賴性。Sigmund等[12]提出的不依賴于網(wǎng)格尺寸的網(wǎng)格獨(dú)立濾波法,它實(shí)現(xiàn)起來(lái)簡(jiǎn)單,并且對(duì)優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)沒有影響。網(wǎng)格獨(dú)立濾波法是以濾波半徑范圍內(nèi)單元的靈敏度的加權(quán)平均值修正原單元的靈敏度值,從而獲得濾波后單元靈敏度信息的重新分布。網(wǎng)格獨(dú)立濾波的表達(dá)式為

        (25)

        Hi=rmin-dist(e,i),

        (26)

        rmin為濾波器半徑;dist(e,i)為單元e和單元i的中心距離。

        采用網(wǎng)格獨(dú)立濾波技術(shù),最重要的是選擇合適的濾波半徑,對(duì)約束阻尼單元的靈敏度信息進(jìn)行重新分布,抑制棋盤格式和網(wǎng)格依賴性等數(shù)值不穩(wěn)定問題。

        4 約束阻尼結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化的實(shí)現(xiàn)流程

        漸進(jìn)優(yōu)化算法把判定為低效的單元?jiǎng)h除,使該單元設(shè)計(jì)變量為0,在以后的迭代過程中不參與靈敏度的計(jì)算。雙向漸進(jìn)算法是對(duì)漸進(jìn)優(yōu)化算法的改進(jìn),它將判定為低效單元的設(shè)計(jì)變量設(shè)定為一個(gè)極小值,并在以后迭代的過程中通過濾波得到其靈敏度。當(dāng)被刪單元被判定為高效單元時(shí),將其設(shè)計(jì)變量由極小值轉(zhuǎn)變?yōu)?,使其恢復(fù)為實(shí)體單元。圖2為拓?fù)鋬?yōu)化流程圖,具體的步驟如下:

        圖2 拓?fù)鋬?yōu)化流程圖Fig.2.Diagram for the topology optimization procedures

        (1) 將約束阻尼材料覆蓋于結(jié)構(gòu)的表面,構(gòu)建全覆蓋的約束阻尼結(jié)構(gòu),并建立其有限元模型。此時(shí),設(shè)計(jì)變量xi的值均為1;

        (2) 設(shè)定約束阻尼材料的體積約束量V*和進(jìn)化率ER等雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法的相關(guān)參數(shù);

        (3) 對(duì)建立的約束阻尼有限元模型進(jìn)行模態(tài)分析,并采用模態(tài)應(yīng)變能的方法計(jì)算約束阻尼結(jié)構(gòu)的模態(tài)損耗因子;

        (4) 根據(jù)式(22)或式(24)式計(jì)算約束阻尼材料每個(gè)實(shí)體單元的靈敏度,并采用網(wǎng)格獨(dú)立濾波技術(shù)對(duì)單元的靈敏度進(jìn)行濾波并得到刪除單元的靈敏度。

        (5) 計(jì)算下一步迭代的約束阻尼材料的目標(biāo)體積,當(dāng)下一步迭代的約束阻尼材料的體積Vk+1小于設(shè)定的約束阻尼材料的體積約束V*,計(jì)算公式為

        Vk+1=Vk(1-ER)

        (27)

        當(dāng)Vk+1大于等于V*時(shí),使Vk+1=V*。根據(jù)Vk+1決定刪除單元門檻值βdel和增加單元門檻值βadd;

        (6) 更新單元的密度值。當(dāng)單元的靈敏度βi≤βdel,實(shí)體單元設(shè)計(jì)變量xi的密度值由1變?yōu)閤min,當(dāng)單元的靈敏度βi>βdel,刪除單元設(shè)計(jì)變量xi的密度值由xmin變?yōu)?。

        (7) 重復(fù)步驟(3)-(6),直至滿足約束阻尼材料體積約束條件,結(jié)束迭代,輸出各相關(guān)數(shù)據(jù)。

        5 算 例

        約束阻尼懸臂板的基板為鋁板,板長(zhǎng)0.2 m,寬0.1 m,厚度為2 mm,密度為2 800 kg/m3,彈性模量為70e9 Pa,泊松比為0.3。在鋁板表面覆蓋約束阻尼材料,阻尼材料厚度為0.3 mm,密度為1 200 kg/m3,彈性模量為12e6 Pa,泊松比為0.495,損耗因子為0.5。約束材料厚度為0.5 mm,密度為2 700 kg/m3,彈性模量為70e9 Pa,泊松比為0.3。約束阻尼板左端全約束。

        本文在MATLAB中編制了約束阻尼板的有限元模型及拓?fù)鋬?yōu)化程序。以全覆蓋的約束阻尼材料使用量的50%為約束條件,分別以一階、二階、三階和四階模態(tài)損耗因子最大化為優(yōu)化目標(biāo),采用文獻(xiàn)[8]的漸進(jìn)優(yōu)化算法和雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法對(duì)約束阻尼結(jié)構(gòu)進(jìn)行拓?fù)鋬?yōu)化。

        圖3 一階模態(tài)損耗因子最大化的拓?fù)錁?gòu)型Fig.3 Optimal distribution of damping material for maximization of the first modal loss factor

        圖4 一階模態(tài)損耗因子的迭代過程Fig.4 Iteration histories for the first modal loss factor

        從圖4可以看出,隨著迭代次數(shù)的增加,附加約束阻尼材料逐漸減小,一階的模態(tài)損耗因子不僅沒有減小,反而有較大幅度的增加。第八次迭代以后,采用雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法的損耗因子的變化曲線要明顯高于采用漸進(jìn)優(yōu)化算法的變化曲線,其拓?fù)鋬?yōu)化構(gòu)型的模態(tài)損耗因子更大。拓?fù)錁?gòu)型如圖3所示,黑色為粘貼約束阻尼材料的位置。

        圖5 二階模態(tài)損耗因子最大化的拓?fù)錁?gòu)型Fig.5.Optimal distribution of damping material for maximization of the second modal loss factor

        圖6 二階模態(tài)損耗因子的迭代過程 Fig.6 Iteration histories for the second modal loss factor

        圖7 三階模態(tài)損耗因子最大化的拓?fù)錁?gòu)型Fig.7 Optimal distribution of damping material for maximization of the third modal loss factor

        圖8 三階模態(tài)損耗因子的迭代過程Fig.8. Iteration histories for the third modal loss factor

        圖9 四階模態(tài)損耗因子最大化的拓?fù)錁?gòu)型Fig.9 Optimal distribution of damping material for maximization of the fourth modal loss factor

        圖10 四階模態(tài)損耗因子的迭代過程Fig.10. Iteration histories for the fourth modal loss factor

        模態(tài)損耗因子一階二階三階四階全覆蓋0.08140.17000.18930.1697漸進(jìn)優(yōu)化算法0.12740.08650.10590.0836雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法0.14950.11200.12790.1146

        圖6、圖8和圖10分別為二階、三階和四階的模態(tài)損耗因子的迭代過程圖。從圖中可以看出,隨著迭代次數(shù)的增加,約束阻尼材料逐漸減少,模態(tài)損耗因子也緩慢下降。雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法的迭代曲線基本都要高于漸進(jìn)優(yōu)化算法的迭代曲線。兩種優(yōu)化算法以二階、三階和四階模態(tài)損耗因子最大化的拓?fù)錁?gòu)型如圖5、圖7和圖9所示,黑色為粘貼約束阻尼材料的位置。

        從表1中可以看出:在約束阻尼材料使用量只有全覆蓋的50%的情況下,采用雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法得到的拓?fù)錁?gòu)型的模態(tài)損耗因子明顯大于采用漸進(jìn)優(yōu)化算法得到的拓?fù)錁?gòu)型的模態(tài)損耗因子。優(yōu)化結(jié)構(gòu)的模態(tài)損耗因子與全覆蓋結(jié)構(gòu)的模態(tài)損耗因子對(duì)比:采用漸進(jìn)優(yōu)化算法和雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法的一階模態(tài)損耗因子比全覆蓋的分別增加了56.5%和83.7%;采用漸進(jìn)優(yōu)化算法二階、三階和四階的模態(tài)損耗因子比全覆蓋的分別減小了49.1%、44.1%和50.7%;采用雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法二階、三階和四階的模態(tài)損耗因子比全覆蓋的分別減小了34.1%、32.4%和32.5%。

        6 結(jié) 論

        本文基于雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法對(duì)約束阻尼結(jié)構(gòu)中的約束阻尼材料布局進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。建立了約束阻尼結(jié)構(gòu)的拓?fù)鋬?yōu)化模型,基于模態(tài)應(yīng)變能的方法推導(dǎo)了目標(biāo)函數(shù)關(guān)于約束阻尼單元的靈敏度。對(duì)比了漸進(jìn)優(yōu)化算法和雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法對(duì)約束阻尼懸臂板的拓?fù)鋬?yōu)化結(jié)果:采用雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法得到的拓?fù)錁?gòu)型的模態(tài)損耗因子均高于采用漸進(jìn)優(yōu)化算法得到的拓?fù)錁?gòu)型的模態(tài)損耗因子。表明了雙向漸進(jìn)優(yōu)化算法不僅能夠刪除低效率的單元,而且可以將刪除的高效單元恢復(fù)為實(shí)體單元,具有更好的優(yōu)化能力,對(duì)約束阻尼結(jié)構(gòu)進(jìn)行拓?fù)鋬?yōu)化,得到的拓?fù)錁?gòu)型比漸進(jìn)優(yōu)化算法更優(yōu)。

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        Topological optimization for constrained layer damping material in structures using BESO method

        FANG Zhan-Peng, ZHENG Ling

        (State Key Laboratory of Mechanical Transmission, Chongqing University, Chongqing 400044, China)

        A topological optimization model was established to obtain an optimized layout of constrained layer damping material on a plate with passive constrained layer damping (PCLD) treatment. The maximization of modal loss factor was taken as an objective function to enhance damping of this plate. The volume fraction of constrained layer damping material was selected as the constrained condition of the model. The sensitivity of the objective function to design variables was deduced by using the modal strain energy method. The bi-directional evolutionary structural optimization (BESO) method was proposed to search the optimal layout of constrained layer damping material. The numerical examples were illustrated to demonstrate the effectiveness of the proposed BESO method. The results were compared with those with the conventional evolutionary structural optimization (ESO) method. It was demonstrated using that the proposed BESO method can be used to achieve higher modal loss factor for the plate with PCLD treatment than using conventional ESO method does; the damping effect of the plate is enhanced and the effectiveness of the proposed BESO method is verified.

        constrained damping; modal loss factor; topological optimization; bi-directional evolutionary structural optimization (BESO)

        機(jī)械傳動(dòng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室科研業(yè)務(wù)費(fèi)(0301002109165)

        2013-01-04 修改稿收到日期:2013-05-03

        房占鵬 男,博士生,1985年生

        鄭玲 女,教授,博士生導(dǎo)師,1963年生

        TB53

        A

        10.13465/j.cnki.jvs.2014.08.029

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