徐 兵，趙 揚(yáng)，鄭高峰，莊明鳳，黃偉偉，王 偉

（廈門大學(xué)物理與機(jī)電工程學(xué)院，福建 廈門361005）

離子聚合物金屬復(fù)合物（ionic polymer metal composites，IPMC）是一種離子型的電致動(dòng)聚合物，由離子交換膜和上下兩層金屬電極層構(gòu)成，是類似“三明治”的結(jié)構(gòu)，具有柔性好、質(zhì)量輕、生物兼容性好以及在低電壓驅(qū)動(dòng)下產(chǎn)生大變形等特點(diǎn)，在軟驅(qū)動(dòng)、仿生驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景［1－3］.目前IPMC的應(yīng)用主要有仿生機(jī)器魚［4－6］、微泵［7－8］、微操作器［9］、微撲翼裝置［10－11］等.IPMC輸出力一般在毫牛級(jí)別，本文根據(jù)IPMC的輸出力特點(diǎn)設(shè)計(jì)了力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)，利用NI公司面向儀器系統(tǒng)的PCI擴(kuò)展（PCI extensions for instrumentation，PXI）虛擬儀器平臺(tái)，通過LABVIEW采集測(cè)量信號(hào)并進(jìn)行處理分析，可實(shí)時(shí)直觀地得到IPMC的輸出力變化規(guī)律.

1 IPMC的制備方法

IPMC材料主要由離子交換膜基體及其兩側(cè)金屬電極構(gòu)成.在IPMC材料厚度方向上施加電場，材料會(huì)向陽極方向產(chǎn)生彎曲變形.目前，IPMC的制備主要采用化學(xué)鍍的方法，相比于電鍍、蒸鍍、濺射等方法，化學(xué)鍍可以形成更加致密的金屬鍍層，而且與離子交換膜基體材料的黏附性好.IPMC的基膜可采用美國杜邦公司的Nafion－117商用薄膜以及采用美國杜邦公司的Nafion溶液利用蒸發(fā)的方法自行澆鑄成膜.不同基膜IPMC的制備均可采用如下方法：

1）基膜剪裁與粗化：裁剪適當(dāng)大小的離子基膜，為了有利于金屬電極更好的沉積，用砂紙打磨粗化；

2）基膜清洗：先通過超聲清洗30min，再用體積分?jǐn)?shù)為0.5%的稀硫酸加熱至80℃清洗1h，用去離子水煮沸30min，用體積分?jǐn)?shù)為15%的雙氧水煮沸清洗30min，用去離子水煮沸清洗30min；

3）離子交換過程：將清洗好的基膜浸泡在體積分?jǐn)?shù)為0.5%的稀硫酸中，使其成為H＋型陽離子交換膜，然后將基膜放入［Pt（NH3）4］Cl2溶液中浸泡14h左右，使得鉑離子滲入到薄膜內(nèi)部與H＋實(shí)現(xiàn)離子交換；

4）化學(xué)還原反應(yīng)：取出離子交換膜放入去離子水中，加熱至40℃，每30min升高10℃并加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.5%硼氫化鈉，溫度升至60℃后，加入足量的硼氫化鈉保證鉑離子還原完全.

將還原得到的IPMC放入［Pt（NH3）4］Cl2溶液中，加熱至40℃，每30min升高10℃并加入體積比為2∶1的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5%氯化羥胺和體積分?jǐn)?shù)為20%水合肼，溫度升至60℃后，再加入足量的氯化羥胺和水合肼，實(shí)現(xiàn)二次還原反應(yīng)并形成致密的電極層；

5）將得到的IPMC樣品保存在LiCl溶液中，經(jīng)上述方法制得的IPMC樣品如圖1所示，在電壓下驅(qū)動(dòng)的變形效果圖如圖2所示.

圖1 IPMC樣品Fig.1 IPMC sample

圖2 IPMC驅(qū)動(dòng)變形Fig.2 Deformation of IPMC under DC voltage

2 測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)

IPMC作為柔性驅(qū)動(dòng)裝置，其輸出力一般在毫牛級(jí)別，在測(cè)試系統(tǒng)中需選用微力傳感器進(jìn)行測(cè)量.IPMC力學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)主要由PXI虛擬儀器平臺(tái)、NI數(shù)據(jù)采集卡（PXIe－6361）、微力傳感器（XH11－50g）及變送器、雙路直流穩(wěn)壓電源、Agilent 33522A雙通道任意波形發(fā)生器、功率放大電路構(gòu)成，如圖3所示.測(cè)試系統(tǒng)中選用的數(shù)據(jù)采集卡是NI公司的PXIe－6361數(shù)據(jù)采集卡，該數(shù)據(jù)采集卡具有模擬輸入和輸出的功能，最大模擬輸入電壓在±10V，最大采樣頻率為2 MS／s，最大電壓范圍下的采樣精度為1.74mV，可提供所需的采樣頻率和采樣精度.該測(cè)試系統(tǒng)中可提供0～30V的直流電壓，可提供正弦波的頻率范圍為1 μHz～30MHz，分辨率為1μHz，系統(tǒng)的測(cè)力量程0～500mN，輸出靈敏度（0.3±0.2）mV／V.由于IPMC輸出力一般在毫牛級(jí)別，因此該系統(tǒng)的測(cè)力量程完全可以滿足IPMC的輸出力測(cè)試要求，同時(shí)在測(cè)量之前，需采用標(biāo)準(zhǔn)砝碼對(duì)測(cè)力傳感器進(jìn)行標(biāo)定.

測(cè)試系統(tǒng)的工作原理為波形發(fā)生器發(fā)出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，通過功率放大電路進(jìn)行放大后，驅(qū)動(dòng)IPMC發(fā)生形變；力傳感器感知力信號(hào)后，通過變送器將其轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)，由數(shù)據(jù)采集卡采集，傳輸?shù)接蒐ABVIEW編寫的測(cè)試軟件中進(jìn)行信號(hào)處理，并將信號(hào)顯示，從而得到IPMC的輸出力的測(cè)量結(jié)果.

圖3 IPMC輸出力特性測(cè)試系統(tǒng)Fig.3 The IPMC blocking force test system

3 測(cè)試軟件實(shí)現(xiàn)

在測(cè)試系統(tǒng)中，通過LABVIEW軟件來實(shí)現(xiàn)力信號(hào)的采集和處理.測(cè)試軟件界面如圖4所示，測(cè)試軟件主要由4大功能模塊組成，從左至右依次為采樣參數(shù)設(shè)置模塊、采樣數(shù)據(jù)處理模塊、波形數(shù)據(jù)顯示模塊、測(cè)試結(jié)果模塊等.

圖4 程序前面板Fig.4 The front panel program diagram

數(shù)據(jù)采集模塊使用NI－DAQ助手進(jìn)行編程，對(duì)IPMC在一段時(shí)間內(nèi)的輸出力進(jìn)行采集.圖5為數(shù)據(jù)采集的流程圖.具體的采集流程是首先選定數(shù)據(jù)采集的物理通道、采樣頻率、采樣模式和采樣時(shí)間等參數(shù)，然后數(shù)據(jù)采集卡根據(jù)設(shè)定對(duì)力傳感器進(jìn)行信號(hào)采集，通過波形圖控件直接觀察采樣時(shí)間內(nèi)力信號(hào)的變化是否正確，從而確定是否重新進(jìn)行采集.由于IPMC的輸出力很小，為了更精確地觀察IPMC輸出力的變化，采樣頻率一般選用1kHz.采集數(shù)據(jù)時(shí)，選用模擬輸入端AI0，以差分方式進(jìn)行采集.受力傳感器及外部設(shè)備精度限制，采集得到的數(shù)據(jù)存在噪聲信號(hào)，為了消除噪聲對(duì)信號(hào)的影響，在采樣之后，通過數(shù)據(jù)處理模塊選用低通濾波器對(duì)采樣數(shù)據(jù)進(jìn)行濾波降噪.同時(shí)為了得到力的數(shù)值，將波形圖轉(zhuǎn)化為數(shù)組數(shù)據(jù)，求出其最大值、最小值以及平均值.

圖5 數(shù)據(jù)采集流程圖Fig.5 The flowchart of data acquisition

4 測(cè)試結(jié)果與分析

圖6 IPMC在3V，0.5Hz電壓下的輸出力測(cè)試結(jié)果Fig.6 The result of blocking force of IPMC under AC 3V，0.5Hz

本文針對(duì)基膜厚度為178μm的商業(yè)基膜和厚度為420μm的自澆鑄基膜的IPMC分別進(jìn)行輸出力測(cè)試，以驗(yàn)證基于PXI虛擬儀器平臺(tái)的力測(cè)試系統(tǒng)的可行性.用于測(cè)試的商業(yè)基膜和自澆鑄基膜IPMC的尺寸相同，均為7mm×35mm，分別采用加交流電壓和直流電壓的方式對(duì)IPMC進(jìn)行驅(qū)動(dòng).圖6為測(cè)試系統(tǒng)在0.5Hz，3V的正弦交流電壓下IPMC的力測(cè)試結(jié)果，圖7是商業(yè)基膜和自澆鑄基膜的IPMC在頻率為0.5Hz，幅值分別在2，3，4V的正弦交流電壓下的輸出力測(cè)試結(jié)果，從測(cè)試結(jié)果可以得出，在0.5Hz，2～4 V的正弦交流電壓驅(qū)動(dòng)下，IPMC的力輸出也呈顯現(xiàn)出相同周期的正弦變化規(guī)律，同時(shí)隨著交流電壓的幅值增加，IPMC的最大輸出力也非線性地增大，原因是隨著電場強(qiáng)度的增加，IPMC內(nèi)部的水合陽離子的移動(dòng)速率增加，從而引起IPMC的輸出力增大.在直流電壓的驅(qū)動(dòng)下，對(duì)比商業(yè)基膜和自澆鑄基膜的IPMC的輸出力測(cè)試結(jié)果（見圖7），在相同外加電場作用下，厚度為420μm的自澆鑄基膜IPMC的輸出力要優(yōu)于厚度為178μm的商業(yè)基膜IPMC的輸出力，原因是厚度越大的基膜其內(nèi)部的水合陽離子含量也越多，從而在相同電場的作用下，會(huì)產(chǎn)生更大的輸出力；在施加直流驅(qū)動(dòng)電壓的過程中，隨著電壓的增大，兩種IPMC的輸出力也是逐漸增大的.圖8是商業(yè)基膜和自澆鑄基膜IPMC在0～5V的直流電壓驅(qū)動(dòng)下的力測(cè)試對(duì)比.從測(cè)試結(jié)果看，交流驅(qū)動(dòng)電壓和直流驅(qū)動(dòng)電壓的輸出力有著明顯的差別，主要原因是，IPMC內(nèi)部致動(dòng)的水合陽離子在電場的作用下需要一定的運(yùn)動(dòng)時(shí)間，直流電壓驅(qū)動(dòng)的情況下，IPMC有足夠的時(shí)間，使其內(nèi)部的水合陽離子向陰極聚集，從而產(chǎn)生較大的輸出力，而在交流電壓驅(qū)動(dòng)下，IPMC沒有充足的時(shí)間使其內(nèi)部的水合陽離子完全聚集到陰極，而是在不斷的進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)，從而輸出力較?。ㄒ妶D8）.

圖7 不同基膜的IPMC在不同電壓下的輸出力Fig.7 The blocking force of IPMC with different films under different AC voltage

圖8 直流驅(qū)動(dòng)下IPMC的輸出力對(duì)比Fig.8 The force of IPMC under different DC voltage

5 結(jié) 論

本文基于PXI虛擬儀器平臺(tái)開發(fā)了IPMC力學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，采用LABVIEW編程環(huán)境編寫了測(cè)試軟件，通過測(cè)試軟件對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理分析可實(shí)時(shí)得到IPMC的輸出力測(cè)試結(jié)果.在正弦交流電壓驅(qū)動(dòng)下，相同尺寸的IPMC，其輸出力隨時(shí)間也呈正弦規(guī)律變化，而且在正常的工作電壓下，隨著電壓幅值的增加，IPMC的最大輸出力也逐漸增大；在0～5V直流電壓驅(qū)動(dòng)下，隨著電壓的增加，IPMC的輸出力也逐漸增大，而且，厚度較大的自澆鑄基膜IPMC的輸出力要大于厚度較小的商業(yè)基膜IPMC.

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