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        四氧化三鈷/氧化石墨烯的合成及電容性能

        2014-07-25 10:08:13張玉娟宋朝霞劉偉雷敏劉貴昌
        電源技術(shù) 2014年10期
        關(guān)鍵詞:電流密度電容器電容

        張玉娟,宋朝霞,劉偉,雷敏,劉貴昌

        (1.大連理工大學(xué)化工學(xué)院,遼寧大連116024;2.大連民族學(xué)院生命科學(xué)學(xué)院,遼寧大連116600)

        四氧化三鈷/氧化石墨烯的合成及電容性能

        張玉娟1,2,宋朝霞2,劉偉1,雷敏2,劉貴昌1

        (1.大連理工大學(xué)化工學(xué)院,遼寧大連116024;2.大連民族學(xué)院生命科學(xué)學(xué)院,遼寧大連116600)

        采用水熱合成法,以CoCl2·6 H2O為原料、尿素為沉淀劑,制備Co3O4/GONS復(fù)合體作為超級(jí)電容器的電極材料。對(duì)樣品的物相結(jié)構(gòu)、微觀形貌和電容性能進(jìn)行表征和測(cè)試。結(jié)果表明:純Co3O4材料呈納米纖維狀;復(fù)合一定量的GO后,Co3O4呈現(xiàn)片狀孔隙結(jié)構(gòu),由很多10~20 nm的微小顆粒相互連接構(gòu)成,并且Co3O4薄片緊湊成束狀分布在GO表面上。由于靜電吸引及配位作用形成的GO對(duì)Co2+離子的限域效應(yīng),確保了鈷氧化物在納米GO片上的二維可控生長(zhǎng)。Co3O4/GONS電極材料具有較好的電容性能,在0.5A/g的電流密度下比電容能達(dá)到444 F/g,比純Co3O4的比電容(298 F/g)提高了49%;當(dāng)電流密度增加至5A/g時(shí),比電容還能保持在262 F/g。

        超級(jí)電容器;四氧化三鈷/氧化石墨烯復(fù)合材料;電極材料;水熱合成

        超級(jí)電容器具有高功率、高比容量、循環(huán)性能好的優(yōu)點(diǎn),作為一種新型能量存儲(chǔ)裝置,超級(jí)電容器的研究越來(lái)越受到人們的重視。目前對(duì)于超級(jí)電容器的研究主要是圍繞著開(kāi)發(fā)各種電極材料。超級(jí)電容器的電極材料分為碳材料、導(dǎo)電聚合物和過(guò)渡金屬氧化物。每一種材料在超級(jí)電容器的應(yīng)用方面都有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì),其中,碳材料具有突出的導(dǎo)電性和循環(huán)壽命,但其雙電層比容量較低;導(dǎo)電聚合物因循環(huán)壽命較差限制了其應(yīng)用;過(guò)渡金屬氧化物具有很大的比容量但是導(dǎo)電性差。碳材料、過(guò)渡金屬氧化物和導(dǎo)電聚合物的二元或三元復(fù)合材料可以充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)、避免性能方面的缺陷,因此成為科學(xué)家們研究的熱點(diǎn)。

        石墨烯作為一種新型碳材料,獨(dú)特的二維單原子層納米片狀結(jié)構(gòu)使其具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性質(zhì),同時(shí)還具有極大的比表面積[1-2]。在過(guò)渡金屬材料中,Co3O4具有理論電化學(xué)容量高(~3560 F/g)、資源豐富、可逆性好、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)[3-5]。Co3O4與石墨烯材料的復(fù)合是研究的熱點(diǎn),利用石墨烯巨大的比表面積、高導(dǎo)電性和Co3O4較高的比容量,通過(guò)將Co3O4包覆在石墨烯表面上來(lái)提高復(fù)合材料的電化學(xué)性能。Co3O4與石墨烯的復(fù)合制備已有很多報(bào)道,Zhou Weiwei等[6]利用表面活性劑輔助法制備Co3O4/reduced GO(rGO)復(fù)合材料,在6mol/L KOH電解液,1A/g電流密度下比電容值為163.8 F/g;Wang Bei等[7]采用液相回流法制備Co3O4/Graphene(G)復(fù)合材料,在2mol/L KOH電解液,5mV/s掃描速率下比電容達(dá)到478 F/g;Yan Jun等[8]和Sukeun Park等[9]采用微波法制備Co3O4/Graphene(G)復(fù)合材料,在6mol/L KOH電解液,10mV/s掃描速率下比電容分別為243和317 F/g。四氧化三鈷與氧化石墨烯的復(fù)合還沒(méi)有被廣泛研究,這主要是因?yàn)镚O的導(dǎo)電性比較差。

        本文采用簡(jiǎn)單易行的水熱法制備Co3O4/GONS復(fù)合材料,通過(guò)X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)考察了復(fù)合體的結(jié)構(gòu)特征及微觀形貌,并研究了其在1mol/L KOH溶液中的電容性能。研究發(fā)現(xiàn),Co3O4/GONS復(fù)合材料在0.5A/g的電流密度下比電容能達(dá)到444 F/g,當(dāng)電流密度增大10倍時(shí),比電容還能保持59%。

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 氧化石墨的制備

        以天然石墨鱗片為原料,通過(guò)改進(jìn)的Hummers′法[10]制備氧化石墨。將1 g天然石墨鱗片和80mL濃硫酸在室溫下混合均勻,攪拌中加入4 g NaNO3,將混合液進(jìn)行冰水浴處理,緩慢加入8 g KMnO4,溫度保持0℃持續(xù)攪拌3h。將水浴溫度升高到40℃繼續(xù)攪拌2h,加入200mL去離子水稀釋,然后將混合溶液轉(zhuǎn)入98℃的油浴鍋中油浴30min。接著將30mL的30%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))H2O2加入到混合溶液中結(jié)束實(shí)驗(yàn)。趁熱過(guò)濾,在過(guò)濾過(guò)程中用5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的HCl反復(fù)洗滌,然后用去離子水洗滌幾次,最后將樣品在45℃的真空干燥箱中充分干燥得到氧化石墨粉末。

        1.2 Co3O4/GONS復(fù)合材料的制備

        取250mg氧化石墨粉末溶于500mL去離子水中,超聲1h。在3500 r/min下離心25min除去極少量未剝離的氧化石墨。離心得到的均相GO懸浮液可直接用于制備Co3O4/GONS復(fù)合材料。

        取3mmol CoCl2·6 H2O溶于80mL GO懸浮液中,攪拌20min后將20mmol CO(NH2)2加入到混合溶液中,繼續(xù)攪拌20min后將混合液倒入內(nèi)襯聚四氟乙烯的不銹鋼高壓反應(yīng)釜內(nèi),于95℃恒溫下反應(yīng)8h。冷卻至室溫,并用去離子水和無(wú)水乙醇反復(fù)洗滌,過(guò)濾,將所得沉淀物在60℃的真空干燥箱中干燥12h。最后將產(chǎn)物放在馬弗爐中以2℃/min的升溫速率達(dá)到250℃熱處理溫度保溫4h。

        按照上述同樣的制備工藝,把氧化石墨烯換成去離子水制備純的Co3O4材料作為對(duì)比樣品。實(shí)驗(yàn)所用試劑均為分析純。

        1.3 結(jié)構(gòu)表征和電化學(xué)性能測(cè)試

        采用X射線衍射儀(CuKα輻射,管電壓為40 kV,管電流為200mA)對(duì)樣品進(jìn)行物相分析。使用紅外光譜儀對(duì)樣品進(jìn)行紅外光譜測(cè)試分析。用掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)樣品進(jìn)行形貌表征,工作電壓為3.0 kV。用透射電子顯微鏡(TEM)對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)表征。用電化學(xué)工作站進(jìn)行循環(huán)伏安和恒流充放電測(cè)試。以1mol/L KOH為電解液,參比電極為Hg/HgO電極,輔助電極為鉑片進(jìn)行三電極體系測(cè)試。

        1.4 工作電極的制備

        將活性材料、乙炔黑和聚四氟乙烯(PTFE)按質(zhì)量比8∶1∶1混合,加入適量無(wú)水乙醇使三者充分混合,制成漿狀,滾壓成一定厚度的薄片,并裁取1 cm2約5mg的薄片壓在泡沫鎳上制成電極片,然后在真空干燥箱中60℃下真空干燥約12h。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 X射線衍射光譜分析

        圖1是復(fù)合材料煅燒前和煅燒后的X射線衍射(XRD)圖譜。經(jīng)與Co(CO3)0.35Cl0.2(OH)1.1·1.74 H2O(JCPDS No.38-0547)和Co3O4(JCPDS No.42-1467)標(biāo)準(zhǔn)圖譜對(duì)比,煅燒前的樣品在17.2°、26.3°、33.4°、34.9°、36.2°、39.2°、46.6°和61.4°出現(xiàn)了Co3O4前驅(qū)體Co(CO3)0.35Cl0.2(OH)1.1·1.74 H2O的特征衍射峰。而Co3O4/GONS復(fù)合材料在19.0°、31.3°、36.8°、38.7°、44.8°、55.8°、59.4°和65.2°的特征衍射峰分別對(duì)應(yīng)(111)、(220)、(311)、(222)、(400)、(422)、(511)和(440)晶面,沒(méi)有其它雜質(zhì)峰出現(xiàn),說(shuō)明前驅(qū)體全部轉(zhuǎn)化成了Co3O4。由于Co3O4分布在GO表面上阻止了GO的團(tuán)聚,導(dǎo)致GO在26°處的特征衍射峰幾乎觀察不到[11]。

        圖1 Co3O4/GONS復(fù)合材料煅燒前后的X射線衍射圖譜

        2.2 紅外分析

        圖2是Co3O4/GONS和GO的紅外光譜圖。由圖2可出,GO在1647 cm-1處有較強(qiáng)的C=C吸收峰,在1732 cm-1附近出現(xiàn)羧酸或羰基的C=O伸縮振動(dòng)吸收峰,1401 cm-1是-COOH中C-O的伸縮振動(dòng)吸收峰,而在1258和1123 cm-1處的吸收峰分別是由醚和醇的C-O伸縮振動(dòng)產(chǎn)生[12]。在水熱處理之后,GO的含氧特征峰沒(méi)有發(fā)生明顯變化,盡管有些報(bào)道說(shuō)水熱法是氧化石墨烯轉(zhuǎn)化成石墨烯的有效途徑[13-14],但溫度要求必須達(dá)到180℃以上,而本文的實(shí)驗(yàn)溫度只有95℃,致使氧化石墨烯未能轉(zhuǎn)換成石墨烯。

        圖2 Co3O4/GONS復(fù)合材料與GO的紅外光譜圖

        2.3 SEM觀察

        圖3分別是純Co3O4樣品和Co3O4/GONS復(fù)合材料的SEM圖。由圖3(a)、圖3(b)分析得出,純Co3O4材料呈納米纖維狀,并且粗糙的表面上分布著許多細(xì)小顆粒。而Co3O4/GONS復(fù)合材料中[圖3(c)、圖3(d)],Co3O4是由很多不規(guī)格的納米顆粒組成的片狀結(jié)構(gòu),片狀緊湊在一起形成束狀結(jié)構(gòu),其直徑為100~200 nm,長(zhǎng)度約為1~2 μm。這是因?yàn)镚O的表面及邊緣含有大量的含氧官能團(tuán),帶負(fù)電的含氧官能團(tuán)通過(guò)靜電吸引及配位作用與Co2+連接在一起,從而使Co2+吸附在GO表面上,GO表面上的Co2+與尿素緩慢水解產(chǎn)生的OH-和CO2-結(jié)合,煅燒之后形成片狀結(jié)構(gòu)。相對(duì)于G和rGO,GO能夠提供更多的含氧官能團(tuán)來(lái)吸附Co2+,GO對(duì)Co2+離子的限域效應(yīng)確保了鈷氧化物在納米GO片上的二維可控生長(zhǎng)。而GO的形貌并不明顯,這主要是由于GO的表面被Co3O4粒子覆蓋,這與XRD測(cè)試的結(jié)果相一致。

        圖3 純Co3O4和Co3O4/GONS復(fù)合材料的SEM圖

        2.4 TEM觀察

        從圖4可以看出,納米顆粒的直徑在10~20 nm,這是由于煅燒過(guò)程中不斷有CO2和H2O氣體放出,致使Co3O4生成許多自組裝的納米顆粒[15],顆粒之間相互連接形成介孔結(jié)構(gòu),這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)減小了電子和離子傳遞到活性材料表面的阻力,增大了材料的比表面積,提高了活性分子的利用率,有利于電極材料電容性能的提高。

        圖4 Co3O4/GONS復(fù)合材料的透射電鏡圖

        2.5 循環(huán)伏安測(cè)試

        圖5是Co3O4/GONS復(fù)合材料在1mol/L KOH電解液中,電壓窗口為0~0.6V,掃描速率分別是5、10、20和50mV/s時(shí)的循環(huán)伏安(CV)曲線。由CV曲線可知,掃描過(guò)程中都有一對(duì)很強(qiáng)的氧化還原峰,說(shuō)明Co3O4/GONS復(fù)合材料在充放電過(guò)程中發(fā)生了可逆的氧化還原反應(yīng),電極是通過(guò)法拉第反應(yīng)儲(chǔ)存電荷,產(chǎn)生了與雙電層電容不同的贗電容。而隨著掃描速率的增加,峰電流增大,氧化峰和還原峰的位置發(fā)生明顯偏移,這主要是由電極內(nèi)阻和電子在電極中的擴(kuò)散速率降低引起的。當(dāng)掃描速率較大時(shí),電子只能達(dá)到電極表面,不能進(jìn)入電極內(nèi)部,活性物質(zhì)的利用率較低,導(dǎo)致了電極材料電容性能的下降。

        圖5 Co3O4/GONS復(fù)合材料在不同掃描速率下的循環(huán)伏安曲線

        Co3O4產(chǎn)生法拉第贗電容的機(jī)理是[4-5]:

        從上述機(jī)理可以看出,電荷的存儲(chǔ)與釋放伴隨著鈷化合價(jià)的變化。CV曲線上的氧化峰和還原峰分別對(duì)應(yīng)著上述的氧化反應(yīng)和還原反應(yīng),理論上應(yīng)該出現(xiàn)Co(OH)2/Co3O4、Co3O4/CoOOH、CoOOH/CoO2三對(duì)氧化還原峰,但是只觀察到一對(duì)很明顯的氧化還原峰,這可能是由于Co3O4與GO的復(fù)合使另兩對(duì)氧化還原峰變寬,致使我們幾乎觀察不到。圖5中的小圖分別是純Co3O4電極材料和Co3O4/GONS復(fù)合材料在10mV/s掃描速率時(shí)的循環(huán)伏安曲線。從圖上看出,兩種電極材料的CV曲線形狀基本相似,而相對(duì)于純Co3O4,復(fù)合材料的氧化峰和還原峰的電位差較小,可能是由于與GO的復(fù)合,使電極的電化學(xué)極化和濃差極化降低;同時(shí)峰電流和循環(huán)曲線的面積增大,說(shuō)明通過(guò)復(fù)合使Co3O4和GO發(fā)生了協(xié)同作用從而實(shí)現(xiàn)了電容的提高。

        2.6 恒電流充放電測(cè)試

        恒電流充放電測(cè)試是考察超級(jí)電容器電容性最直接的方法。圖6為Co3O4/GONS電極材料在不同電流密度下的恒電流放電曲線,放電電流密度分別為0.5、0.8、1.0、2.0、4.0和5.0A/g,電位區(qū)間是0~0.55V。由放電曲線可知,電極的電位與時(shí)間并非線性關(guān)系,可以觀察到一個(gè)很明顯的放電平臺(tái),放電平臺(tái)對(duì)應(yīng)了CV曲線上的還原峰,電極的放電曲線展示了與循環(huán)伏安曲線一致的法拉第贗電容特性。

        圖6 Co3O4/GONS復(fù)合材料在不同電流密度下的恒流放電曲線

        圖6中的小圖分別是純Co3O4和Co3O4/GONS電極在0.5A/g電流密度下的恒電流放電曲線,計(jì)算得兩電極的放電比電容分別為298和444 F/g??梢钥闯鯟o3O4/GONS復(fù)合材料與純Co3O4相比電容量有顯著的提高,這主要是由于其獨(dú)特的微結(jié)構(gòu),如圖3所示:(1)GO與Co3O4之間的協(xié)同作用;(2)Co3O4/GONS復(fù)合材料的片狀孔隙結(jié)構(gòu),這種介孔結(jié)構(gòu)擁有更大的比表面積,從而為活性電極材料和電解液之間提供更大的有效接觸面積,提高了活性分子的利用率,同時(shí)有利于電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中儲(chǔ)存一些額外的電子和離子。此外介孔結(jié)構(gòu)增大了活性分子與電解液之間的通道,降低了離子擴(kuò)散阻力,使電解質(zhì)物質(zhì)在電極材料內(nèi)部快速地嵌入和脫出,這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)大大提高了復(fù)合材料的比電容。

        3 結(jié)論

        本文采用水熱合成法合成了Co3O4和GO的復(fù)合體,研究發(fā)現(xiàn),復(fù)合材料中Co3O4是由納米晶粒組成的片狀孔隙結(jié)構(gòu),片狀緊湊成束狀,這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)使復(fù)合材料的比表面積增大、電子到電極表面的傳荷阻力降低。電化學(xué)性能測(cè)試表明,純Co3O4在0.5A/g電流密度下比電容為298 F/g,而復(fù)合電極材料在0.5A/g下放電比電容能達(dá)到444 F/g,即使在2.0A/g的大電流密度下電容量仍能保持90%以上,這就要?dú)w結(jié)于復(fù)合材料獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu),還有GO與Co3O4之間的協(xié)同作用。Co3O4/GONS復(fù)合材料優(yōu)異的電容性能表明,Co3O4/GONS是超級(jí)電容器理想的電極材料。

        [1]宋峰,于音.什么是石墨烯-2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)介紹[J].大學(xué)物理,2011,30(1):7-12.

        [2]ZHU Y W,SHANTHI M,STOLLER M D,et al.Carbon-based supercapcitors produced by activation of grapheme[J].Science,2011,332: 1537-1541.

        [3]ZHENG M B,CAO J,LIAO S T,et al.Preparation ofmesoporous Co3O4nanoparticles via solid-liquid route and effects of calcination temperature and textural parameters on their electrochemical capacitive behaviors[J].The Journal of Physical Chemistry C,2009,113 (9):3887-3894.

        [4]KUMAR M S,RANGA R G.Ultralayered Co3O4forhigh-performance supercapacitor applications[J].The Journal of Physical Chemistry C,2011,115(31):15646-15654.

        [5]KUMAR M S,RANGA R G.Effect ofmicrowave on the nanowiremorphology,optical,magnetic,and pseudocapacitance behavior of Co3O4[J].The Journal of Physical Chemistry C,2011,115(51): 25543-25556.

        [6]ZHOU W W,LIU J P,CHEN T,et al.Fabrication of Co3O4-reduced graphene oxide scrolls forhigh-performance supercapacitor electrodes[J].Physical Chemisty Chemical Physics,2011,13:14462-14465.

        [7]WANG B,WANG Y,JINSOO P,et al.In situ synthesis of Co3O4/ graphene nanocompositematerial for lithium-ion batteries and supercapacitors withhigh capacity and supercapacitance[J].Journal ofAlloys and Compounds,2011,509(29):7778-7783.

        [8]YAN J,WEI T,QIAO W M,et al.Rapidmicrowave-assisted synthesis of graphene nanosheet/Co3O4composite for supercapacitors[J]. ElectrochimicaActa,2010,55(23):6973-6978.

        [9]SUKEUN P,SEOK K.Effect of carbon blacks filler addition on electrochemical behaviors of Co3O4/graphene nanosheets as a supercapacitor electrodes[J].ElectrochimicaActa,2013,89:516-522.

        [10]WILLIAM S,HUMMERS J,RICHARD E O.Preparation of graphitic oxide[J].The Journal ofAmerican Chemical Society,1958,80 (6):1339.

        [11]LONG D H,LI W,LING L C,et al.Preparation of nitrogen-doped graphene sheets by a combined chemical andhydrothermal reduction of graphene oxide[J].Langmuir,2010,26(20):16096-16102.

        [12]SUNGJIN P,LEE K S,GULAY B,et al.Graphene oxide papersmodified by divalent ions-enhancingmechanical properties via chemical cross-linking[J].ACS Nano,2008,2(3):572-578.

        [13]ZHOU Y,BAO Q L,AI L,et al.Hydrothermal dehydration for the "green"reduction of exfoliated graphene oxide to graphene and demonstration of tunable optical limiting properties[J].Chemistry of Materials,2009,21(13):2950-2956.

        [14]XU Y X,SHENG K X,LI C,et al.Self-assembled graphenehydrogel via a one-stephydrothermal process[J].ACS Nano,2010,4(7): 4324-4330.

        [15]HUANG H,ZHU W J,TAO X Y,et al.Nanocrystal-constructedmesoporous single-crystalline Co3O4nanobelts with superior rate capability for advanced lithium-ion batteries[J].ACSApplied Materials&Interfaces,2012,4(11):5974-5980.

        Hydrothermal synthesis and electrochemical properties of Co3O4/graphene oxide composite

        ZHANG Yu-Juan1,2,SONG Zhao-Xia2,LIU Wei1,LEI Min2,LIU Gui-Chang1

        The Co3O4/GONS(graphene oxide nanosheets)composite was prepared with CoCl2·6 H2O as rawmaterial and urea as a precipitating agent via a facilehydrothermal route.Themorphology,microstructure and capacitive performance of the composite were characterized.It was revealed that the prepared pure Co3O4was fibrous.As for Co3O4/GONS composite,Co3O4which was composed bymany fine interconnected nanoparticles(10-20 nm)showed the nanosheetmorphology,and the Co3O4nanosheets aggregate into a beam shape on the surface of GO.The formation of Co3O4nanosheets could be interpreted that the confinement of Co2+on GONS due to electrostatic and coordination interaction could ensure controlled crystal growth of 2-dimensional cobalt oxides on the surface of GO. The Co3O4/GONS electrodematerials exhibit excellent capacitive performance.The specific capacitance reaches 444 F/g at a current density of 0.5A/g,which increases by 49%in comparison with pure Co3O4electrode,and still remains 262 F/g at 5A/g.

        supercapacitor;Co3O4/GONS composite;electrodematerials;hydrothermal synthesis

        TM 53

        A

        1002-087 X(2014)10-1875-04

        2014-03-10

        中央高校專項(xiàng)基金(DC13010207)

        張玉娟(1987—),女,山東省人,碩士研究生,主要研究方向?yàn)槌?jí)電容器電極材料。

        宋朝霞,副教授,E-mail:szx@dlnu.edu.cn

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