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        高壓電機(jī)定子線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)與電容關(guān)系的研究

        2014-07-24 19:00:32梁智明漆臨生張小俊何海洋黃紹波
        上海大中型電機(jī) 2014年4期
        關(guān)鍵詞:線棒端部因數(shù)

        胡 波,梁智明,漆臨生,周 進(jìn),張小俊, 何海洋,黃紹波

        (東方電氣集團(tuán)東方電機(jī)有限公司,四川德陽 618000)

        高壓電機(jī)定子線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)與電容關(guān)系的研究

        胡 波,梁智明,漆臨生,周 進(jìn),張小俊, 何海洋,黃紹波

        (東方電氣集團(tuán)東方電機(jī)有限公司,四川德陽 618000)

        對(duì)高壓電機(jī)定子條式線棒的槽部與端部進(jìn)行了絕緣結(jié)構(gòu)和防暈結(jié)構(gòu)分析。首次建立了線棒槽部與端部的兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)及對(duì)地電容的電路模型,同時(shí)使用兩電極測(cè)試方法分別測(cè)試并分析了電極長(zhǎng)度與外施電壓對(duì)整體性良好線棒與嚴(yán)重脫殼線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)和電容的影響。計(jì)算得到了介質(zhì)損耗因數(shù)與電容的數(shù)值關(guān)系,為高壓電機(jī)整機(jī)介質(zhì)損耗因數(shù)的計(jì)算提供了理論支撐與試驗(yàn)依據(jù)。

        高壓電機(jī);定子線棒;兩電極;介質(zhì)損耗因數(shù);電容

        0 引言

        近二十年來,國(guó)內(nèi)制造廠引進(jìn)、消化、吸收了很多國(guó)外電機(jī)定子線棒與整機(jī)繞組的新技術(shù),推廣使用了很多新型絕緣材料、新絕緣結(jié)構(gòu)或制造工藝,大大提高了線棒絕緣的電氣及機(jī)械性能。部分廠的線棒絕緣已接近或達(dá)到了世界先進(jìn)水平。

        盡管多年來國(guó)內(nèi)多膠模壓或少膠真空壓力浸漬(VPI)的單只成型線棒絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試及其考核標(biāo)準(zhǔn)已按照國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行,很大程度上能夠檢測(cè)出了線圈絕緣內(nèi)部微氣隙,但仍然無法完全避免少量氣隙在運(yùn)行電壓下的局部放電可能引起電、化學(xué)、機(jī)械、光、聲等多因子老化。這會(huì)加速定子繞組在運(yùn)行過程中的絕緣老化,進(jìn)而縮短定子線棒絕緣的壽命。而采用整體真空壓力浸漬(GVPI)工藝[1]的各類發(fā)電機(jī)或電動(dòng)機(jī)定子繞組與線圈的考核也存在很大的困難。

        業(yè)內(nèi)對(duì)于考核單只定子線圈內(nèi)部絕緣氣隙放電的測(cè)試方法主要為三電極測(cè)試介質(zhì)損耗因數(shù),而更接近于真機(jī)運(yùn)行狀態(tài)的整機(jī)繞組絕緣內(nèi)外氣隙放電情況更加受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注。作為其中一項(xiàng)重要的考核手段,整機(jī)繞組兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試卻因受到繞組端部較大的電導(dǎo)性泄漏電流的干擾而無法準(zhǔn)確表征繞組整體絕緣性能。

        筆者對(duì)高壓電機(jī)定子條式線棒的槽部與端部進(jìn)行了絕緣結(jié)構(gòu)和防暈結(jié)構(gòu)分析。首次建立了線棒槽部與端部的兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)及對(duì)地電容的電路模型。使用兩電極測(cè)試方法分別測(cè)試并分析了電極長(zhǎng)度與外施電壓對(duì)整體性良好線棒與嚴(yán)重脫殼線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容的影響,計(jì)算得到了介質(zhì)損耗因數(shù)與電容的關(guān)系,為高壓電機(jī)整機(jī)介質(zhì)損耗因數(shù)的計(jì)算提供了理論支撐和試驗(yàn)依據(jù)。結(jié)果表明,絕緣整體性良好線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容均由恒定的槽部初始值與線性增加的端部增量疊加而成。而絕緣嚴(yán)重脫殼線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容則包括恒定的槽部分量、激增的槽部增量與線性增加的端部增量。

        2 試驗(yàn)部分

        2.1 試驗(yàn)樣品

        1) 3只額定線電壓Un為13.8 kV的真機(jī)定子線棒(1號(hào)~3號(hào)),絕緣整體性良好。

        2) 3只額定線電壓Un為13.8 kV的真機(jī)定子線棒(4號(hào)~6號(hào)),經(jīng)冷熱循環(huán)處理后線棒主絕緣與銅線脫空,絕緣嚴(yán)重脫殼。

        2.2 試驗(yàn)設(shè)備

        LDSV-6型局放介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x。

        2.3 測(cè)試方法

        按照IEEE std 286中兩電極方法測(cè)試。

        2.4 試驗(yàn)線路

        線棒介質(zhì)損耗因數(shù)與電容的兩電極測(cè)試線路如圖1所示。

        T1. 調(diào)壓器; T2. 試驗(yàn)變壓器; T3. 高壓表; Cp. 標(biāo)準(zhǔn)電容器;

        2.5 測(cè)試電極長(zhǎng)度

        線棒某一端的測(cè)試電極長(zhǎng)度如圖2所示,假設(shè)另一端結(jié)構(gòu)相同且對(duì)稱。測(cè)試電極長(zhǎng)度由點(diǎn)P處向兩端延伸,每次電極兩端各延長(zhǎng)20 mm,即測(cè)試電極長(zhǎng)度分別等于每次鋁箔包裹的長(zhǎng)度L0、L1、L2、L3、L4、L5,相鄰Li的增量ΔL均為40 mm,同時(shí)第一次鋁箔包裹長(zhǎng)度L0等于可見低阻長(zhǎng)度。

        1. 線棒銅線; 2. 線棒主絕緣; 3. 線棒槽部低阻層;

        2.6 試驗(yàn)電壓

        對(duì)線棒施加工頻交流電壓,測(cè)試電壓為0~Un,其中tanδ0為線棒在氣隙放電前的介質(zhì)損耗因數(shù)初始值,Δtanδ為線棒氣隙放電前后的介質(zhì)損耗因數(shù)變化值,C0為線棒在氣隙放電前的對(duì)地電容初始值,ΔC為線棒氣隙放電前后的電容變化值。

        2.7 試驗(yàn)結(jié)果

        絕緣整體性良好的1號(hào)線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ與電容C隨施加電壓U的變化情況如圖3~圖4所示。

        圖3 1號(hào)線棒tanδ~U在不同電極長(zhǎng)度下的曲線

        圖4 1號(hào)線棒C~U在不同電極長(zhǎng)度下的曲線

        由圖3和圖4可知,無論電極長(zhǎng)度如何變化,隨著外施電壓的升高,線棒的tanδ與C基本線性增加。同時(shí)前面4個(gè)電極長(zhǎng)度(L0,L1,L2,L3)下的tanδ~U曲線與C~U曲線基本上分別重合;后面2個(gè)電極長(zhǎng)度(L4,L5)下,tanδ減小而C增大。

        絕緣嚴(yán)重脫殼的4號(hào)線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ與電容C隨施加電壓U的變化情況如圖5~圖6所示。

        圖5 4號(hào)線棒tanδ~U在不同電極長(zhǎng)度下的曲線

        圖6 4號(hào)線棒C~U在不同電極長(zhǎng)度下的曲線

        由圖5和圖6可知,無論電極長(zhǎng)度如何變化,隨著外施電壓的升高,線棒的tanδ與C均經(jīng)歷了基本不變至連續(xù)增長(zhǎng)的過程。同時(shí)前面4個(gè)電極長(zhǎng)度(L0,L1,L2,L3)下的tanδ~U曲線與C~U基本上分別重合;在后面2個(gè)電極長(zhǎng)度(L4,L5)下,tanδ略微減小而C增大。

        3 理論模型

        3.1 線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)的構(gòu)成

        分析線棒絕緣結(jié)構(gòu)、防暈結(jié)構(gòu)和兩電極測(cè)試線路可知:兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)包括線棒槽部介質(zhì)損耗因數(shù)與線棒端部介質(zhì)損耗因數(shù)兩部分。根據(jù)復(fù)合介質(zhì)并聯(lián)組合的等值計(jì)算公式[2]可知,線棒槽部和端部的合成介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ(即線棒介質(zhì)損耗測(cè)試值)可用式(1)計(jì)算得到。該公式可用于疊加計(jì)算線棒介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ及其兩個(gè)組成分量(槽部介質(zhì)損耗tanδs與端部介質(zhì)損耗tanδe)的數(shù)值關(guān)系,而不適用于分別計(jì)算槽部或端部介質(zhì)損耗及其增量。

        (1)

        式中:tanδs為線棒槽部絕緣的介質(zhì)損耗;tanδe為線棒端部絕緣的介質(zhì)損耗;Cs為線棒槽部絕緣的電容;Ce為線棒端部絕緣的電容。

        而線棒槽部或端部的介質(zhì)損耗分別由線棒在較低電壓下的初始介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ0及線棒在較高電壓下的介質(zhì)損耗增量Δtanδ組成,如式(2)所示。

        (2)

        MOHSEN.F[3]認(rèn)為介質(zhì)損耗主要來自四個(gè)方面:流經(jīng)絕緣體內(nèi)或表面的電導(dǎo)損耗、由偶極子轉(zhuǎn)向極化引起的松弛損耗、空間電荷引起的界面極化損耗以及氣隙擊穿引起的局部放電損耗。

        3.2 線棒兩電極電容的構(gòu)成

        在忽略線棒端部雜散電容和寄生電容情況下,線棒兩電極電容C主要包括線棒測(cè)試電極范圍內(nèi)的靜態(tài)電容C0與外施高壓作用下的等值電容增量C1兩部分。等值電容增量C1只在外施高壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí)存在,包括槽部氣隙放電增量ΔCs和端部電極效應(yīng)引起的電容增量ΔCe。

        3.3 介質(zhì)損耗損耗因數(shù)初始值tanδ0

        線棒介質(zhì)損耗因數(shù)初始值包括槽部絕緣介質(zhì)損耗初始值與端部絕緣介質(zhì)損耗初始值。

        3.3.1 槽部介質(zhì)損耗初始值tanδs0

        在施加電壓較低且絕緣內(nèi)部氣隙的電壓尚未達(dá)到氣隙擊穿所需的電壓值時(shí),線棒槽部介質(zhì)損耗測(cè)試值,槽部絕緣介質(zhì)損耗初始值表征了線棒自身絕緣特性,由線棒絕緣結(jié)構(gòu)、絕緣工藝和絕緣材料所決定。主要由槽部絕緣內(nèi)部的電導(dǎo)損耗和松弛損耗貢獻(xiàn)。

        3.3.2 端部介質(zhì)損耗初始值tanδe0

        在剛施加電壓時(shí),線棒端部介質(zhì)損耗測(cè)試值。端部介質(zhì)損耗初始值主要表征了線棒端部防暈特性,由端部防暈材料、防暈結(jié)構(gòu)、防暈工藝所決定,主要由端部表面含SiC材料的防暈層的電導(dǎo)損耗貢獻(xiàn)。

        3.4 介質(zhì)損耗因數(shù)增量Δtanδ

        線棒介質(zhì)損耗增量包括槽部絕緣介質(zhì)損耗增量Δtanδs與端部介質(zhì)損耗增量Δtanδe。

        3.4.1 槽部絕緣介質(zhì)損耗增量Δtanδs

        槽部絕緣介質(zhì)損耗增量主要由絕緣內(nèi)部氣隙擊穿放電引起,主要由局部放電損耗所貢獻(xiàn)。介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電擊穿的模型[4]如圖7所示。

        (a) 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電模型,左側(cè)為不放電部分,右側(cè)為含有放電氣隙的支路;(b) 放電前等值電路;(c) 放電后等值電路。圖7 介質(zhì)內(nèi)氣隙放電模型及等值電路

        在圖7中,Ci為與放電氣隙處于不同支路的氣隙和介質(zhì)的總電容,Cg為放電氣隙的總電容,Cir為與放電氣隙位于同一條支路中的氣隙和介質(zhì)的總電容。

        在氣隙兩端電壓逐漸增加且在一定電壓下發(fā)生擊穿并形成導(dǎo)電通道時(shí),相當(dāng)于氣隙短路,該支路電容增加。而不放電介質(zhì)的等值電阻和等值電容均不發(fā)生變化。因此,隨著外施電壓的升高,槽部介質(zhì)損耗增量Δtanδs只與槽部等值電容增量ΔCs有關(guān)。

        3.4.2 端部介質(zhì)損耗增量Δtanδe

        因?yàn)榫€棒端部表面擁有可均勻端部表面電位分布的防暈層(以SiC為基材)且外施電壓最高只有Un。所以線棒端部表面電位梯度遠(yuǎn)低于其四周空氣氛圍的表面放電所需的電場(chǎng)強(qiáng)度,不會(huì)引起線棒端部表面電暈或火花放電,進(jìn)而增加線棒端部表面放電的附加損耗。因此,端部介質(zhì)損耗增量主要由端部表面防暈層的電導(dǎo)損耗隨外施電壓的升高而增加引起的。定子線棒端部等值電路圖如圖8所示。

        因?yàn)榫€棒端部表面防暈層的表面電阻阻抗遠(yuǎn)小于表面容抗,端部對(duì)地容抗遠(yuǎn)小于體積電阻阻抗,所以圖8(a)可簡(jiǎn)化為圖8(b)[5]。

        Cs. 單位長(zhǎng)度的表面電容,Cv. 單位體積的體積電容,Rs. 單位長(zhǎng)度的表面電阻,Rv. 單位體積的體積電阻圖8 定子線棒端部等值電路圖

        因此,端部介質(zhì)損耗增量可以認(rèn)為是由單位長(zhǎng)度表面電阻與對(duì)應(yīng)的單位體積的體積電容兩者組成的電路單元在外施電壓下的數(shù)值變化引起的。在單位體積電容隨外施電壓基本不變的條件下,端部介質(zhì)損耗增量Δtanδe只與單位長(zhǎng)度表面電阻的連續(xù)降低(即防暈層的電阻非線性)有關(guān)。

        很多研究指出[5-7],當(dāng)SiC防暈材料外施場(chǎng)強(qiáng)E不高于4 kV/cm時(shí),材料表面電阻率的對(duì)數(shù)lgρ與外施場(chǎng)強(qiáng)E的關(guān)系近似于負(fù)線性關(guān)系。而端部介質(zhì)損耗正比于端部有功電流,即反比于端部表面電阻率。因此,可以認(rèn)為Δtanδe∝1/lgρ。宋建成等[5]指出,在外施場(chǎng)強(qiáng)變化范圍較小時(shí),對(duì)數(shù)曲線lgρ~E與曲線ρ~E差異很小。因此,隨著外施電壓的升高,端部介質(zhì)損耗也隨之線性增加。

        同時(shí)隨著外施電壓的升高,與點(diǎn)P相鄰的第一個(gè)電路單元中表面電阻逐漸降低以至于對(duì)應(yīng)的對(duì)地電容被短路,相當(dāng)于介質(zhì)損耗或電容測(cè)試電極延長(zhǎng),引起電極等值電容的增加。后續(xù)電路單元也將依次出現(xiàn)類似現(xiàn)象。

        值得注意的是,當(dāng)外施電壓繼續(xù)升高時(shí),線棒端部泄漏電流或端部介質(zhì)損耗因數(shù)將呈現(xiàn)出非線性增長(zhǎng)的趨勢(shì)。

        3.5 槽部介質(zhì)損耗及其增量與電容及其增量的數(shù)值關(guān)系(局部放電類型)

        在交變電場(chǎng)下介質(zhì)的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ如式(3)所示[8]。

        (3)

        式中:時(shí)間常數(shù)τ為電阻R和電容C的乘積。

        該公式表征了絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)與電容隨外施電壓變化的關(guān)系,可用于計(jì)算槽部介質(zhì)損耗和電容在絕緣內(nèi)部氣隙擊穿放電前后的數(shù)值變化,適用于局部放電損耗計(jì)算。

        (4)

        考慮到室溫下工頻電壓(ετ?1)和環(huán)氧云母介質(zhì)的極化主要由偶極子轉(zhuǎn)向極化構(gòu)成的條件(εs>ε∞)[9],式(4)可簡(jiǎn)化為式(5)。

        Δtanδs≈tanδs0·ΔCs/C0

        (5)

        對(duì)于線棒槽部絕緣來說,如果放電前的電容C0和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδs0為定值,則放電前后的介質(zhì)損耗因數(shù)增量Δtanδs與電容變化量ΔCs成正比。

        3.6 線棒介質(zhì)損耗和電容計(jì)算公式

        3.6.1 絕緣整體性良好線棒

        絕緣整體性良好的線棒意味著線棒槽部絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)和電容基本不隨外施電壓升高而變化,可以認(rèn)為定值,即Δtanδs和ΔCs為0。因此,線棒兩電極介質(zhì)損耗tanδ和電容C可由式(6)和式(7)表述。

        (6)

        C=C0+C1=C0+ΔCe

        (7)

        在式(6)中,等號(hào)右側(cè)的第1部分基本不隨電壓變化,等于線棒剛施加電壓時(shí)的介質(zhì)損耗測(cè)試值;等號(hào)右側(cè)的第2部分為電壓的變量,它引起線棒介質(zhì)損耗測(cè)試值的變化。

        在式(7)中,等號(hào)右側(cè)的第1部分C0基本不隨電壓變化,為線棒剛施加電壓時(shí)的電容測(cè)試值;等號(hào)右側(cè)的第2部分為電壓的變量,它引起線棒電容測(cè)試值的變化。

        3.6.2 絕緣嚴(yán)重脫殼線棒

        絕緣嚴(yán)重脫殼的線棒意味著線棒槽部絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)和電容隨外施電壓升高而增大,均為電壓的函數(shù)。因此,線棒兩電極介質(zhì)損耗tanδ和電容C可由式(8)和式(9)表述。

        (8)

        C=C0+C1=C0+ΔCs+ΔCe

        (9)

        在式(8)中,等號(hào)右側(cè)第1部分基本不隨電壓變化,為線棒剛施加電壓時(shí)的介質(zhì)損耗測(cè)試值;等號(hào)右側(cè)第2部分和第3部分為電壓的變量,引起線棒介質(zhì)損耗測(cè)試值的變化。

        在式(9)中,等號(hào)右側(cè)第1部分基本不隨電壓變化,為線棒剛施加電壓時(shí)的電容測(cè)試值;等號(hào)右側(cè)的第2部分和第3部分為電壓的變量,引起線棒電容測(cè)試值的變化。

        3.7 線棒介質(zhì)損耗和電容中各分量典型曲線

        3.7.1 絕緣整體性良好線棒

        絕緣整體性良好線棒的tanδ~U的典型曲線或C~U典型曲線如圖9所示。

        1. tanδs; 2. tanδe; 3. tanδ圖9 絕緣整體性良好線棒的典型曲線

        3.7.2 絕緣嚴(yán)重脫殼線棒

        絕緣嚴(yán)重脫殼線棒的tanδ~U的典型曲線或C~U典型曲線如圖10所示。

        1. tanδs; 2. tanδe; 3. tanδ圖10 絕緣嚴(yán)重脫殼線棒的典型曲線

        4 結(jié)果與分析

        4.1 電極長(zhǎng)度對(duì)整體性良好線棒的影響

        4.1.1 介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ

        由圖11可知,1號(hào)線棒電極長(zhǎng)度從L0開始(令ΔL=0),隨著電極長(zhǎng)度的增加,不同電壓下的曲線趨勢(shì)基本一致,均為先基本不變?cè)贉p小。曲線拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電極長(zhǎng)度為圖2中項(xiàng)3的低電阻防暈帶長(zhǎng)度。

        1. 0.2Un下實(shí)測(cè)值; 2. 0.6Un下實(shí)測(cè)值; 3. 1.0Un下實(shí)測(cè)值;

        假設(shè)線棒槽部與端部的截面尺寸相同且介質(zhì)均勻,則槽部與端部的電容之比即等于長(zhǎng)度之比。根據(jù)ΔL=120 mm的介質(zhì)損耗測(cè)試值,可由式(6)計(jì)算得到后續(xù)計(jì)算值,如圖11所示。值得注意的是,因?yàn)槎瞬拷^緣介質(zhì)損耗計(jì)算條件取值存在較大的不確定性,所以介質(zhì)損耗計(jì)算值和實(shí)測(cè)值也存在較大的差異。

        4.1.2 電容C

        由圖12可知,1號(hào)線棒電極長(zhǎng)度從L0開始(令ΔL=0),隨著電極長(zhǎng)度的增加,不同電壓下的曲線趨勢(shì)基本一致,均為先基本不變?cè)僭龃?。曲線拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電極長(zhǎng)度為圖2中項(xiàng)3的低電阻防暈帶長(zhǎng)度。

        1. 0.2Un下實(shí)測(cè)值; 2. 0.6Un下實(shí)測(cè)值; 3. 1.0Un下實(shí)測(cè)值;

        假設(shè)線棒槽部與端部的截面尺寸相同且介質(zhì)均勻,則電容的增加即等于長(zhǎng)度的增加。根據(jù)ΔL=120 mm的電容測(cè)試值,可由式(7)計(jì)算得到后續(xù)計(jì)算值,如圖12所示。測(cè)試曲線與計(jì)算曲線具有較好的一致性。

        4.2 電極長(zhǎng)度對(duì)絕緣脫殼線棒的影響

        4.2.1 介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ

        由圖13可知,4號(hào)線棒電極長(zhǎng)度從L0開始(令ΔL=0),隨著電極長(zhǎng)度的增加,不同電壓下的曲線趨勢(shì)基本一致,均為先基本不變?cè)俾晕p小。曲線拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電極長(zhǎng)度為圖2中項(xiàng)3的低電阻防暈帶長(zhǎng)度。

        1. 0.2Un實(shí)測(cè)值;2. 0.6Un實(shí)測(cè)值;3. 1.0Un實(shí)測(cè)值

        在圖5和圖13中,電極長(zhǎng)度(或各部分電容)對(duì)tanδ的影響并不明顯,這是因?yàn)棣anδs遠(yuǎn)大于Δtanδe且Cs大于Ce而使式(8)中等號(hào)右側(cè)第3部分為第2部分所掩蓋。

        4.2.2 電容C

        由圖14可知,4號(hào)線棒電極長(zhǎng)度從L0開始(令ΔL=0),隨著電極長(zhǎng)度的增加,不同電壓下的曲線趨勢(shì)基本一致,均為先基本不變?cè)僭龃?。曲線拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電極長(zhǎng)度為圖2中項(xiàng)3的低電阻防暈帶長(zhǎng)度。

        1. 0.2Un實(shí)測(cè)值; 2. 0.6Un實(shí)測(cè)值; 3. 1.0Un實(shí)測(cè)值

        4.3 電極長(zhǎng)度對(duì)曲線計(jì)算的意義

        由圖3~圖6中不同電極長(zhǎng)度下各曲線互相平行或重合可知:在相同電壓下,在線棒電極長(zhǎng)度兩端各延長(zhǎng)0~100 mm范圍內(nèi),線棒端部未被電極覆蓋的部分的Δtanδe~U曲線和ΔCe~U曲線特性未發(fā)生變化,只是槽部與端部各自所占電容比例發(fā)生了變化。

        由圖11~圖14中不同電壓下各曲線互相平行可知:在相同電極長(zhǎng)度下,線棒端部的Δtanδe數(shù)值和ΔCe數(shù)值與外施電壓U近似于線性增加,因此在實(shí)際計(jì)算中Δtanδe~U曲線和ΔCe~U曲線可簡(jiǎn)化為線性關(guān)系。

        4.4 絕緣脫殼線棒的tanδ~U曲線計(jì)算

        假設(shè)相同形狀和結(jié)構(gòu)的不同線棒端部防暈系統(tǒng)相同時(shí),tanδe~U特性也基本相等,則可以通過測(cè)試相同形狀和結(jié)構(gòu)的2號(hào)和3號(hào)線棒的tanδ~U曲線并分解出tanδe~U曲線。

        根據(jù)4號(hào)線棒C~U曲線并按照式(5)和式(8)可計(jì)算得到4號(hào)線棒tanδ~U曲線,如圖15所示。

        圖15 4號(hào)線棒tanδ~U實(shí)測(cè)曲線與計(jì)算曲線

        由圖15可知,實(shí)測(cè)曲線與計(jì)算曲線基本一致,這說明:對(duì)于絕緣脫殼線棒來說,Δtanδs遠(yuǎn)大于Δtanδe且Cs大于Ce,同時(shí)相關(guān)計(jì)算比較符合式(5)。

        5 結(jié)語

        1) 首次建立了高壓電機(jī)定子線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)和電容的等值電路模型。

        2) 首次建立了高壓電機(jī)定子線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)和電容的各組成分量的數(shù)值計(jì)算模型。

        3) 絕緣整體性良好線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容均由恒定的槽部初始值與線性增加的端部增量疊加而成。

        4) 絕緣嚴(yán)重脫殼線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容包括恒定的槽部組分、激增的槽部增量與線性增加的端部增量。

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        胡波,男,1981年生,碩士研究生,工程師,畢業(yè)于西安交通大學(xué)電氣絕緣專業(yè),現(xiàn)從事高壓電機(jī)絕緣工藝研究。

        ·信息點(diǎn)滴·

        菲律賓仍有516萬kW水電資源待開發(fā)

        據(jù)《菲律賓星報(bào)》2014年8月22日?qǐng)?bào)道,菲能源部的數(shù)據(jù)顯示,菲未開發(fā)的水電資源在516萬kW左右,其中呂宋地區(qū)待開發(fā)的有358萬kW,棉蘭老島有86萬kW,米沙鄢地區(qū)有72萬kW,共需約130億美元的投資。菲律賓目前水電總裝機(jī)容量為349萬kW,占全國(guó)總裝機(jī)容量的13.7%,水電裝機(jī)容量落后于越南、泰國(guó)和印尼。

        20140403

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