劉智靈 楊慶毅

摘 要：簡要介紹了我廠調(diào)功柜的作用和近期頻繁出現(xiàn)的異常現(xiàn)象，從可控硅過流、過壓、過熱保護(hù)和控制板，可控硅質(zhì)量、安裝方面詳細(xì)分析可能造成擊穿的原因和一些判斷的方法，方便以后再出現(xiàn)異常的判斷、處理以及建議。

關(guān)鍵詞：調(diào)功柜；異常現(xiàn)象；原因分析

0 前言

調(diào)功柜在我廠制氧機(jī)組中的作用是用于對加熱污氮?dú)鈦砘罨肿雍Y的電阻爐加熱器的控制，它是根據(jù)生產(chǎn)工藝的需求，用現(xiàn)場測溫元件PT100檢測反饋來的溫度與預(yù)先設(shè)定好的給定溫度相比較，依靠偏差去控制晶閘管的導(dǎo)通，改變輸出的電功率來達(dá)到恒溫的目的，一個(gè)活化周期里運(yùn)行1.5小時(shí)。調(diào)功柜主回路使用六只晶閘管，每相兩個(gè)一組反并聯(lián)連接，采用周期觸發(fā)控制，來把實(shí)際溫度穩(wěn)定在設(shè)定溫度上，其適用于大慣性和小慣性加熱系統(tǒng)的被控對象。

1 異?，F(xiàn)象

有一套機(jī)組的調(diào)功柜在近兩年的運(yùn)行中頻繁出現(xiàn)異常，有以下幾種：第一，加熱周期結(jié)束后有一相仍有電流，約為正常運(yùn)行時(shí)的一半，運(yùn)行調(diào)功時(shí)不能完全調(diào)節(jié)，這種情況占多數(shù)；第二，正常運(yùn)行時(shí)有一相電流始終不到正常電流的一半，可調(diào)功，運(yùn)行結(jié)束正常（沒電流）；第三，啟動(dòng)調(diào)功柜后，有一相電流大約為正常的一半，在開始調(diào)功又恢復(fù)全導(dǎo)通后，該相電流又正常了。

2 原因分析

根據(jù)異?，F(xiàn)象，初步判斷第一種是該相有一個(gè)晶閘管擊穿了，但是因過壓、過流、過熱還是晶閘管質(zhì)量問題造成的擊穿還不能確定；也或是該晶閘管的觸發(fā)脈沖沒有關(guān)斷；第二種是該相有一個(gè)晶閘管沒有得到觸發(fā)脈沖，即控制板故障；也或是該相一個(gè)晶閘管斷路了；第三種是控制板故障，這個(gè)比較明顯，是在剛啟動(dòng)時(shí)缺少了一個(gè)觸發(fā)脈沖，在更換控制板后再運(yùn)行就正常了。

停機(jī)后的檢查分析 第一種情況，為了確定是可控硅的問題還是控制板的問題，根據(jù)多次處理的經(jīng)驗(yàn)，采用了簡單可行的方法去判斷，就是直接停控制電源，如沒電流了，則是控制板的故障；如還有，則是可控硅故障。結(jié)果是還有電流，說明控制板正常（更換可控硅后再投運(yùn)觸發(fā)正常），可控硅擊穿了。實(shí)測確是，那么是什么原因造成的呢？可控硅優(yōu)點(diǎn)雖很多，但承受過壓、過流的能力很差。

（1）由于其熱容量很小，一旦過流溫度會(huì)急劇上升而可能造成可控硅內(nèi)部短路或開路（承受的過載時(shí)間與過載倍數(shù)成反比，即過載倍數(shù)越大，承受的過載時(shí)間越短，1.25倍的過載倍數(shù)承受的過載時(shí)間是5分鐘），造成過流的原因有負(fù)載端過載或短路，觸發(fā)電路工作不正?；蚴芨蓴_使可控硅誤觸發(fā)引起過流。我們廠的調(diào)功柜里的可控硅（實(shí)際負(fù)載電流560A，可控硅額定電流是800A，達(dá)到選用的最低標(biāo)準(zhǔn)1.5倍）過電流保護(hù)有快速熔斷器和過流截止保護(hù)（通過CT把過電流信號(hào)送到控制中心來停止觸發(fā)），出現(xiàn)異常時(shí)，快熔沒熔斷過（熔體額定值與運(yùn)行電流值是匹配的，遠(yuǎn)小于可控硅的額定電流值），過流故障報(bào)警也沒出現(xiàn)過，根據(jù)上面的試驗(yàn)觸發(fā)電路誤觸發(fā)的可能性不大；對負(fù)載檢查也正常，說明不應(yīng)是過流造成的可控硅擊穿。

（2）可控硅在電路中承受的電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短也易損壞；如是正向電壓超過其轉(zhuǎn)折電壓誤導(dǎo)通，次數(shù)頻繁時(shí)也可使元件損壞或其特性下降。引起過電壓的主要原因是電路中一般都有電感元件或雷擊過電壓。采用的過電壓保護(hù)措施主要是阻容保護(hù)，壓敏電阻等。但我們的負(fù)載是純電阻性的，有阻容吸收并聯(lián)在晶閘管兩端，沒有電感元件，出現(xiàn)故障時(shí)也不是雷雨天氣，但不排除電網(wǎng)系統(tǒng)出現(xiàn)過電壓情況。

（3）過熱擊穿，這是在工作電流正常時(shí)晶閘管受熱擊穿的情況，發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過高導(dǎo)致?lián)舸?；安裝的散熱裝置有本身的大型鋁制散熱片，風(fēng)機(jī)，調(diào)功柜安裝位置在室內(nèi)雖有制冷設(shè)備，可溫度高時(shí)也在35℃以上，自身還裝有超溫檢測和超溫報(bào)警元件。在運(yùn)行過程中自身沒有出現(xiàn)過超溫報(bào)警，風(fēng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)正常，風(fēng)道通暢；在更換可控硅時(shí)雖只是更換了芯片，但安裝時(shí)非常注意芯片與散熱器之間的接觸面，保證了良好的接觸，接觸面平整，沒有劃痕或凹凸不平，也沒有灰塵夾入，保證有足夠且均勻的壓力。但多次更換芯片可能會(huì)導(dǎo)致散熱器的接觸面變形而影響散熱效果，如果下一次再出現(xiàn)可控硅擊穿我們將在更換可控硅時(shí)連同散熱器一塊兒更換 。安裝方式不當(dāng)也會(huì)造成擊穿，對于片狀可控硅而言，由于工作在大電流區(qū)域，工作時(shí)需加裝散熱裝置，未加散熱裝置的可控硅內(nèi)部是斷開的，這也是可控硅本身熱保護(hù)的一種。當(dāng)兩個(gè)片狀可控硅陰陽極正反并聯(lián)受壓與兩側(cè)散熱模塊接觸時(shí)會(huì)出現(xiàn)兩種情況，一是壓力過大，造成可控硅內(nèi)部本征體壓壞造成擊穿；二是壓力過小，造成接觸面電阻大，當(dāng)工作時(shí)接觸面溫度過高引起的可控硅擊穿；另外，在更換可控硅時(shí)，可控硅的陰陽極與散熱模塊接觸面之間應(yīng)涂抹導(dǎo)熱硅脂，以加大散熱模塊的導(dǎo)熱量。

（4）晶閘管性能不穩(wěn)定造成通電后受熱的擊穿；第二種情況，出現(xiàn)過兩次。第一次，確定是觸發(fā)脈沖沒有，檢查發(fā)現(xiàn)控制板上該可控硅的觸發(fā)電路里的一限流電阻燒壞，更換控制板后運(yùn)行正常，沒深考慮為什么會(huì)燒；第二次，這在更換控制板后運(yùn)行了不到兩天又出現(xiàn)的，這次還是觸發(fā)回路的限流電阻燒壞，這就必須分析是什么原因造成的。經(jīng)查該電路里的元器件，發(fā)現(xiàn)可控硅控制極和陰極間的靜態(tài)電阻很小，其他的在20歐左右。這充分說明控制板觸發(fā)電路的電阻燒壞是由可控硅故障造成的。

3 結(jié)束語

我們對擊穿的可控硅元件敲碎，觀察了可控硅損壞的情況，既不是從邊緣側(cè)壞（電壓過高，造成擊穿），也不是從控制極壞（電流上速度慢造成的），也檢查了阻容吸收各元件，完好，說明不是過電壓保護(hù)出現(xiàn)異常。從上面的故障現(xiàn)象、原因分析及燒壞的可控硅內(nèi)部來看，出現(xiàn)異?，F(xiàn)象的根本原因可能是晶閘管電流富余量小和工作環(huán)境的問題。所以建議在選型時(shí)應(yīng)考慮更大的電流富余量，工作環(huán)境溫度應(yīng)控制在30°以下或另外增加散熱設(shè)備，避免應(yīng)可控硅燒壞而影響生產(chǎn)或不必要的備件損耗。