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        一種小型化超寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)

        2014-06-07 05:53:34安士全郭本青
        關(guān)鍵詞:效率設(shè)計(jì)

        安士全,郭本青,張 瑞

        (1.中國電子科技集團(tuán)公司第38研究所,合肥 230031;2.電子科技大學(xué)通信與信息工程學(xué)院,成都 610054)

        一種小型化超寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)

        安士全1,郭本青2,張 瑞1

        (1.中國電子科技集團(tuán)公司第38研究所,合肥 230031;2.電子科技大學(xué)通信與信息工程學(xué)院,成都 610054)

        針對(duì)超寬帶(0.6 GHz~2.2 GHz)高效率功率放大器的設(shè)計(jì)要求,選用CREE公司GaN器件CGH40045,在ADS仿真軟件中采用Load+Pull技術(shù)確定最佳輸入輸出阻抗,利用基于集總元件和微帶線分布參數(shù)元件的方法進(jìn)行輸入輸出阻抗的寬帶匹配。設(shè)計(jì)完成后,對(duì)電路進(jìn)行了測(cè)試,測(cè)試結(jié)果表明,在輸入為34 dBm,工作電壓為28 V時(shí),0.6 GHz~2.2 GHz頻率范圍內(nèi)漏極效率優(yōu)于50%,輸出功率高于45 dBm,帶內(nèi)增益波動(dòng)小于1.2 dB,驗(yàn)證了此方法的有效性。

        功率放大器;寬帶;高效率;負(fù)載牽引

        0 引 言

        微波功率放大器在雷達(dá)、通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。隨著科技的發(fā)展,對(duì)這些電子系統(tǒng)的性能要求不斷提高。作為電子設(shè)備的關(guān)鍵元件之一,功率放大器直接影響著包括工作帶寬在內(nèi)的整個(gè)射頻系統(tǒng)的性能指標(biāo)。因此,小型化寬帶高效放大器的設(shè)計(jì)一直是微波功率放大器的研究熱點(diǎn)[1-2]。

        設(shè)計(jì)了一種基于負(fù)載牽引技術(shù)的混合匹配網(wǎng)絡(luò)的寬帶高效功率放大器。

        1 設(shè)計(jì)方法

        微波功率放大器的輸入輸出阻抗等許多參數(shù)與頻率相關(guān),很大程度地限制了其頻帶寬度。尤其在較高頻率時(shí),它的內(nèi)部反饋及寄生參量影響很大,晶體管特性會(huì)在較寬的頻率范圍內(nèi)有較大變化,通過負(fù)載牽引法得到的高效率最佳源阻抗與負(fù)載阻抗也會(huì)隨頻率變化。實(shí)現(xiàn)寬帶高效功放的一種最直接思路是設(shè)計(jì)出的匹配網(wǎng)絡(luò)所呈現(xiàn)的阻抗能夠順應(yīng)這種變化趨勢(shì),以得到每個(gè)頻點(diǎn)的最高效率[3-6];然而滿足相應(yīng)要求的匹配網(wǎng)絡(luò)一般難于實(shí)現(xiàn)。另一種思路則是選擇一組源阻抗與負(fù)載阻抗值作為實(shí)現(xiàn)寬帶高效的最佳匹配點(diǎn),使在這組阻抗條件下,功放在所關(guān)注的頻段內(nèi)均達(dá)到較高效率。這樣,設(shè)計(jì)難點(diǎn)就轉(zhuǎn)化為寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)的實(shí)現(xiàn),即設(shè)計(jì)的輸入輸出網(wǎng)絡(luò)在工作帶寬內(nèi)均要表現(xiàn)出最佳匹配點(diǎn)的值[7-8]。

        1.1 最佳輸入輸出阻抗的選擇

        設(shè)計(jì)0.6 GHz~2.2 GHz高效率功放的第一步就是找到最佳源阻抗與負(fù)載阻抗?;贑REE公司提供的GaN HEMT CGH40045大信號(hào)模型,在ADS環(huán)境中進(jìn)行源牽引與負(fù)載牽引,在整個(gè)頻段內(nèi)選擇0.6,1.0,1.4,1.8,2.2 GHz進(jìn)行源牽引與負(fù)載牽引,通過多次迭代找到最佳的輸入輸出阻抗,并用曲線標(biāo)示出其在整個(gè)帶寬內(nèi)的變化趨勢(shì)。根據(jù)寬帶匹配電路保高放低的原則,選擇靠近這條曲線中段偏高頻的某點(diǎn)作為最佳負(fù)載匹配點(diǎn)能夠在0.6 GH~2.2 GHz內(nèi)較好地達(dá)到效率、帶寬折中的目的。另外,最佳負(fù)載匹配點(diǎn)也應(yīng)使得工作帶寬內(nèi)的最佳源阻抗相對(duì)集中,最終選定在1.8 GHz處的最佳負(fù)載阻抗6.5Ω和源阻抗(5-j*2Ω),分別如圖1所示。

        圖1 1.8 GHz時(shí)負(fù)載牽引(左)與源牽引(右)下的功率效率曲線

        在選定的負(fù)載和源阻抗進(jìn)行功率和效率的仿真測(cè)試,分別給出了設(shè)定為最佳匹配點(diǎn)時(shí)功放在0.6 GH~2.2 GHz范圍內(nèi)幾個(gè)頻點(diǎn)的功率附加效率及輸出功率,見表1。由數(shù)據(jù)可見該阻抗是比較理想的。

        表1 最佳負(fù)載/源阻抗下頻帶內(nèi)5個(gè)頻點(diǎn)的功率和效率仿真值

        1.2 匹配電路設(shè)計(jì)

        在微波功率放大器的匹配電路設(shè)計(jì)中可以選擇集總元件,也可以選擇分布參數(shù)的微帶線。一般而言,集總元件在S波段及S波段以下頻段較為常見,隨著頻率的升高,集總元件的寄生參量將使其特性發(fā)生很大變化。因此,在S波段以上頻段多采用分布參數(shù)匹配。為了充分發(fā)揮集總和分布元件各自的優(yōu)勢(shì),本電路采用二者混合的方式進(jìn)行匹配[9-10]。

        利用ADS中的smith chart工具可以很方便的進(jìn)行集總元件與微帶的混合匹配設(shè)計(jì),低阻的微帶實(shí)現(xiàn)實(shí)部阻抗匹配,并聯(lián)電容實(shí)現(xiàn)消除復(fù)阻抗的虛部。為保證電路的寬帶性能,匹配電路需要多級(jí)匹配以保證低Q值,利用圓圖工具進(jìn)行的輸入匹配和生成的理想器件電路,如圖2所示。

        圖2 利用sm ith chart進(jìn)行輸入阻抗匹配及生成的理想器件電路示意圖

        1.3 整體電路優(yōu)化

        在對(duì)輸入輸出電路匹配好后需要進(jìn)行整體仿真,綜合考慮功率放大器的功率、效率、穩(wěn)定性等,對(duì)電路進(jìn)行微調(diào)。利用諧波仿真器對(duì)電路進(jìn)行整體仿真的結(jié)果如圖4所示,在輸入33 dBm時(shí),0.6~2.2 GHz頻帶內(nèi)增益起伏小于1.2 dB,輸出功率大于30 W,功率附加效率大于45%,穩(wěn)定性測(cè)試顯示電路處于絕對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)。仿真結(jié)果滿足指標(biāo)要求。

        圖3 整體仿真電路圖

        圖4 輸出功率(左)與附加效率(右)隨頻率的仿真結(jié)果

        2 測(cè)試結(jié)果與分析

        在完成電路的ADS仿真,進(jìn)行投產(chǎn)加工并進(jìn)行測(cè)試。考慮到小型化和加工精度的要求,介質(zhì)板材選用Rogers公司的RT6006,介電常數(shù)為6.15,厚度0.635 mm。電路的實(shí)物圖,如圖6所示,實(shí)際電路尺寸55 mm×30 mm。

        在漏壓28 V,柵壓-2.3 V,靜態(tài)電流100 mA狀態(tài)下,對(duì)電路進(jìn)行了簡(jiǎn)單的調(diào)試,由于輸入功率33 dBm還沒有完全飽和,因此對(duì)輸入功率33 dBm和34 dBm分別對(duì)功率放大器進(jìn)行了測(cè)試,如圖7是在0.6~2.2 GHz的頻率范圍內(nèi)輸出功率隨輸入功率的曲線,整個(gè)頻段內(nèi)輸出功率都在45 dBm以上,增益大于11 dB。圖8是經(jīng)計(jì)算各頻點(diǎn)的漏極效率曲線,由圖可以看出,輸入功率34 dBm時(shí),在0.6~2.2 GHz的設(shè)計(jì)頻段內(nèi)漏極效率大于50%,滿足指標(biāo)需求。

        圖5 穩(wěn)定性仿真結(jié)果

        圖6 小型化寬帶高效功率放大器實(shí)物圖

        圖7 輸出功率曲線

        圖8 漏極效率與頻率間的曲線

        3 結(jié) 語

        設(shè)計(jì)了一款小型化超寬帶功率放大器,經(jīng)測(cè)試在0.6~2.2 GHz頻帶內(nèi)輸出功率大于30 W,起伏小于1.2 dB,漏極效率大于50%,電路尺寸55 mm× 30 mm。該功率放大器可用于雷達(dá)、電子對(duì)抗等系統(tǒng)中用作寬帶高效放大器。

        [1]董磊,何松柏,雷奇.基于帶通匹配網(wǎng)絡(luò)理論的寬帶高效率功放設(shè)計(jì)[J].信息與電子工程,2011,9(4):449+452.

        [2]?DAHL A,ZIRATH H.A 1 GHz Class+E LDMOSPower Amplifier[C]//Proc.33rd Eur.Microw.Conf.,2003,1:285+288.

        [3]ZIRATH H,RUTLEDGE D B.An LDMOSVHF Class+E Power Amplifier Using a High+Q Novel Variable Inductor[J].IEEE Trans.Microw.Theory Tech.,1999,47(12):2534+2538.

        [4]MADER T B,POPOVIC Z B.The Transmission Line High+Efficiency Class+E Amplifier[J].IEEE Microw. Guided Wave Lett.,1995,5(9):290+292.

        [5]XU H,GAO S,HEIKMAN S,et al.A High+Efficiency Class+EGaN HEMT Power Amplifier[J].IEEEMicrow. Wireless Compon.Lett.,2006,16(1):22+24..

        [6]KEE S,et al.The Class+E/F Family of ZVS Switching Amplifiers[J].IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,2003,51(6):1677+1690.

        [7]THOMASH LEE.CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2004.

        [8]中國集成電路大全編委會(huì).微波集成電路[M].北京:國防工業(yè)出版社,1972.

        [9]曹韜,曾榮.基于GaN HEMT器件的寬帶高效功率放大器[J].微波學(xué)報(bào),2012,28(6):76+79.

        [10]宮為保.寬帶射頻功率放大器的匹配電路設(shè)計(jì)[J].廣播電視信息,2010(9):66+68.

        安士全(1977—),山東新泰人,高級(jí)工程師,研究方向?yàn)樯漕l前端;

        E+mail:anshiquan@126.com;

        郭本青(1977—),河南新鄉(xiāng)人,電子科技大學(xué)通信與信息工程學(xué)院特聘副研究員,研究方向?yàn)樯漕l模擬集成電路;

        張 瑞(1977—),高級(jí)工程師,研究方向?yàn)樯漕l前端。

        Design of a M iniature Ultra W ideband Power Am plifier

        AN Shi+quan1,GUO Ben+qing2,ZHANG Rui1
        (1.The 38th Research Institute of CETC,Anhui Hefei230031,China;2.School of Communication&Information Engineering,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China)

        Concerning the design goal of a highly efficient power amplifier working across 0.6 GHz~2.2 GHz,the GaN transistor CGH40045 of CREE Company is selected.The optimal input and output impedance is calculated with the help of Load+Pull technology in software ADS,realizing broadband matching with integrative devices and distributed components.Simulation is performed and produced based on themethodology.Themeasurement results indicate thatwithin 0.6 GHz~2.2 GHz,Drain Effi+ ciency excels 50%,Delivered Power is higher than 45 dBm and Gain Ripple is less than 1.2 dB as the drain bias and power drive sets to 28 V and 34 dBm respectively.These research datawell verified the ef+ fectiveness of themethodology.

        power amplifier;broadband;high efficiency;load+pull

        TG722.1

        :A

        :1673+5692(2014)06+639+04

        10.3969/j.issn.1673+5692.2014.06.017

        2014+09+18

        2014+09+26

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