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        化學(xué)銀剝離問(wèn)題探究及改善

        2014-05-31 06:11:48羅喜生邢玉偉
        印制電路信息 2014年4期
        關(guān)鍵詞:化學(xué)

        羅喜生 張 建 邢玉偉

        (東莞生益電子有限公司,廣東 東莞 523039)

        1 前言

        目前,PCB行業(yè)常見(jiàn)的表面處理工藝有:熱風(fēng)整平(HASL)、化學(xué)鎳金(ENIG)、有機(jī)可焊性保護(hù)劑(OSP)、化學(xué)錫(Immersion Tin Sn)和化學(xué)銀(Immersion Silver Ag)?;瘜W(xué)銀具有優(yōu)良的可焊性,潤(rùn)濕速度快,涂層表面平整度高,適合BGA、FC、COB等組裝技術(shù),且由于銀兼有優(yōu)良的導(dǎo)電性能及低成本,在PCB中越來(lái)越受到青睞。

        化學(xué)銀工藝原理[1]主要是利用銀和銅之間的電位差,促使銅和銀離子自發(fā)的發(fā)生置換反應(yīng),從而在銅面上涂覆銀層:

        2 問(wèn)題背景

        由于銀離子本身特性,銀容易與空氣中硫、鹵素結(jié)合變色(黑色、黃色),另外,化學(xué)銀工藝中存在的賈凡尼效應(yīng)也是不容忽視的問(wèn)題,而本文針對(duì)化學(xué)銀比較少見(jiàn)的缺陷,化學(xué)銀剝離(圖1)進(jìn)行相關(guān)探究并提出相應(yīng)的改善方法

        公司生產(chǎn)的沉銀板檢測(cè)發(fā)現(xiàn)有銀剝離露銅現(xiàn)象,測(cè)試剝離比例高達(dá)21/21=100%,剝離表觀如圖1。

        圖1 銀剝離表觀圖

        通過(guò)化學(xué)銀剝離表觀分析:(1)化學(xué)銀剝離區(qū)域呈片狀或是星點(diǎn)狀;(2)化學(xué)銀剝離露銅位置的銅面表觀呈現(xiàn)顆粒狀。

        3 化學(xué)銀剝離影響因素

        化學(xué)銀剝離是化學(xué)銀工藝中比較少見(jiàn)的缺陷,魚(yú)骨圖分析如圖2。

        圖2 化學(xué)銀剝離魚(yú)骨圖

        從圖2化學(xué)銀剝離魚(yú)骨圖分析可得出:銀厚影響:由于沉銀過(guò)程沉積速率快,鍍銀層厚度太厚,沉積的銀層比較疏松, Ag-Ag層結(jié)合力不佳,導(dǎo)致銀剝離,表現(xiàn)為Ag-Ag剝離,但不會(huì)露銅。

        藥水異常影響:(1)微蝕藥水濃度異常,微蝕量小,銅面油污、氧化物未去除干凈使Cu-Ag結(jié)合力差;(2)預(yù)浸缸銀離子濃度較高(超過(guò)工藝控制范圍),預(yù)浸缸作用之一是保護(hù)銀缸,同時(shí)在銅面緩慢沉積形成致密的銀層,如果預(yù)浸缸銀離子濃度偏高,預(yù)浸缸銀沉積速率加快,使Cu-Ag結(jié)合力差導(dǎo)致銀剝離,表現(xiàn)為Ag-Cu剝離、露銅。

        生產(chǎn)線影響:預(yù)浸、沉銀傳送/壓轆污染,在銀沉積過(guò)程中,銀層中帶入雜質(zhì),銀面表觀呈現(xiàn)發(fā)黑,銀面污染及發(fā)黑位置出現(xiàn)銀剝離露銅,其它正常銀面無(wú)剝離。

        銅面雜物影響:由于來(lái)板銅面氧化物、雜物等在沉銀前處理正常微蝕不能去除,使得Cu-Ag結(jié)合力差導(dǎo)致剝離。

        來(lái)板銅面影響:銅面粗糙度較大,銅面存在凹痕,由于藥水的表面張力及沉積速率影響,使Cu-Ag結(jié)合位置存在空洞且結(jié)合的區(qū)域較少,使得Cu-Ag結(jié)合力降低導(dǎo)致銀面剝離。

        4 化學(xué)銀剝離原因分析

        4.1 銀厚影響

        4.1.1 銀厚測(cè)試結(jié)果

        對(duì)出現(xiàn)化學(xué)銀剝離位置的銀厚進(jìn)行測(cè)試,銀厚測(cè)試結(jié)果如表1。

        表1 剝離位置銀厚測(cè)試結(jié)果

        銀厚控制要求為PAD[(1.5 mm×1.5 mm)~(3 mm×3 mm)]滿足0.15 μm ~ 0.45 μm,從表1剝離位置銀厚測(cè)試結(jié)果來(lái)看,標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試焊盤(pán)銀厚均滿足控制要求,未發(fā)現(xiàn)銀厚超上限控制標(biāo)準(zhǔn)。

        4.1.2 試驗(yàn)驗(yàn)證

        以其它報(bào)廢板試驗(yàn)銀厚對(duì)化學(xué)銀剝離的影響,通過(guò)提高沉銀溫度及提高銀離子濃度,加快沉銀沉積速率,并得到不同厚度的銀厚,3M膠帶測(cè)試有無(wú)剝離,以驗(yàn)證銀厚對(duì)化學(xué)銀剝離的影響,試驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)表2。

        表2 銀厚及銀剝離測(cè)試結(jié)果

        從表2試驗(yàn)結(jié)果可以看出,銀厚超出要求范圍(0.15 μm ~ 0.45 μm),最大銀厚達(dá)到了2.24 μm,測(cè)試均未發(fā)現(xiàn)銀剝離。

        結(jié)合表1測(cè)試剝離位置銀厚正常,因此,可以排除銀厚原因?qū)е禄瘜W(xué)銀剝離。

        4.2 藥水影響

        實(shí)際檢測(cè)藥水濃度及生產(chǎn)線上關(guān)鍵參數(shù)(表3)。

        表3 沉銀線藥水生產(chǎn)參數(shù)

        從表3沉銀線藥水測(cè)試結(jié)果看,各項(xiàng)藥水濃度、溫度等均在工藝控制范圍內(nèi),無(wú)異常。

        為排除預(yù)浸缸銀離子濃度對(duì)銀剝離的影響,設(shè)計(jì)對(duì)比試驗(yàn)及結(jié)果如表4。

        表4 預(yù)浸缸銀離子影響試驗(yàn)

        從表4試驗(yàn)結(jié)果可看出,當(dāng)預(yù)浸缸銀離子濃度遠(yuǎn)超于控制上限(要求預(yù)浸缸銀離子≤8.5×10-6,試驗(yàn)預(yù)浸缸銀離子濃度1000×10-6),以其它型號(hào)板試板,均未發(fā)現(xiàn)化學(xué)銀剝離,結(jié)合表3藥水監(jiān)控結(jié)果和表4預(yù)浸缸銀離子影響試驗(yàn),可以排除藥水異常原因?qū)е裸y剝離。

        4.3 生產(chǎn)線設(shè)備影響

        4.3.1 EDX分析

        對(duì)銀剝離位置的銀面進(jìn)行EDX分析,以確認(rèn)銀層沉積過(guò)程是否帶入異物導(dǎo)致銀剝離,EDX分析結(jié)果如表5。

        表5 銀剝離位置銀面EDX分析

        從表5中剝離位置銀面EDX分析結(jié)果看,Ag層未發(fā)現(xiàn)異常雜質(zhì)元素。

        4.3.2 試驗(yàn)驗(yàn)證

        為排除1#沉銀生產(chǎn)線如傳送、壓轆污染等導(dǎo)致銀剝離,設(shè)計(jì)試驗(yàn)及結(jié)果如表6。

        表6 生產(chǎn)線排查試驗(yàn)方案及結(jié)果

        從表5的EDX分析結(jié)果及表6試驗(yàn)中可看出:(1)剝離位置銀層未發(fā)現(xiàn)有其它雜質(zhì)元素;(2)通過(guò)1、2、3#沉銀線試板和試驗(yàn)6不同生產(chǎn)板的對(duì)比試驗(yàn), 可得出1#、2#及3#沉銀線設(shè)備及傳送無(wú)異常;(3)通過(guò)試驗(yàn)4和試驗(yàn)5,全手動(dòng)試驗(yàn)沉銀和預(yù)浸、沉銀及后續(xù)水洗缸保養(yǎng)后試板,此型號(hào)生產(chǎn)板依然存在100%銀剝離,此可以排除沉銀線設(shè)備的影響。

        從以上分析中可排除生產(chǎn)線設(shè)備導(dǎo)致化學(xué)銀剝離。

        4.4 銅面雜物影響

        4.4.1 銅面SEM及EDX分析

        為排查銅面雜物導(dǎo)致化學(xué)銀剝離,對(duì)化學(xué)銀剝離露銅位置的銅面、未微蝕及沉銀微蝕后的銅面進(jìn)行SEM及EDX分析,結(jié)果如表7。

        表7 銅面SEM及EDX分析

        通過(guò)表7分析結(jié)果:(1)從銀剝離露銅位置的銅面SEM可看出,銀剝離露銅位置銅面為蜂窩狀,銅面存在大量的空洞,但未發(fā)現(xiàn)有雜質(zhì)元素;(2)化學(xué)銀微蝕前、后銅面,均未發(fā)現(xiàn)異常雜質(zhì)元素。

        4.4.2 試驗(yàn)驗(yàn)證

        為排查銅面雜物對(duì)化學(xué)銀剝離的影響,設(shè)計(jì)試驗(yàn)及結(jié)果如表8。

        表8 銅面雜物排查試驗(yàn)方案及結(jié)果

        從表8試驗(yàn)設(shè)計(jì)及及結(jié)果可以看出:通過(guò)提高微蝕量及磨板、噴砂等前處理,沉銀后依然存在化學(xué)銀剝離,且無(wú)明顯改善,結(jié)合表7中銅面EDX分析結(jié)果,可以排除銅面雜物導(dǎo)致銀剝離。

        4.5 銅面粗糙度影響

        4.5.1 銅面垂直切片分析

        對(duì)出現(xiàn)化學(xué)銀剝離的生產(chǎn)板和其它沉銀生產(chǎn)板銅面垂直切片進(jìn)行比較,結(jié)果如表9。

        表9 銅面粗糙垂直切片圖及試板

        從表9不同生產(chǎn)板的銅面垂直切片圖及試板結(jié)果看,可看出:從銅面垂直切片看,正常沉銀板銅面最大凹痕1.6 μm;銀剝離生產(chǎn)板銅面最大凹痕深度24.37 μm,由于沉銀藥水的表面張力影響,Cu-Ag結(jié)合位置有存在空洞風(fēng)險(xiǎn),且結(jié)合的區(qū)域較少使得Cu-Ag結(jié)合力降低導(dǎo)致銀剝離。

        4.5.2 試驗(yàn)驗(yàn)證

        為驗(yàn)證銅面粗糙度對(duì)銀剝離的影響,對(duì)不同銅面進(jìn)行粗化處理,提高銅面粗糙度,以驗(yàn)證銅面粗糙度是否會(huì)導(dǎo)致銀剝離。

        (1)銅面SEM表觀及垂直切片

        以不同狀態(tài)的銅面中粗化后,通過(guò)SEM及垂直切片分析與正常銅面進(jìn)行比較,如表10。

        由表10 SEM圖和圖3垂直切片銅面凹痕可看出:

        ①芯板銅面經(jīng)中粗化后,銅面微觀結(jié)構(gòu)變化不大,從銅面垂直切片,正常銅面凹痕深度2.5 μm,中粗化后銅面凹痕深度3.55 μm;②而電鍍銅面,經(jīng)中粗化后,SEM顯示銅面呈蜂窩狀排列,且蜂窩狀明顯增多;正常銅面的凹痕深度最大2.58 μm,經(jīng)中粗

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        圖3 銅面凹痕比較

        表10 正常銅面及粗化銅面比較化后銅面最深凹痕達(dá)到7.63 μm,可以看出經(jīng)中粗化后銅面凹痕深度增大。

        (2)銅面粗糙度測(cè)試

        以粗糙度儀對(duì)不同流程段、同一位置的銅面中粗化前、后進(jìn)行粗糙度測(cè)試,測(cè)試數(shù)據(jù)及結(jié)果如表11。

        表11 銅面粗糙度測(cè)試結(jié)果

        圖4 銅面粗糙度

        從表11和圖4粗糙度測(cè)試數(shù)據(jù),中粗化前、后銅面粗糙度測(cè)試對(duì)比結(jié)果可看出,經(jīng)中粗化處理后銅面粗糙度(Ra和Ry)均不同程度變大。

        (3)試驗(yàn)方案及結(jié)果

        設(shè)計(jì)銅面粗糙度對(duì)銀剝離影響試驗(yàn),試驗(yàn)方案及結(jié)果如表12。

        表12 粗糙度試驗(yàn)方案及結(jié)果

        從表12試板結(jié)果可看出:

        ①所有未經(jīng)過(guò)中粗化的銅面,正常沉銀后,均未出現(xiàn)銀剝離現(xiàn)象;②芯板銅面經(jīng)中粗化后,沉銀后未出現(xiàn)銀剝離,而電鍍的銅面,經(jīng)中粗化處理后,沉銀后出現(xiàn)了銀剝離,且剝離表觀和缺陷類(lèi)似;

        通過(guò)試驗(yàn)驗(yàn)證,并結(jié)合表11銅面粗糙度測(cè)試,電鍍形成的銅面粗糙度大會(huì)導(dǎo)致化學(xué)銀剝離。

        (4)改善方法

        從試驗(yàn)中得出,電鍍形成的銅面粗糙度增大會(huì)導(dǎo)致銀剝離,為進(jìn)一步驗(yàn)證銅面粗糙度增大導(dǎo)致銀剝離,對(duì)剝離型號(hào)板進(jìn)行陶瓷磨板,降低銅面粗糙度,然后正常沉銀,試驗(yàn)及結(jié)果如表13。

        表13 改善試驗(yàn)方案及結(jié)果

        圖5 陶瓷磨板后銅面凹痕

        從圖5陶瓷磨板后銅面凹痕及表13改善試驗(yàn)結(jié)果可看出:①?gòu)你~面SEM,正常銅面空洞較多,經(jīng)陶瓷磨板后銅面空洞明顯減少,且銅面較為平整;②從銅面垂直切片可發(fā)現(xiàn),未陶瓷磨板銅面最大凹痕15.88 μm,一次陶瓷磨板后銅面最大凹痕降至7.17 μm,二次陶瓷磨板后銅面最大凹痕降至4.39 μm,可見(jiàn),陶瓷磨板降低銅面凹痕,使得銅面更加平整;③從試板結(jié)果看,未磨板化學(xué)銀剝離比例高達(dá)100%,一次磨板后化學(xué)銀剝離比例為20%,二次陶瓷磨板后無(wú)剝離,可見(jiàn),通過(guò)降低銅面粗糙,能改善化學(xué)銀剝離。

        通過(guò)表12的試驗(yàn),并結(jié)合表13的改善試驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證,此次化學(xué)銀剝離原因?yàn)椋恒~面粗糙度大導(dǎo)致了化學(xué)銀剝離,由于銅面粗糙度大,由于藥水的表面張力及沉積速率影響,在銅面凹痕處,Cu-Ag結(jié)合位置存在空洞且結(jié)合的區(qū)域較少,使得Cu-Ag結(jié)合力降低導(dǎo)致化學(xué)銀剝離。

        5 結(jié)論

        (1)此次化學(xué)銀剝離與沉銀藥水、生產(chǎn)線設(shè)備傳送壓轆污染、銅面雜物無(wú)關(guān);

        (2)導(dǎo)致此次銀剝離的主要原因?yàn)閬?lái)板銅面粗糙度較大,從銅面垂直切片來(lái)看,銅面凹痕多且深度較大,銅面最大凹痕深度最大達(dá)24.37 μm,由于藥水的表面張力及沉積速率影響,在銅面凹痕處,Cu-Ag結(jié)合位置存在空洞且結(jié)合的區(qū)域較少,使得Cu-Ag結(jié)合力降低導(dǎo)致化學(xué)銀剝離。

        6 改善及建議

        (1)在沉銅加厚銅后增加磨板流程,保持電鍍銅前銅面平整性,銅面無(wú)凹點(diǎn)等缺陷;

        (2)維持電鍍銅中銅缸藥水穩(wěn)定性,保持光劑及氯離子等參數(shù)穩(wěn)定,過(guò)濾棉芯(過(guò)濾芯:1次/3周;碳芯:1次/6周)定期更換保養(yǎng),以防止電鍍銅面凹痕、粗糙度大;

        (3)維護(hù)沉銀藥水日常穩(wěn)定,對(duì)傳送、壓轆定期進(jìn)行保養(yǎng),過(guò)濾棉芯定期更換;

        (4)對(duì)于特殊板材,如特氟龍板材,綠油前處理需使用超粗化處理,由于中粗化/超粗化后銅面粗糙增大會(huì)存在較大的銀剝離風(fēng)險(xiǎn),此類(lèi)板材建議使用除沉銀外的其它表面處理方式。

        [1]駱玉祥, 龔永林, 袁繼旺. 印制板電鍍與涂覆技術(shù)[M].印制電路信息, 2008.

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