劉鈺馨,盛家榮,莫羨忠,龐錦英,李建鳴,李美連
(廣西師范學院 化學與材料科學學院,廣西 南寧 530001)
隨著人們環(huán)境保護意識的提高和可持續(xù)發(fā)展的迫切需求,對于不可再生和不可生物降解等材料在加工和使用過程帶來的環(huán)境污染、能源緊缺等問題越來越受到重視,尤其一些塑料制品在廢棄后的“白色污染”問題一直受到人們和政府的關注[1]。淀粉是一種來源于植物中的產(chǎn)物,具有來源廣泛、價格低廉等特點,尤其是淀粉的可再生和可完全降解特性對環(huán)境污染小,因此淀粉材料也在造紙、化工、紡織等領域廣泛應用。由于熱塑性淀粉材料耐水、力學性能欠佳,限制了其應用范圍,無機填充物具有廉價易得、資源豐富以及環(huán)境友好易降解等優(yōu)點[2-4],加入無機粒子與淀粉形成熱塑性淀粉復合材料,其耐水和力學性能可得到改善。因此本研究利用二氧化硅粒子來改善熱塑性木薯淀粉(TPS)的穩(wěn)定性能,通過添加二氧化硅粒子到熱塑性木薯淀粉中,考察二氧化硅的用量、粒徑、表面性質對TPS的吸水性能、生物降解性能、熔融行為的影響,為淀粉基材料應用的擴大化奠定理論依據(jù)。
TPS:木薯原淀粉,食用級,含水率 11%~15%(質量分數(shù)),廣西南寧市明陽生化股份有限公司;甘油:分析純,江蘇強盛功能化學股份有限公司;微米二氧化硅:HT299-1,粒徑23 μm,山東?;煞萦邢薰荆患{米二氧化硅:JC-SP200,粒徑200 nm,深圳晶材化工有限公司;硅烷偶聯(lián)劑KH550:上海耀華牌化工廠。
二氧化硅的表面處理:將硅烷偶聯(lián)劑KH550配成質量分數(shù)為10%的乙醇溶液,將水與硅烷偶聯(lián)劑混合,使其水解30 min,然后與二氧化硅攪拌混合(硅烷偶聯(lián)劑用量為二氧化硅質量的2%),高速攪拌3 min后取出,在真空、35 ℃條件下干燥2 h。
高速混合器:天津市泰斯特儀器有限公司;轉矩流變儀:RM-200A,哈爾濱哈普電氣技術有限責任公司;平板硫化機:XLB 25-D,湖州雙力自動化科技裝備有限公司;差示掃描量熱儀(DSC):TA Q20,美國TA公司。
將TPS、甘油、二氧化硅按質量比100/40/0、100/40/2、100/40/5、100/40/7經(jīng)高速混合器混合均勻后,分別裝入樣品袋內密封24 h,將溶脹好的共混物經(jīng)過轉矩流變儀進行混合塑化,轉矩流變儀一、二、三區(qū)溫度均設置為140 ℃,轉速為45 r/min。將混合物在平板硫化機上于160 ℃下熱壓15 min,冷卻取出后裁成樣條。
1.4.1 吸水率的測定
按GB1034—70進行測定,室溫環(huán)境下,將大小為30 mm×25 mm×2 mm的試樣,放置自然環(huán)境中存放一定時間,取出稱重W1之后,在烘箱中于105 ℃下干燥3 h稱重W2,吸水率按式(1)計算。
吸水率(%)=(W1-W2)/W2×100%
(1)
式中:W1為試樣烘干前的質量,g;W2為試樣烘干后的質量,g。
1.4.2 生物降解性的測定
將試樣裁成30 mm×25 mm×2 mm的試樣,充分干燥至恒重(W0),埋于地表之下約20 cm處(廣西師范學院內)定期取出,用水洗凈并干燥后稱重(W′),降解率通過式(2)計算。
降解率(%)=(W0-W′)/W0×100%
(2)
式中:W0為生物降解前試樣質量,g;W′ 為生物降解后的試樣質量,g。
1.4.3 差示掃描量熱測試
稱取約5.0 mg試樣,用差示掃描量熱儀測定材料的熔融溫度Tm,溫度范圍為40~170 ℃,升溫速率為10 ℃/min。
圖1為不同用量的納米與微米SiO2對TPS吸水率影響。由圖1可以看出,當SiO2添加量為0份時,TPS的吸水率為32%,當增加到2份時TPS/納米SiO2復合材料的吸水率降至21%,當納米SiO2用量增加到5份時,TPS/納米SiO2復合材料的吸水率上升為24%。在TPS中添加一定量SiO2時可以在一定程度上降低熱塑性淀粉的吸水性能,原因是SiO2和淀粉可以形成一定的相互作用形成網(wǎng)絡結構,從而可以加強TPS的力學強度和耐水性能[5];而當SiO2含量過多,SiO2的多孔結構起到吸附作用,其吸水量反而會有所增加。另外,由圖1還可以看出,TPS/納米SiO2復合材料的吸水率比TPS/微米SiO2復合材料的吸水率低,添加2份微米、納米SiO2的TPS吸水率分別為28%、21%,由于納米SiO2粒徑及比表面積較微米二氧化硅的小,在熱塑性淀粉中的分散更細密,從而使復合材料變得更穩(wěn)定和致密,水分不易在復合材料內部進行擴散和滲透,所以添加納米SiO2更能降低熱塑性淀粉的吸水性,從而提高熱塑性淀粉的耐水性。
SiO2用量/份圖1 納米與微米SiO2對TPS吸水率的影響
圖2為進一步研究納米SiO2經(jīng)KH550處理前后對TPS吸水率的影響。由圖2可以清晰地看到在TPS中添加表面處理后的納米SiO2比未處理的吸水率低,在同時添加2份SiO2的條件下,未經(jīng)表面處理的納米SiO2的TPS吸水率為21%,添加處理后SiO2的TPS吸水率為13%,吸水率降低了38%。經(jīng)過KH550表面處理后納米SiO2與淀粉分子間形成氫鍵,同時還通過化學作用形成新的C—O—Si鍵,形成的網(wǎng)絡結構能阻止水分子擴散和滲透,可以起到提高材料的防水性能。另一方面,納米SiO2粒子的表面經(jīng)過偶聯(lián)劑的改性后,SiO2的表面由親水性變成疏水性[6-7],降低了TPS/SiO2復合材料與水分子的結合,從而提高材料的耐水性。
納米SiO2用量/份圖2 納米SiO2表面處理前后的TPS吸水率曲線
圖3為添加了5份納米SiO2的TPS在不同時間的生物降解曲線。隨著生物降解時間的增加,TPS/納米SiO2復合材料的生物降解率提高,經(jīng)歷5 d時間降解率為15.1%,18 d后復合材料已被環(huán)境消納、同化。熱塑性淀粉即使在添加了無機粒子的情況下,隨著降解時間的增加熱塑性淀粉能實現(xiàn)完全生物降解。生物降解隨著降解時間的增長,可分為3個過程:首先是微生物、細菌作用下,部分淀粉材料分解成二氧化碳、水;然后淀粉材料降解后復合材料中出現(xiàn)一些多孔結構,使得更多微生物、細菌進入到體系中,增加材料接觸的表面積,因此降解率迅速增加;最后是剩余淀粉材料繼續(xù)降解直至全部被分解為水、二氧化碳[8]。
降解時間/d圖3 TPS/SiO2復合材料經(jīng)過不同時間的生物降解曲線
圖4為納米SiO2表面處理前后對TPS經(jīng)過10 d的生物降解曲線。未添加SiO2的TPS生物降解率為45.9%,在添加2份未處理納米SiO2后,TPS的降解率降低到42.7%,再繼續(xù)添加納米SiO2至5、7份時,TPS的降解率為43.2%、41.9%。在降解過程中由于TPS/納米SiO2復合材料的結構比純TPS致密,使得土壤中的微生物難以進入其內部[9-10],導致TPS/納米SiO2復合材料的降解率較TPS 低,而當SiO2用量達到5份后粒子本身相互碰撞幾率增大,易重新產(chǎn)生團聚現(xiàn)象,導致SiO2與基體的結構不再結實,使得TPS復合材料的生物降解率稍有上升。由圖4還可以看出,SiO2為2份時,SiO2表面處理前后的降解率分別為42.7%、43.0%;SiO2為5份時,SiO2表面處理前后的降解率分別為43.2%、43.8%,經(jīng)過表面處理的后SiO2在一定程度上能提高TPS的生物降解性。經(jīng)過表面處理后的SiO2團聚現(xiàn)象減少,增大了粒子與聚合物接觸的表面積,同時就增大了與土壤中的微生物接觸的表面積,因此能提高了TPS的生物降解率。
SiO2用量/份數(shù)圖4 納米SiO2表面處理前后對TPS生物降解性能的影響
利用DSC研究不同SiO2用量對TPS的熔融行為的影響。圖5為添加未處理的納米SiO2用量的TPS熔融曲線,隨著不同SiO2用量TPS的熔融峰位置不同。圖6為SiO2經(jīng)表面處理前后對TPS熔融峰的影響。
溫度/℃圖5 SiO2用量對TPS的熔融峰影響
納米SiO2用量/份圖6 SiO2表面處理前后對TPS熔融峰的影響
由圖6可以看出,當SiO2用量為0份時,熔融峰為129.02 ℃,添加2份未處理的納米SiO2時TPS的熔融峰為129.39 ℃,7份時增至137.43 ℃,隨著SiO2用量的增加,TPS的熔融峰升高,說明SiO2的加入能更好誘導TPS結晶,使得晶體完善,因此TPS/SiO2共混物的熔融溫度提高。由圖6還可以發(fā)現(xiàn),表面處理前后的納米SiO2對TPS熔融峰的影響不同,SiO2表面處理后的熔融峰比未經(jīng)表面處理的SiO2有大幅度提高,當納米SiO2均為5份時,添加未經(jīng)表面處理納米SiO2的TPS熔融峰為128.57 ℃,而添加表面處理后SiO2的TPS熔融峰為142.79 ℃。經(jīng)過表面處理后的SiO2團聚現(xiàn)象減少,SiO2和聚合物基體之間相互作用增強,SiO2更好地分散在TPS中,有利于TPS結晶的進行和晶體的完善。
添加SiO2后的TPS的吸水率呈下降趨勢,添加經(jīng)過KH550表面處理后的納米SiO2比未處理的吸水率低。隨著生物降解時間的增加,TPS/SiO2復合材料的生物降解率提高;隨著SiO2用量的增加,TPS的生物降解率呈下降變化,且SiO2表面處理后能提高TPS的生物降解性。隨著SiO2用量的增加,TPS的熔融峰增加,且添加SiO2表面處理后的TPS熔融峰比未經(jīng)表面處理的SiO2高。
參 考 文 獻:
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