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        正負液晶在FFS中的比較和研究

        2014-05-10 01:44:58張少楠郭小軍崔宏青
        液晶與顯示 2014年3期
        關鍵詞:殘影灰階正性

        張少楠 ,郭小軍*,崔宏青

        (1.上海交通大學 電子信息與電氣工程學院,上海 200030;2.昆山市龍騰光電有限公司,江蘇 昆山 215301)

        1 引 言

        FFS技術用于顯示有出色的廣視角和觸控[1]體驗,由于其液晶分子隨電場水平轉動,較VA,TN不易受指壓的影響[2],因此廣泛應用于Tablet和 Mobile phone。但由于FFS本身的電極架構以及搭配使用的正性液晶的電學特性,使得電極中心的穿透率較低,且與其他位置差異較大,從而拉低了整體的穿透率[3],無法達到TN的水準。隨著個人應用品質的提升,對顯示器的各種規(guī)格和特性要求也相對提高。穿透率成為首要需解決的問題,為了改善這一狀況,大多選擇使用負性液晶代替原來的正性液晶。相對其他的提升穿透率的方法,如使用光配向[4-5]、優(yōu)化電極設計等,這一改變在成本和應用上更為低廉和簡化。此外,負性液晶在色偏以及受垂直電場影響方面表現更為出色。當然,由于負性液晶的應用研究在很長時間內處于停滯的狀態(tài),其發(fā)展相對較慢,還存在很多未解決的難題,如響應時間和穩(wěn)定性的問題。其中穩(wěn)定性導致的殘影問題可以通過配向膜的改進來減輕[6]。本文通過光學模擬和試驗樣品測試比較了這2種液晶在光學和穩(wěn)定性方面的優(yōu)缺點。

        2 正負液晶在FFS中的光學特性

        2.1 電壓和穿透率

        為了比較正負液晶的光學特性,我們使用Techwiz進行模擬。模擬架構采用一款12.7cm(5 in)FFS的產品架構(電極寬度為3.7μm,間距為3.9μm,Cell gap為3.3μm),正性為 Merck的一款液晶(基本參數:K11=11.5PN,K22=5.75PN,K33=13.8PN,Δε=9,Δn=0.102),負性為JNC的液晶(基本參數:K11=18.2PN,K22=9PN,K33=17PN,Δε=-5,Δn=0.102)如圖1,(a)圖為正性液晶穿透率對應電極位置的分布,(b)圖為負性液晶的穿透率對應電極位置的分布。從穿透率的曲線可以明顯看出負性液晶較正性有較大的改善。(a)顯示電極中心位置A的穿透率最低,(b)圖顯示電極中心位置A的穿透率比(a)圖有明顯提升,和穿透率的峰值差異減小。這是因為相對其他的電極位置,A位置使得液晶分子水平旋轉的邊緣電場Ey最弱[7-8],液晶分子水平旋轉主要依靠A、B 之間的彈性力矩作用,A位置液晶分子的水平旋轉角度主要由B位置周圍的液晶分子的水平旋轉角度決定。B位置的液晶傾角θ決定了A位置液晶的水平旋轉角度,由于大的液晶傾角會引起周邊液晶垂直方向的旋轉,因此傾角越小,對水平旋轉角度的影響越小。由圖1可以看出負性液晶B位置的傾角θ遠小于正性液晶,因此對水平旋轉角度的影響也遠小于正性液晶,穿透率就得到了改善。式(1)是FFS的穿透率公式,其中:Δneff稱之為有效折射率,由圖1可知,加電壓時由于負性液晶的θ很小,在不同的電極位置Δneff變化很小,體現到穿透率曲線上就更為平緩(如圖1b)。

        圖1 亮態(tài)下FFS對應電極位置的穿透率分布Fig.1 Transmittance distribution on corresponding electrode under white state

        圖2是通過techwiz模擬的結果,使用正性液晶的穿透率為5.13%,使用負性液晶的穿透率為4.16%,可以得出負性液晶的穿透率比正性高23%左右,但同時負性所要求飽和電壓更高(-LC 6V,+LC 4.4V),如式(2),這主要由于負性液晶較小的Δε和較大的K22引起的,在電極架構和液晶盒參數一致的前提下,Δε越小,K22越大,操作電壓越高。

        其中:Vth為閥值電壓,L為電極間距,d為盒厚,根號中為液晶的幾項基本參數。

        圖2 +LC和-LC的V-T(穿透率對應電壓)曲線Fig.2 V-Tcurve of positive & negative LC

        2.2 響應時間和“Optical bounce”[9]

        表1是2種液晶響應時間的模擬結果,正性液晶比負性液晶的響應時間快20ms左右,這2種液晶黏度是影響響應時間的主要因素,負性液晶的黏度是正性的2.5倍左右,導致撤掉電壓時負性液晶回復所需時間更長,Tf是正性的2倍。Tr也較正性大6ms左右,但相對影響較小。

        表1 正負性液晶對應的響應時間和液晶旋轉黏度Tab.1 Response time &rotary viscosity of positive and negative LC

        圖3 -LC的響應時間Tf段曲線Fig.3 Turn off part on time v.s.transmittance curve of-LC

        圖4 +LC的響應時間Tf段曲線Fig.4 Turn off part on time v.s.transmittance curve of+LC

        圖3和4中框出的區(qū)域出現穿透率的突變,在穿透率達到最大值時撤掉電壓,穿透率有一個1~2ms的上升的過程,隨后下降,此現象稱之為“Optical bounce”。是在Tf段產生的現象,Tf的計算公式:

        其中:Tf和K值成反比,由圖1(a)可以看到正性液晶C位置的液晶傾角θ最大,撤掉電壓后液晶分子需要克服彎曲形變(K33)垂直回復,正性液晶的K33最大,因此垂直方向的回復最快,同時Tf的大部分時間是克服扭曲形變(K22)水平回復。根據2.1的結論:θ越小穿透率越高,由于C位置θ最先快速的減小,在這段時間穿透率會短暫的增加,當進入到大部分液晶分子水平回復的時間時,穿透率逐漸降低。因此“Optical bounce”主要是發(fā)生于圖1中C位置,并且持續(xù)的時間就是克服K33垂直回復的時間。由圖3可知隨著操作電壓的降低,穿透率的增加幅度會逐漸減小,此現象就會減輕或消失。降低操作電壓(Vop),可以減輕“Over twist”的程度。圖4顯示正性液晶Vop為3.2V雖然程度減輕,仍然存在此現象,負性液晶Vop為5.2V時,此現象得以消除。主要原因是負性液晶的θ較低,穿透率“突變”的持續(xù)時間很短,小幅度的減低電壓就可以消除“Optical bounce”。而正性液晶的θ較大,“Optical bounce”的持續(xù)時間較長,需要大幅度的減小電壓來消除此現象。

        2.3 色偏

        圖5分別是正性液晶和負性液晶不同灰階的色偏示意圖,T1~T100表示從暗態(tài)到亮態(tài)的100個灰階。從色溫來看,正性液晶從相對藍(5 830.1K)到綠(5 287.9K)然后又返回到偏藍(5 618.5K),在中間灰階(T50)發(fā)生反轉,負性液晶從相對藍(7 328K)直接到偏綠(6 159.7K)。只有正性液晶發(fā)生了色偏反轉的現象[10]。這和正性液晶在電場下不同電極位置較大的的θ有關。

        圖5 不同灰階時對應u’v’值Fig.5 u’v’value in corresponding gray level

        如圖6,正性液晶的旋轉角度隨灰階升高,θ在A位置隨灰階的升高幾乎沒有變化,在B和C位置逐漸升高,并且在T50時,C位置的升高幅度進一步增加。對應到圖7,A位置的色溫逐漸降低,沒有反轉現象。B和C位置的色溫在T50的時候發(fā)生反轉,并表現到整體上。

        圖6 不同電極位置的平均旋轉角度(a)以及θ(b)Fig.6 Average twist angle(a)&tilt angle(b)at different electrode position

        圖7 +LC-LC在不同位置的灰階對應色溫曲線Fig.7 Grey level-color temperature curve in different electrode position

        圖1中已經顯示正性液晶A位置受Ez影響最小,傾角θ最小。綜上所述,降低傾角θ可以有效的改善色偏反轉。我們知道液晶分子延長軸方向配向,當減小液晶分子的Δε(ε∥-ε┴)時,各項異性的特征減小,液晶分子的傾角相對Ez的電場影響也相對減小。當平均傾角減小到3°時,色偏反轉的現象會消除。另一方面,從圖1可以看到使用正性液晶時,位置A的傾角明顯小于位置B C,因此色偏反轉出現在位置B C,位置A沒有此現象的發(fā)生,負性液晶由于平均傾角遠遠小于正性,整體沒有色偏現象的發(fā)生(由圖5可以看出)。因此,為了改善正性液晶的色偏反轉現象,只有使得平均傾角小于3°,一般來說可以通過增大ε┴來減小Δε實現,但副作用是操作電壓變高(由式(3)可知)。

        3 實驗和結果討論

        3.1 Trace Mura

        我們把這兩款液晶使用于5寸的實際產品上驗證,做出5寸分辨率540×960的樣品。根據模擬結果正負液晶的飽和電壓分別為4.4V和6 V,為了得到最好的穿透率,我們使用此飽和電壓,但出現“Trace Mura”,即在亮態(tài)時用手指劃面板表面,出現一條沿手指動作的灰色軌跡,并需4s左右消失。當把操作電壓分別降到3.3V和5.2V時此現象減輕和消失。這種現象的原理類似前文提到的“Optical bounce”產生原理,白畫面時面板處于開狀態(tài),使用飽和電壓或相對較大的電壓則使得接近電極邊緣位置的Ez效應增強,用手指劃面板時Ez發(fā)生變化較大,而拿開手指后,液晶分子克服彎曲形變回復,需要一定的回復時間。而降低操作電壓同時可以降低Ez效應,使得拿開手指后,液晶分子克服彎曲形變的回復時間減小。由“Optical bounce”的分析數據(圖3圖4)可知,負性液晶的Trace Mura要輕于正性液晶,因為正性液晶分子在turn on的狀態(tài)時傾角較大,受到Ez(垂直電場)影響大。表2是實際測得的正負液晶的響應時間和穿透率,和前文的模擬結果保持一致性。

        表2 實驗所測正負液晶的響應時間和穿透率Tab.2 Measured response time &transmittance of positive &negative LC

        3.2 兩種液晶的穩(wěn)定性

        畫質重點看面板的殘影狀況。檢測條件為7×5棋盤格畫面持續(xù)點燈,判定時切換至L127(中間灰階)使用ND filter遮(目視不可見時則不使用)。結果如表3,正性液晶的殘影程度要遠遠好于負性液晶,持續(xù)點24h后在L127判定,結果ND filter 10%可遮,而負性液晶超過4h持續(xù)點燈后已經 ND filter 3%不可遮。

        表3 正負液晶的殘影判定結果Tab.3 Image sticking of positive &negative LC

        鑒于殘影結果的巨大差異,針對正負性液晶做了電壓保持率的比較。測試條件是給測試盒5V的交流電(頻率60Hz),在100℃的溫度中烘烤30h,每隔5h確認電壓保持率,結果如圖8中的藍色和黑色線,正性液晶的電壓保持率的減小為0.5%,而負性液晶減小達15%。因此負性液晶更容易產生DC殘留從而加重殘影的程度。針對這一結果PI做了分子結構的加強,使得對LC分子的錨定能增強;加入具有高穩(wěn)定性的疏水結構的單體使得PI更不容易吸收不純物質;使用低介電常數的二元胺,改善VHR。使用這一改善的PI搭配負性液晶進行測試,條件相同,結果如圖8中的紅色線,VHR隨Stress條件的變化只有0.1%。就負性液晶的穩(wěn)定性來說,目前可以依靠搭配的PI得以解決。

        圖8 正負液晶電壓保持率隨時間的變化Fig.8 Voltage holding ratio variation by time

        4 結 論

        綜上所述,由于正負液晶本身的參數上的差異以及FFS本身電極結構的特點,即電極不同位置的垂直電場強弱的差異造成負性液晶在光學穿透率、色偏、optical bounce/trace mura方面要優(yōu)于正性液晶,負性液晶的穿透率較正性有23%的提升,且?guī)缀鯖]有發(fā)生Trace Mura的問題,而正性液晶的Trace Mura需要4s左右才會消失。在操作電壓/功耗上目前正性液晶更具優(yōu)勢,響應時間較負性高出70%左右。至于負性液晶穩(wěn)定性的問題,根據試驗結果,可以通過調整搭配材料的性能來進行彌補。因此正負液晶在FFS的架構下表現不盡相同,目前各自有其優(yōu)缺點,如果能夠改善負性液晶的電壓和響應時間的問題,就能夠在更廣的領域替代目前的正性液晶。

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