郭立娟
(長(zhǎng)沙航空職業(yè)技術(shù)學(xué)院,湖南 長(zhǎng)沙 410124)
諧振腔是微波電路中一個(gè)不可或缺的器件。現(xiàn)代微波集成電路的發(fā)展要求減小器件尺寸,而傳統(tǒng)諧振腔的工作波長(zhǎng)與腔體尺寸相當(dāng)。本文從Maxwell方程和邊界條件出發(fā),理論上分析了實(shí)現(xiàn)亞波長(zhǎng)諧振的條件。電磁特異性介質(zhì)材料(Metamaterials簡(jiǎn)稱MTMs)[1]是指人工合成的具有自然介質(zhì)材料所不具備的電磁特性的新材料。其中典型的為負(fù)折射率介質(zhì)(NIM)又稱為雙負(fù)介質(zhì)(DNG)、左手征材料(LHM)或者后向波媒質(zhì)(BW)。早在1967年,前蘇聯(lián)理論物理學(xué)家Veselage在他的經(jīng)典論文 Substances with Simultaneously Negative Values of ε and μ中提出了雙負(fù)介質(zhì)的概念[2],但因?yàn)樽匀唤缯也坏竭@樣的材料而被擱置。直到上個(gè)世紀(jì)末英國(guó)皇家學(xué)院院士Pendry提出了分別實(shí)現(xiàn)負(fù)介電常數(shù)和負(fù)磁導(dǎo)率的人工電磁結(jié)構(gòu)[3-4],即MTMs的構(gòu)造理論,并于2001年由加州大學(xué)圣迭戈分校物理系的Smith等在微波實(shí)驗(yàn)中首次實(shí)現(xiàn)[5]。從此MTMs獲得了廣泛的認(rèn)可,相關(guān)的研究也蓬勃開展起來(lái)。根據(jù)理論分析,如將單負(fù)介質(zhì)(介電常數(shù)和磁導(dǎo)率其中一個(gè)為負(fù))或者雙負(fù)介質(zhì)(介電常數(shù)和磁導(dǎo)率同時(shí)為負(fù))部分填充于諧振腔中,將出現(xiàn)諧振頻率與諧振腔尺寸無(wú)關(guān)的諧振模式,即亞波長(zhǎng)諧振模式[6-7]。亞波長(zhǎng)諧振腔的實(shí)現(xiàn)對(duì)縮減微波集成電路尺寸,構(gòu)造新型微波器件有著重要的價(jià)值。
圖1 矩形諧振腔
設(shè)一z向柱狀諧振腔,xy平面內(nèi)形狀可以任意而不影響結(jié)論,為討論方便,本文采用矩形。腔內(nèi)沿z向分別填充兩部分介質(zhì),如圖1。對(duì)應(yīng)I、II區(qū)域填充介質(zhì)1和介質(zhì) 2,厚度分別為d1、d2,電磁參數(shù)為 ε1、μ1;ε2、μ2。在假設(shè)腔內(nèi)介質(zhì)無(wú)耗、絕緣的情況下,根據(jù) Maxwell方程組可以得到一組時(shí)諧Helholtz方程:
用分離變量法,先求出TE模和TM模的縱向分量,橫向分量根據(jù)Maxwell旋度方程可以用縱向分量求出[8]。代入邊界條件后得到TE和TM波對(duì)應(yīng)的本征方程:
簡(jiǎn)單的分析一下本征方程兩邊的函數(shù)性質(zhì)我們可以得到這樣的結(jié)論:兩個(gè)填充區(qū)域介質(zhì)的 ε1,ε2或者 μ1,μ2必須異號(hào),相應(yīng)的 TE 模、TM模本征方程才可能有解。由于tanh函數(shù)的單調(diào)性,本征方程滿足亞波長(zhǎng)條件的解只能有一個(gè),以后我們用s下標(biāo)來(lái)表示亞波長(zhǎng)的某個(gè)模式,例如 TE10s、TM11s。
如確定了諧振腔的尺寸,本征方程(6)和(7)將在不同的介質(zhì)填充條件下有不同的解。
(1)當(dāng) ε1=-ε2,μ1=-μ2時(shí):
注意這里的εi,μi并沒(méi)有規(guī)定符號(hào),所以可能是電負(fù)媒質(zhì)和磁負(fù)媒質(zhì),也可能是傳統(tǒng)介質(zhì)和雙負(fù)介質(zhì)。
則有l(wèi)z1=lz2=lz,本征方程變?yōu)椋?/p>
當(dāng)且僅當(dāng)d1=d2時(shí)lz有解,且lz可以為任意實(shí)數(shù)。由式(5)可知,此時(shí)任意頻率均可諧振。
根據(jù)前面的本征方程有解條件可知此時(shí)只有TM模本征方程有解:
為方便討論式(11)的解,令矩形波導(dǎo)a=b=d1+d2=1(cm),后面章節(jié)討論時(shí)也采用這種尺寸的諧振腔,如無(wú)另外說(shuō)明,所有長(zhǎng)度單位均為厘米,且只討論主模 TM11s模19.74×10-4。
圖2所示為對(duì)應(yīng)不同εr1的λ11S與d1關(guān)系曲線。圖中由下至上εr1=1,1.2,…,2。
注意:為直觀起見(jiàn),橫坐標(biāo)使用的是諧振頻率對(duì)應(yīng)下的真空波長(zhǎng),單位為厘米。
b)ε1>0,μ1<0 即 I區(qū)填充磁單負(fù)介質(zhì)
圖2 λ11S與d1關(guān)系曲線隨μr1變化圖(由上至下 μr1=1,1.2,1.4,…,2)
圖3 λ11S與d1關(guān)系曲線隨μr1變化圖(由上至下 μr1=1,1.2,1.4,…,2)
注意:為直觀起見(jiàn),橫坐標(biāo)使用的是諧振頻率對(duì)應(yīng)下的真空波長(zhǎng),單位為厘米。
c)小結(jié)和推論
由a)和b)中的公式和數(shù)值模擬結(jié)果可知,使用單負(fù)媒質(zhì)填充普通諧振腔可以實(shí)現(xiàn)亞波長(zhǎng)諧振。填充的是磁負(fù)還是電負(fù)媒質(zhì),決定諧振模式是TE模還是TM模。改變填充比例可以得到不同的諧振波長(zhǎng)。可以推論,如果在I區(qū)和II區(qū)分別填充電負(fù)和磁負(fù)媒質(zhì),也可以實(shí)現(xiàn)亞波長(zhǎng)諧振,TE模和TM模均有解,且諧振波長(zhǎng)主要與介質(zhì)參數(shù)和填充比例相關(guān)。圖4以II區(qū)真空I區(qū)填充電負(fù)介質(zhì)為例給出了TM11S模在x=a/2 平面內(nèi)的場(chǎng)型圖。 計(jì)算時(shí)取 ε1=-1.2ε0,μ1=μ0,a=1m,d1=0.68m,d2=0.32m。
(3)εiμi>0,ε1<0,ε2>0 即 I區(qū)填充雙負(fù)介質(zhì),II區(qū)為傳統(tǒng)介質(zhì);
此時(shí),TE模和TM模本征方程均可能有解。
圖4 TM11S模在x=0平面內(nèi)場(chǎng)型
圖5 λ10S與d1關(guān)系曲線
圖6 λ11S與d1關(guān)系曲線
本征方程變?yōu)椋?/p>
設(shè) εr1=2,μr1=1,εr2=1,μr,2=1
圖5為λ10S與d1關(guān)系曲線,圖6為λ11S與d1關(guān)系曲線??梢?jiàn),利用雙負(fù)介質(zhì)和傳統(tǒng)介質(zhì)同樣可以實(shí)現(xiàn)亞波長(zhǎng)諧振。
注意:為直觀起見(jiàn),橫坐標(biāo)使用的是諧振頻率對(duì)應(yīng)下的真空波長(zhǎng),單位為厘米。
假設(shè)諧振腔是立方體,a=b=d。我們以主模TE10s為例。
令:εi=εriε0,μi=μriμ0,d1=pa,d2=(1-p)a,p 為介質(zhì)填充比例。
本文研究了亞波長(zhǎng)諧振器的構(gòu)造方法。研究表明,利用新型人工電磁介質(zhì)進(jìn)行部分填充,可以實(shí)現(xiàn)亞波長(zhǎng)諧振腔,諧振波長(zhǎng)主要與腔體內(nèi)的填充介質(zhì)和填充比例有關(guān)。本文的研究對(duì)于亞波長(zhǎng)諧振腔的實(shí)現(xiàn),縮減微波集成電路尺寸,構(gòu)造新型微波器件十分有意義。
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