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        光纖宏彎損耗性能影響因素的仿真研究

        2014-03-20 08:51:04彭星玲李玉龍
        激光與紅外 2014年10期
        關(guān)鍵詞:圈數(shù)包層纖芯

        彭星玲,張 華,李玉龍

        (南昌大學(xué)機(jī)器人與焊接自動(dòng)化重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江西南昌330031)

        1 引言

        光纖由于直徑小、柔韌易彎曲的特點(diǎn),很容易在使用過程發(fā)生彎曲,如果光纖的彎曲半徑小于一個(gè)臨界值Rc,將引起光傳播途徑發(fā)生改變,使光從纖芯進(jìn)入到包層,甚至可能穿過包層向涂覆層、甚至空氣層泄露,從而引起宏彎損耗[1]。在通信光纜中宏彎損耗的主要原因有[2]:路由轉(zhuǎn)彎和敷設(shè)中的彎曲;光纖光纜的各種預(yù)留造成的彎曲(預(yù)留圈、各種拿彎、自然彎曲);接頭盒中光纖的盤留、機(jī)房及設(shè)備內(nèi)尾纖的盤繞等。這些宏彎狀態(tài)被視為光纖通信中的不利因素,因而光纖通信中使用的光纖要求對(duì)宏彎損耗不敏感,彎曲半徑臨界值Rc越大越好。然而,在光纖宏彎損耗傳感器的研發(fā)中,宏彎損耗敏感光纖的應(yīng)用不僅能夠提高傳感器的靈敏度和精度,而且非常有利于信號(hào)的提取和解調(diào)。因此,研究單模光纖宏彎損耗敏感因素,從而優(yōu)選宏彎損耗敏感光纖,對(duì)開發(fā)光纖宏彎損耗傳感器具有重要意義。目前很多學(xué)者[3-6]研究了光纖宏彎損耗與波長(zhǎng)、彎曲半徑和圈數(shù)的關(guān)系,但這些參數(shù)不能用于優(yōu)選宏彎損耗敏感光纖。已有學(xué)者[4,7]提出 MAC=MFD/λcf,是用于表征單模光纖彎曲(宏彎和微彎)靈敏度的特征參數(shù),但是涂覆層也會(huì)對(duì)光纖宏彎損耗產(chǎn)生重要影響。因此,本文綜合研究了涂覆層、彎曲半徑、波長(zhǎng)、MAC值和圈數(shù)對(duì)光纖宏彎損耗性能的影響。

        2 單模光纖宏彎損耗理論

        長(zhǎng)度為 L的單模光纖的宏彎損耗[8]可以表示為:

        式中,2α是光纖宏彎損耗因子,大多數(shù)光纖宏彎損耗理論模型都是在預(yù)測(cè)這個(gè)彎曲損耗因子。從式(1)可知,光纖宏彎損耗與宏彎損耗因子2α和彎曲總長(zhǎng)度有關(guān)。

        彎曲圈數(shù)為t,彎曲半徑為R的光纖宏彎損耗可以表示為:

        BELL實(shí)驗(yàn)室的D.Marcuse于1976最早了提出了預(yù)測(cè)光纖宏彎損耗因子的理論模型[9],將光纖看成纖芯-無窮大包層模型,推導(dǎo)出宏彎損耗因子計(jì)算公式:

        式中,ν=0;ev=2表示此公式適用于計(jì)算單模光纖宏彎損耗因子;a是纖芯半徑;R是彎曲半徑;βg是直光纖基模未受擾動(dòng)的位相傳播常數(shù);Kv-1(γa)和Kv+1(γa)是改進(jìn)的貝塞爾函數(shù);V是歸一化頻率。其中:

        式中,k=2π/λ是在波長(zhǎng)為λ時(shí)的真空波數(shù);n1,n2分別是纖芯和包層的折射率。

        由于實(shí)際使用中的光纖不僅含有纖芯、包層、還有一層或兩層提供機(jī)械保護(hù)的涂覆層,這個(gè)模型只能預(yù)測(cè)去除涂覆層,加上吸收層的模型。這種纖芯-包層-吸收層結(jié)構(gòu)可以近似看成纖芯-無限包層模型。由公式(1)~(6)可以看出,光纖宏彎損耗與彎曲半徑、波長(zhǎng)、纖芯半徑、纖芯折射率、包層折射率有關(guān)。

        實(shí)際使用中光纖涂覆層的存在會(huì)產(chǎn)生回音壁效應(yīng)[8],為了考慮回音壁效應(yīng)對(duì)光纖宏彎損耗的影響,Hagen Renner[10]通過一些近似,對(duì) D.Marcuse 的模型進(jìn)行了修正,提出了計(jì)算光纖纖芯-包層-無限涂覆層的宏彎損耗計(jì)算公式:

        其中,Zq,θ0和 Xq(b,0)分別表示為:

        結(jié)合公式(7)~(10)可知,光纖宏彎損耗與涂覆層的折射率和包層半徑也有關(guān)系。對(duì)于不同種類的光纖,其纖芯、包層和涂覆層的折射率參數(shù)往往差別很大,纖芯的尺寸也有差別,而包層、涂覆層尺寸非常相似。由于折射率參數(shù)較多,不便于比較,纖芯尺寸雖有差異,但是通常在定義光纖幾何參數(shù)的時(shí)候,多考慮模場(chǎng)直徑(MFD),而不是光纖纖芯直徑,模場(chǎng)直徑略大于纖芯直徑。因此,很難用折射率和纖芯尺寸來比較光纖本身的宏彎損耗性能??梢圆捎孟嗤膹澢霃?、光源波長(zhǎng)和圈數(shù)比較宏彎損耗值的差異。但是也不能用彎曲半徑、光源波長(zhǎng)和圈數(shù)來衡量光纖本身的宏彎損耗性能。有研究表明MFD是衡量光纖將光集中在纖芯中能力的參數(shù),模場(chǎng)直徑越小,光纖纖芯束縛光的能力越強(qiáng),越不容易產(chǎn)生宏彎損耗,反之,模場(chǎng)直徑越大,光纖纖芯束縛光的能力越弱,越容易產(chǎn)生宏彎損耗。MAC值是衡量光纖宏彎損耗敏感性能的參數(shù),MAC值綜合考慮了MFD和截止波長(zhǎng)對(duì)光纖宏彎損耗性能的影響。為此,本文采用三種不同光纖對(duì)涂覆層、彎曲半徑、波長(zhǎng)、MAC值和圈數(shù)對(duì)光纖宏彎損耗的影響進(jìn)行仿真研究和驗(yàn)證。

        3 單模光纖宏彎損耗敏感因素的仿真研究

        D.Marcuse的光纖纖芯-無限包層結(jié)構(gòu)理論模型可以解釋單模光纖無涂覆層、帶吸收層的宏彎損耗情況。H.Renner的光纖纖芯-包層-無限涂覆層結(jié)構(gòu)理論模型能解釋單模光纖帶涂覆層的宏彎損耗情況。本文選取 corning SMF28、SMF28e和 Nufern 1060XP 三種單模光纖,其參數(shù)[11-12]如表1 所示。

        表1 SMF28光纖和1060XP光纖在波長(zhǎng)1550 nm處,溫度20℃的參數(shù)

        基于D.Marcuse和H.Renner提出的單模光纖宏彎損耗理論模型,通過matlab軟件仿真得到了不同單模光纖宏彎損耗隨涂覆層、彎曲半徑、波長(zhǎng)、MAC值和圈數(shù)變化的曲線,如圖1~6所示。

        圖1 帶涂覆層和不帶涂覆層SMF28光纖的宏彎損耗對(duì)比:光源波長(zhǎng)1600 nm,彎曲半徑8~13 mm

        圖2 帶涂覆層和不帶涂覆層1060XP光纖的宏彎損耗對(duì)比:光源波長(zhǎng)1600 nm,彎曲半徑8~13 mm

        圖3 帶涂覆層和不帶涂覆層的不同彎曲半徑SMF28光纖宏彎損耗隨波長(zhǎng)變化對(duì)比:波長(zhǎng)1500~1600 nm

        圖4 光源波長(zhǎng)分別為1500 nm和1600 nm的不帶涂覆層SMF28光纖宏彎損耗對(duì)比:彎曲半徑8~13 mm

        對(duì)圖1和圖2分析可知,在工作波長(zhǎng)恒定的情況下,無限包層的SMF28和1060XP兩種光纖宏彎損耗都隨彎曲半徑增大而減小;而帶涂覆層的兩種光纖宏彎損耗隨彎曲半徑增大整體呈現(xiàn)下降趨勢(shì),同時(shí)伴隨著損耗振蕩現(xiàn)象,彎曲半徑越小,振蕩越劇烈。這表明涂覆層會(huì)使宏彎損耗隨彎曲半徑變化發(fā)生振蕩現(xiàn)象,而去除涂覆層,增加有效的吸收層能夠使光纖宏彎損耗隨彎曲半徑變化不再發(fā)生振蕩。由圖3可以看出,相同的彎曲半徑,SMF28光纖無論是否具有涂覆層,宏彎損耗都隨波長(zhǎng)增加而增加;彎曲半徑9 mm的光纖宏彎損耗比彎曲半徑為10 mm的光纖宏彎損耗更大。由圖4可知,具有無限包層的SMF28光纖宏彎損耗隨彎曲半徑增大而減小;彎曲半徑相同的情況下,在波長(zhǎng)1600 nm處光纖宏彎損耗值大于1550 nm波長(zhǎng)處和1500 nm波長(zhǎng)處光纖的宏彎損耗,波長(zhǎng)越長(zhǎng)光纖宏彎損耗越大。

        圖5 MAC 值分別為8.25、8.25、10.3 的 SMF28SMF28e和1060XP光纖無限包層模型宏彎損耗對(duì)比:波長(zhǎng)1600 nm,彎曲半徑8~13 mm

        圖6 彎曲圈數(shù)分別為1圈、5圈和10圈的SMF28光纖無限包層模型宏彎損耗對(duì)比:波長(zhǎng)1550 nm,彎曲半徑8~13 mm

        由圖5可以看出,三種無限包層光纖宏彎損耗都隨彎曲半徑增大而減小,但是同樣的彎曲半徑和波長(zhǎng)情況下,1060XP光纖宏彎損耗值更大,而SMF28和SMF28e光纖的宏彎損耗值都較小,相差很小。模場(chǎng)直徑(MFD)代表光纖對(duì)光的約束能力,如果單純的比較MFD,1060XP光纖的MFD為9.5小于SMF28和SMF28e的模場(chǎng)直徑,同樣的彎曲半徑和波長(zhǎng)下,1060XP光纖的宏彎損耗應(yīng)該小于SMF28和SMF28e光纖,而這與實(shí)際情況相反。因此,模場(chǎng)直徑不是衡量光纖宏彎損耗敏感性的唯一參數(shù)。根據(jù) MAC=MFD/λcf,SMF28和 SMF28e光纖的MAC值都是8.25,非常接近,而1060XP光纖的MAC值為 10.3比 SMF28和 SMF28e光纖的MAC值大的多,實(shí)際上,1060XP光纖的宏彎損耗也比這兩種光纖大很多。因此,MAC值才是衡量光纖宏彎損耗敏感性的參數(shù)。

        從圖6可以觀察到,同樣的彎曲半徑和波長(zhǎng),彎曲圈數(shù)為10圈的光纖宏彎損耗最大,5圈的其次,1圈的最小。這是由于彎曲圈數(shù)越多,彎曲總長(zhǎng)度L越長(zhǎng),因此,宏彎損耗值也越大。

        4 結(jié)論

        應(yīng)用經(jīng)典光纖纖芯-無限包層理論模型和光纖纖芯-包層-無限涂覆層理論模型,選用Corning SMF28單模光纖、Corning SMF28e單模光纖和Nufern 1060XP單模光纖,仿真研究了光纖宏彎損耗與涂覆層、彎曲半徑、波長(zhǎng)、MAC值和圈數(shù)的關(guān)系。結(jié)果表明:光纖本身的丙烯酸酯類涂覆層會(huì)使得光纖宏彎損耗隨彎曲半徑變化發(fā)生振蕩;無涂覆層、帶吸收層的無限包層結(jié)構(gòu)的光纖宏彎損耗隨彎曲半徑增大而減小,隨著波長(zhǎng)的增長(zhǎng)而增大,隨著MAC值增大而增大,隨著彎曲圈數(shù)的增加而增大;MFD是影響光纖固有宏彎損耗性能的因素之一,MAC值才是衡量光纖宏彎損耗敏感性能的參數(shù)。因此,光纖宏彎損耗器件適合選用MAC值大的光纖,去除其涂覆層,增加吸收層,然后選擇較長(zhǎng)的光源波長(zhǎng)、較小的彎曲半徑和適當(dāng)多的彎曲圈數(shù)。

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