劉 瑛，胡 凱，叢紅艷，萬 清

（中國電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇 無錫 214035）

1 引言

本文采用基于SMIC 40 nm工藝的Artisan Memory Compiler[1]軟件編譯產(chǎn)生BRAM 18 kB真正雙端口RAM來實(shí)現(xiàn)最高680 MHz的讀寫操作速度。根據(jù)電路的各項(xiàng)指標(biāo)要求，用Verilog硬件描述語言對(duì)其進(jìn)行RTL設(shè)計(jì)和仿真，來實(shí)現(xiàn)配置為18 k或者36 k的存儲(chǔ)器。

BRAM36k最多可以存儲(chǔ)36 kB數(shù)據(jù)，并且可以配置成兩個(gè)獨(dú)立的18 kB RAM或者一個(gè)36 kB RAM[2]。每個(gè)SRAM36k，作為RAM使用時(shí)，可以配置成一個(gè)32k×1、16k×2、8k×4、4k×8（9）、2k×16（18）、1k×32（36）；作為FIFO使用時(shí)，可以配置成8k×4、4k×9（8）、2k×18（16）、1k×36（32）的FIFO。每個(gè)SRAM18k作為RAM使用時(shí)，可以配置成一個(gè)16k×1、8k×2、4k×4、2k×8（9）、1k×16（18）存儲(chǔ)器。作為FIFO使用時(shí)，可以配置成一個(gè)4k×4、2k×9（8）、1k×18（16）的FIFO。同時(shí)該模塊作為RAM使用時(shí)，也支持同一個(gè)端口，但是讀寫位寬不一樣的模式。

2 BRAM36k 內(nèi)部結(jié)構(gòu)與實(shí)現(xiàn)

真雙口36 kB BRAM 雙端口存儲(chǔ)器由兩個(gè)獨(dú)立的18 kB RAM組成，其具體結(jié)構(gòu)內(nèi)部圖如圖1所示。

其中FIFO_U0完成FIFO讀寫訪問控制功能，支持以兩塊SRAM18k作為一個(gè)RAM構(gòu)成的FIFO讀寫訪問，也支持以SRAM18k_U0作為RAM構(gòu)成的FIFO讀寫訪問。FIFO_U1只支持以SRAM18k_U1作為RAM構(gòu)成的FIFO讀寫訪問。SRAM18k_U0完成對(duì)SRAM18k_U0以及SRAM18k_U1讀寫訪問控制功能，SRAM18k_U1完成對(duì)SRAM18k_U1讀寫訪問控制功能。

由于Memory Compiler編譯產(chǎn)生的SRAM18k存儲(chǔ)容量為18 kB，定義為SRAM_DP。利用其支持bit MASK寫操作，可以根據(jù)當(dāng)前的地址信息產(chǎn)生寫使能MASK信號(hào)，這樣就可以只改變一個(gè)地址中某個(gè)或者某些bit內(nèi)容，對(duì)外體現(xiàn)為不同的地址深度和位寬組合模式。其具體的組合模式如表1所示。

同時(shí)，在讀操作時(shí)，通過地址信號(hào)寄存一拍的信號(hào)來選擇SRAM_DP的讀數(shù)據(jù)中比特位置（表2）。

另外當(dāng)兩塊SRAM18k級(jí)聯(lián)作為BRAM36k使用時(shí)，由于支持同一個(gè)端口讀寫位寬不同，在合理的讀寫位寬組合下，當(dāng)讀位寬或者寫位寬為32 bit或36 bit時(shí)，需要特別處理。

例子1是以1k×32模式寫，以4k×8模式讀，此時(shí)兩塊SRAM18k寫模式為1k×16，讀模式為2k×8，此時(shí)用戶邏輯發(fā)出的寫地址和讀地址映射關(guān)系為：

寫地址是X，則讀地址X<<2+[0,1,2,3]。

當(dāng)寫入操作時(shí)，32 bit數(shù)據(jù)需要同時(shí)寫入SRAM18k_U1和SRAM18k_U0，此時(shí)SRAM18k_U1和SRAM18k_U0的寫地址信號(hào)相同，如地址為X。當(dāng)進(jìn)行讀操作時(shí)，需要以2k×8模式先讀SRAM18k_U0，要讀兩次，然后再以2k×8模式讀SRAM18k_U1，要讀兩次；這樣交替進(jìn)行完成32 bit全部讀出，此時(shí)讀出的數(shù)據(jù)按位拼接后是與寫數(shù)據(jù)相同的。其地址關(guān)系如圖2所示。

例子2是以4k×8模式寫，以1k×32模式讀，此時(shí)兩塊SRAM18k寫模式為2k×8，讀模式為1k×16。此時(shí)用戶邏輯發(fā)出的讀地址和寫地址映射關(guān)系為：

寫地址是X、X+1、X+2、X+3，則讀地址X>>2。X需要與32 bit地址對(duì)齊。

當(dāng)寫入操作時(shí)，8 bit數(shù)據(jù)需要根據(jù)寫地址關(guān)系，如果地址是X、X+1則寫入SRAM18k_U0，如果地址是X+2、X+3則寫入SRAM18k_U1。當(dāng)進(jìn)行讀操作時(shí)，需要以1k×16模式同時(shí)讀SRAM18k_U0和SRAM18k_U1；此時(shí)讀出的數(shù)據(jù)按位拼接后是與寫數(shù)據(jù)相同的。

進(jìn)行寫操作時(shí)，需要以2 k×8模式先寫SRAM18k_U0，要寫兩次，然后再以2k×8模式寫SRAM18k_U1，要寫兩次；這樣交替進(jìn)行完成32 bit全部寫入，進(jìn)行讀操作，則以1k×16模式同時(shí)讀取SRAM18k_U1和SRAM18k_U0，讀地址信號(hào)相同，將兩段16 bit讀數(shù)據(jù)拼接起來，SRAM18k_U1讀數(shù)據(jù)放在高位，這樣就讀出了之前以4k×8模式寫入的數(shù)據(jù)。其地址關(guān)系如圖3所示。

表2 讀訪問操作關(guān)系

圖2 SRAM18k_U0/U1 地址對(duì)應(yīng)關(guān)系

3 BRAM36k整體仿真與實(shí)現(xiàn)

仿真1：BRAM36k A口作為1k×32模式寫入時(shí)，驗(yàn)證功能正確。

仿真條件：實(shí)現(xiàn)一個(gè)A口按1k×32模式，從初始地址0，以初始寫數(shù)據(jù)32’h9ECAB63D，寫數(shù)據(jù)遞增，批量寫入BRAM中。其中0地址寫入數(shù)據(jù)為32’h9ECAB63D，1地址寫入數(shù)據(jù)為32’h9ECAB63E，2地址寫入數(shù)據(jù)為32’h9ECAB63F，3地址寫入數(shù)據(jù)為32’h9ECAB640，…。

圖4中GROUP14為Testbench中構(gòu)造的用戶邏輯驅(qū)動(dòng)輸入激勵(lì)以及用戶的讀數(shù)據(jù)輸出。{di_a_u1[15:0],di_a_u0[15:0]}構(gòu)成32 bit寫數(shù)據(jù)，初始寫數(shù)據(jù)為32’h9ECAB63D，每次寫操作依次遞增，{do_a_u1[15:0],do_a_u0[15:0]}構(gòu)成32 bit讀數(shù)據(jù)，en_a_u0信號(hào)為BRAM36k訪問的片選信號(hào)，高有效；{we_a_u1[1:0],we_a_u0[1:0]}構(gòu)成32 bit寫數(shù)據(jù)的byte寫使能，高有效，全零則表示此次訪問為讀操作；addr_a_u0[13:0]在寫操作時(shí)為寫地址，在讀操作時(shí)為讀地址，初始值為0，每次寫操作或者讀操作后依次遞增。

圖3 SRAM18k_U0/U1 地址對(duì)應(yīng)關(guān)系

GROUP16為內(nèi)部SRAM18k_U1 A端口訪問的接口信號(hào)，ENA表示RAM A端口片選使能，高有效；ADDRA表示A端口訪問地址，WENA為18 bit寫數(shù)據(jù)的MASK信息，當(dāng)某一位置bit為0，表示寫數(shù)據(jù)中對(duì)應(yīng)bit位置的數(shù)據(jù)需要寫入RAM中；DIA和DOA分別為寫數(shù)據(jù)和讀數(shù)據(jù)，實(shí)際還有DIPA、DOPA圖中未畫出，用于承載18 bit高2 bit，用于用戶的奇偶校驗(yàn)bit輸入和輸出；GROUP15為內(nèi)部SRAM18k_U0 A端口訪問的接口信號(hào)，信號(hào)含義同SRAM18k_U1。

由仿真波形可見，當(dāng)BRAM36k作為1k×32模式寫入時(shí)，此時(shí)32 bit的寫數(shù)據(jù)需要同時(shí)寫入SRAM18k_U1、SRAM18k_U0，兩塊RAM的訪問地址是相同的，但數(shù)據(jù)不同，兩塊RAM的WENA[15:0]為0，表示要將各自輸入的DIA[15:0]寫入RAM中。

仿真2：當(dāng)BRAM作為4k×8模式讀出時(shí)，驗(yàn)證功能正確性。

仿真條件：A口按4k×8模式，從初始地址0，批量讀出BRAM36K中的數(shù)據(jù)。期望從0地址讀出數(shù)據(jù)為8’h3D，1地址讀出數(shù)據(jù)為8’hB6，2地址讀出數(shù)據(jù)為8’hCA，3地址讀出數(shù)據(jù)為8’h9E；從4地址讀出數(shù)據(jù)為8’h3E，5地址讀出數(shù)據(jù)為8’hB6，6地址讀出數(shù)據(jù)為8’hCA，7地址讀出數(shù)據(jù)為8’h9E；從8地址讀出數(shù)據(jù)為8’h3F，9地址讀出數(shù)據(jù)為8’hB6，10地址讀出數(shù)據(jù)為8’hCA，11地址讀出數(shù)據(jù)為8’h9E…。

圖5中GROUP14為TESTBENCH中構(gòu)造的用戶邏輯驅(qū)動(dòng)輸入激勵(lì)以及用戶的讀數(shù)據(jù)輸出。{do_a_u1[15:0],do_a_u0[15:0]}構(gòu)成32 bit讀數(shù)據(jù)，en_a_u0信號(hào)為BRAM36K訪問的片選信號(hào)，高有效；{we_a_u1[1:0],we_a_u0[1:0]}構(gòu)成32 bit寫數(shù)據(jù)的byte寫使能，高有效，全零則表示此次訪問為讀操作；addr_a_u0[13:0]在寫操作時(shí)為寫地址，在讀操作時(shí)為讀地址，初始值為0，每次寫操作或者讀操作后依次遞增。

GROUP16為內(nèi)部SRAM18k_U1 A端口訪問的接口信號(hào)，ENA表示RAM A端口片選使能，高有效；ADDRA表示A端口訪問地址，WENA為18 bit寫數(shù)據(jù)的MASK信息，當(dāng)某一位置bit為0，表示寫數(shù)據(jù)中對(duì)應(yīng)bit位置的數(shù)據(jù)需要寫入RAM中，在讀操作時(shí)，必須全部為1；讀數(shù)據(jù)在ENA有效后的后一拍輸出。DIA和DOA分別為寫數(shù)據(jù)和讀數(shù)據(jù)，實(shí)際還有DIPA、DOPA圖中未畫出，用于承載18 bit高2 bit，用于用戶的奇偶校驗(yàn)bit輸入和輸出；GROUP15為內(nèi)部SRAM18k_U0 A端口訪問的接口信號(hào)，信號(hào)含義同SRAM18k_U1。

圖4 BRAM36k A口作為1k×32模式寫入仿真結(jié)果

圖5 BRAM作為4k×8模式讀出時(shí)仿真結(jié)果

由仿真波形可見，當(dāng)BRAM36k作為4k×8模式讀出時(shí)，此時(shí)原來按32 bit的寫入0地址（1k×32模式的地址0）的數(shù)據(jù)需要通過四次讀0、1、2、3（4k×8模式的地址0、1、2、3）才能全部回讀回來。兩塊RAM的訪問是交替進(jìn)行，先讀SRAM18k U0的0、1地址，再讀SRAM18k U1的0、1地址。兩塊RAM的WENA為全1，表示此時(shí)進(jìn)行的是讀操作。

仿真3：當(dāng)B口按4k×8模式寫入時(shí)，驗(yàn)證功能正確性。

仿真條件：B口按4k×8模式，從初始地址0，批量寫入數(shù)據(jù)。

圖6中GROUP11為TESTBENCH中構(gòu)造的用戶邏輯驅(qū)動(dòng)輸入激勵(lì)以及用戶的讀數(shù)據(jù)輸出。di_b_u0[7:0]}構(gòu)成8 bit寫數(shù)據(jù)，每次寫操作依次遞增，以初始寫數(shù)據(jù)8’hDF，實(shí)際有效的寫數(shù)據(jù)承載在di_b_u0[7:0]上，批量寫入BRAM中。0地址寫入數(shù)據(jù)為8’hDF，1地址寫入數(shù)據(jù)為8’hE0，2地址寫入數(shù)據(jù)為8’hE1，3地址寫入數(shù)據(jù)為8’hE2，…。{do_b_u1[15:0],do_b_u0[15:0]}構(gòu)成32 bit讀數(shù)據(jù)，en_b_u0信號(hào)為BRAM36k B端口訪問的片選信號(hào)，高有效；we_b_u0[0]構(gòu)成8 bit寫數(shù)據(jù)的byte寫使能，高有效，we_b_u0[0]為零則表示此次訪問為讀操作；addr_b_u0[13:0]在寫操作時(shí)為寫地址，在讀操作時(shí)為讀地址，初始值為0，每次寫操作或者讀操作后依次遞增。

GROUP13為內(nèi)部SRAM18k_U1 B端口訪問的接口信號(hào)，ENB表示RAM B端口片選使能，高有效；ADDRB表示B端口訪問地址，WENB為18 bit寫數(shù)據(jù)的MASK信息，當(dāng)某一位置bit為0，表示寫數(shù)據(jù)中對(duì)應(yīng)bit位置的數(shù)據(jù)需要寫入RAM中；DIB和DOB分別為寫數(shù)據(jù)和讀數(shù)據(jù)，實(shí)際還有DIPB、DOPB圖中未畫出，用于承載18 bit高2 bit，用于用戶的奇偶校驗(yàn)bit輸入和輸出；GROUP12為內(nèi)部SRAM18k_U0 B端口訪問的接口信號(hào)，信號(hào)含義同SRAM18k_U1。

圖6 B口按4k×8模式寫入仿真結(jié)果

由仿真波形可見，當(dāng)BRAM作為4k×8模式寫入時(shí)，此時(shí)8 bit的寫數(shù)據(jù)需要根據(jù)寫地址是屬于X、X+1還是X+2、X+3，選擇寫入SRAM18k_U0還是SRAM18k_U1，其中X為32 bit地址對(duì)齊。WENB[17:0]為18’h3FF00表示寫入低8 bit，即是18 bit的[7:0]，WENB[17:0]為18’h300FF表示寫入高8 bit，即是18 bit的[15:8]。

仿真4：當(dāng)B口按1k×32模式讀出數(shù)據(jù)時(shí)，驗(yàn)證功能正確性。

仿真條件： B口按1k×32模式，從初始地址0，批量讀出BRAM中的數(shù)據(jù)。期望從0地址讀出數(shù)據(jù)為32’hE2E1E0DF，1地址讀出數(shù)據(jù)為32’hE6E5E4E3。

圖7中GROUP11為testbench中構(gòu)造的用戶邏輯驅(qū)動(dòng)輸入激勵(lì)以及用戶的讀數(shù)據(jù)輸出。{do_b_u1[15:0],do_b_u0[15:0]}構(gòu)成32 bit讀數(shù)據(jù)，en_b_u0信號(hào)為BRAM36K訪問的片選信號(hào)，高有效；{we_b_u1[1:0],we_b_u0[1:0]}構(gòu)成32 bit寫數(shù)據(jù)的byte寫使能，高有效，全零則表示此次訪問為讀操作；addr_b_u0[13:0]在寫操作時(shí)為寫地址，在讀操作時(shí)為讀地址，初始值為0，每次寫操作或者讀操作后依次遞增。GROUP13為內(nèi)部SRAM18k_U1 B端口訪問的接口信號(hào)，ENB表示RAM片選使能，高有效；ADDRB表示B端口訪問地址，WENB為18 bit寫數(shù)據(jù)的MASK信息，當(dāng)某一位置bit為0，表示寫數(shù)據(jù)中對(duì)應(yīng)bit位置的數(shù)據(jù)需要寫入RAM中，在讀操作時(shí)，必須全部為1；讀數(shù)據(jù)在ENB有效后的后一拍輸出。DIB和DOB分別為寫數(shù)據(jù)和讀數(shù)據(jù)，實(shí)際還有DIPB、DOPB圖中未畫出，用于承載18 bit高2 bit，用于用戶的奇偶校驗(yàn)bit輸入和輸出；GROUP12為內(nèi)部SRAM18k_U0 B端口訪問的接口信號(hào)，信號(hào)含義同SRAM18k_U1。

由仿真波形可見，當(dāng)BRAM作為1k×32模式讀出時(shí)，此時(shí)原來按8 bit寫入0、1、2、3地址（4k×32模式的地址0、1、2、3）的數(shù)據(jù)只需要通過一次讀0地址（1k×32模式的地址0）就能全部回讀回來。兩塊RAM的訪問同時(shí)進(jìn)行，地址變化相同，兩塊RAM的WENB為全1，表示此時(shí)進(jìn)行的是讀操作。

圖7 B口按1k×32模式讀出數(shù)據(jù)仿真結(jié)果

[1] Xilinx Inc. Xapp（130）. Virtex中塊狀SelectRAM+特性的使用[Z]. 2000-12-18.

[2] 王睿，劉布民. FPGA中BRAM設(shè)計(jì)研究[D]. 2009.