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        淺談線路板圖形電鍍阻鍍成因及解決之道

        2014-01-13 09:34:32林偉東吳榮萱
        印制電路信息 2014年12期
        關(guān)鍵詞:干膜流膠薄型

        林偉東 吳榮萱

        (深圳市正天偉科技有限公司,廣東 深圳 518126)

        1 前言

        印制電路板主要趨勢(shì)體現(xiàn)為輕、薄、短、小,其集成密度、層數(shù)不斷增加,可靠性要求不斷加嚴(yán)。特別是孔徑的不斷變小,孔徑也由之前的0.40 mm變小至0.25 mm、0.20 mm,甚至更小。這直接導(dǎo)致在PCB每個(gè)制程的難加大很多,如PTH線沉銅效果不佳,電鍍線灌孔性不行,顯影線、水平線清洗及烘干效果不好等諸如此類的問題層出不窮。在此,引入電鍍阻鍍這個(gè)問題。阻鍍,顧名思義就是阻礙板件銅面正常電鍍,使銅厚不夠或鍍銅錫不良等。

        2 電鍍阻鍍的類型

        2.1 點(diǎn)狀阻鍍

        圖1為鍍完二銅及錫的切片(右側(cè)放大圖),點(diǎn)狀位基本無鍍上二銅,只鍍上了錫,所以定義為點(diǎn)狀阻鍍。

        圖1 點(diǎn)狀阻鍍

        2.2 孔口處流膠阻鍍

        如圖2孔破位置斷口較整齊,內(nèi)層銅箔回蝕現(xiàn)象較嚴(yán)重,孔破位置明顯為二銅及錫皆未鍍上,受蝕刻液攻擊所至,兩端均有孔破,此為孔口處流膠阻鍍。

        圖2 孔口處流膠阻鍍

        2.3 二銅漸薄型阻鍍

        如圖3孔內(nèi)一次銅完整,但二次銅從孔口到孔中心從厚至薄,直至無二次銅的阻鍍模式。

        圖3 二銅漸薄型阻鍍

        3 驗(yàn)證電鍍阻鍍的根因

        按人機(jī)料法環(huán)因素分析,影響電鍍阻鍍的因素有許多,而最主要因素有D/F貼膜后至曝光停留時(shí)間長,D/F顯影后至PPL電鍍停留時(shí)間,D/F顯影干膜殘?jiān)赡で疤幚項(xiàng)l件,干膜翻洗不良等。現(xiàn)就這幾個(gè)因素結(jié)合親身經(jīng)歷的案例進(jìn)行剖析。

        3.1 停留時(shí)間的影響

        針對(duì)板電后,貼干膜后及顯影后不同段的停留時(shí)間,設(shè)計(jì)以下DOE試板驗(yàn)證(萬孔板:56000孔/PNL,板厚2.4 mm,孔徑0.30 mm,厚徑比8:1),結(jié)果見表1。

        表1 萬孔板做DOE試板結(jié)果

        由表可知,對(duì)于貼膜后停留時(shí)間過長,對(duì)電鍍阻鍍的貢獻(xiàn)度最大,其次是曝光后及顯影后停留時(shí)間過長,都會(huì)造成一定比例的電鍍阻鍍?nèi)毕?。原因就是電二銅前孔壁附有一層抗鍍物質(zhì),只是抗鍍物質(zhì)厚度厚度不一,最終表現(xiàn)出來的孔破缺陷類型有所差異。

        3.2 干膜前處理/顯影線/翻洗板的不同條件影響

        不同條件的試板,可知顯影藥水清洗不凈,顯影缸內(nèi)膠渣,顯影缸內(nèi)黃油,干膜修補(bǔ)油,翻洗不良等造成的電鍍阻鍍問題,見表2。

        3.3 PCB板設(shè)計(jì)上的影響(固定區(qū)域孔破問題)

        在生產(chǎn)過常中曾出現(xiàn)上述類型2.2孔口處流膠阻鍍而造成孔破,且一旦發(fā)生比例1.6%到3.0%。發(fā)生此類孔破板有兩個(gè)共同點(diǎn):一是板層數(shù)高(八層及以上),二是相對(duì)較為固定單元區(qū)域。對(duì)此也曾查找了很多原因并與同行交流及查閱相關(guān)文獻(xiàn)[1],提到的原因是:貼膜前固定單元區(qū)域板面溫度高,因生產(chǎn)板層數(shù)高,內(nèi)層多張大銅面疊加,并且周圍透氣孔少熱散熱差; 還有貼膜后板沒有冷卻就疊在一起,存在干膜繼續(xù)流膠入孔的可能性。

        因?yàn)镻CB板設(shè)計(jì)優(yōu)化問題不見得全部能進(jìn)行,但生產(chǎn)現(xiàn)場干膜貼膜前后的參數(shù)及方法控制,廠家卻時(shí)很容易進(jìn)行的。為此,通過調(diào)整干膜前處理參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化, 及貼膜板插架放置2 H,以徹底消除此問題。改善后共生產(chǎn)514.63 m2,無干膜流膠型孔破,報(bào)廢率0%,改善幅度為100%。

        表2 不同條件對(duì)電鍍阻鍍的影響結(jié)果

        4 電鍍阻鍍解決之道

        4.1 干膜、電鍍制程的改善

        筆者曾在2006年在M公司遇到過上述有點(diǎn)狀阻鍍及二銅漸薄型阻鍍,2013年在S公司遇到固定單元區(qū)域孔口流膠阻鍍,當(dāng)時(shí)通過相關(guān)制程的改善及工藝優(yōu)化,也已解決上述問題,下面就電鍍阻鍍問題提出一些改善措施及解決之道。

        4.1.1 干膜制程

        (1)針對(duì)8層及以上PCB板,干膜前處理要相應(yīng)降低風(fēng)干溫度控制在80±2 ℃,并在前處理后冷卻、靜置2 h后做再做壓膜,以保證高層局部區(qū)域不會(huì)過熱;

        (2)針對(duì)8層及以上PCB板貼膜后停放2 h再曝光,以防貼膜后散熱不良,造成孔口處出現(xiàn)流膠問題;

        (3)貼膜后24 h內(nèi)完成顯影;

        (4)顯影后與噴淋水洗之間增加水刀洗板(水洗壓力1 kg/cm2),以便有效保證小孔的清洗效果;

        (5)保證顯影缸清潔度,每周需用專用清槽劑保養(yǎng)顯影缸,確保缸內(nèi)無菲林渣及黃油殘留;

        (6)定期測量顯影后烘干溫度,不能大于60 ℃,原則上是孔內(nèi)及表面無水珠即可,以防孔內(nèi)流入抗鍍物質(zhì);

        (7)控制好貼膜后到曝光(12 h),顯影后到電鍍的停留時(shí)間(24 h)。

        (8)對(duì)于干膜翻洗板,及時(shí)安排退洗,同時(shí)要到前工序磨披鋒線用細(xì)刷磨板并過高壓及超聲流水洗,檢查無干膜堵孔后才可進(jìn)行正常的干膜制程操作。

        4.1.2 電鍍制程

        (1)提高除油缸及微蝕缸濃度及溫度至中上限,加強(qiáng)前處理效果;

        (2)每6 h檢查前處理缸,銅缸震動(dòng)器震幅務(wù)必大于0.30 mm;

        (3)在鍍銅前酸洗添加0.5 ml/l ~ 1.0 ml/l光劑,增加孔內(nèi)潤濕性;

        (4)鍍銅前處理缸及水洗缸,每周保養(yǎng)洗缸必須做好,每1~3個(gè)月用氫氧化鈉及硫酸炸缸一次。

        上述兩個(gè)制程,改善電鍍阻鍍的作用主要是干膜制程,電鍍制程只是輔助。還有些廠家把二銅漸薄型阻鍍定性為銅缸深鍍能力不夠,這就算深鍍能力再差,也有65%吧,那孔壁中間二銅銅厚最薄位也應(yīng)有12 μm以上,而不像二銅漸薄型阻鍍型只有1 μm ~ 3 μm,也就是說二銅漸薄型阻鍍與深鍍能力沒關(guān)系的。

        4.2 電鍍阻鍍監(jiān)控方法

        為了驗(yàn)證改善措施是否有效,同時(shí)考慮到二銅漸薄型在E/T測試的不可探測性,有必要對(duì)干貼及電鍍工序每月(或者定期)安排一次測試板監(jiān)控,以保證工序處于受控狀態(tài)。

        設(shè)計(jì):板厚2.4 mm,孔徑0.30 mm,萬孔板厚徑比: 8:1孔數(shù) 56 000孔/塊,

        板尺寸:18''×24'' 6塊/次。

        監(jiān)控流程:鉆孔 - 沉銅/板電/5 μm ~ 7 μm - 干膜制程 - 圖形電鍍10 μm ~ 20 μm - 堿性蝕刻制程。

        通過萬孔板測試(Daisy chain test),做切片分析,可以全面掌握干膜、電鍍生產(chǎn)線整體是否受控,可以及時(shí)進(jìn)行調(diào)整。

        5 結(jié)論

        由于電鍍阻鍍問題造成的孔破(特別是二銅漸薄型)具有一定的高風(fēng)險(xiǎn)性,有很大機(jī)會(huì)逃逸E/T的檢測而漏失至客戶端,所以PCB廠家不得不認(rèn)真對(duì)待。

        電鍍阻鍍的三種類型:點(diǎn)狀阻鍍、孔口處流膠阻鍍、二銅漸薄型阻鍍。雖然在表現(xiàn)模式上有差異,但不同電鍍阻鍍?nèi)毕菥科涓蚨际峭瑯拥囊蛩卦斐?。提出了確切可行的干膜制程八點(diǎn)及電鍍制程四點(diǎn)改善方法,基本上可以清除電鍍阻鍍問題。

        以上為筆者的過往的經(jīng)驗(yàn)匯總及心得,僅供業(yè)界同行參考。

        [1]林秀鑫,薛敏芬. 定位孔緣破孔的研究, 2012秋季國際PCB技術(shù)/信息論壇.

        [2]劉元華. 一種漸薄型孔內(nèi)無銅原因分析,印制電路資訊, 2014,1.

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