龔永林 摘譯

本刊主編

1 序言

由IBM公司推出的IBM Simon個人通信設備標志著智能手機時代開始，其把電話功能與PDA功能相結(jié)合是一個進入新的通訊時代的里程碑。雖然這設備非常創(chuàng)新，但其總重量510 g、厚度38 mm，不適于存放在口袋里，只能放置于業(yè)務人員的公文包內(nèi)。智能手機的功能和人機操作性標準是于消費者決定的，隨著智能手機功能和審美角度的變化，帶來了智能手機長度和寬度尺寸變化。圖1表示自IBM Simon產(chǎn)生以來的智能手機尺寸變化，智能手機厚度減少成為制造商們競爭項目之一。在2012年12月時最薄手機是中國產(chǎn)的OPPO Findex X907型安卓系手機，厚度僅6.65 mm，然而不久中國中興推出了厚度6.2 mm的手機。

圖1 智能手機的厚度隨年度變化

[譯注：最新蘋果iPhone 6的重量129 克，厚度6.9 mm；華為p6的厚度5.6 mm；金立ELIFE S5.1的厚度5.15 mm。2014年11月最薄OPPO R5厚 4.85 mm。同時，平板電腦也在薄型化，2014年10底上市的iPad Air2，厚度僅為6.1 mm，刷新平板輕薄紀錄；11月戴爾推出了“全球最薄的平板電腦”Venue 8 7000，8.4英寸顯示屏，重量306 g，厚度僅為6 mm。]

智能手機設計師們盡力追求小型化，減少手機厚度，這勢必需要減少PCB的尺寸和厚度。為了適應智能手機的要求，PCB開發(fā)出了高密度互連(HDI)技術。在第一個智能手機就采用了八層剛性板，用1080#玻璃纖維布半固化片和25μm厚銅箔積層而成?，F(xiàn)今高端智能手機的層數(shù)與此相同，但八層板厚度明顯變化：在2000年時約1.2 mm以上，到2011年時約0.6 mm，到2013年時目標定在0.4 mm。

2 薄型HDI板可靠性實驗設置

2.1 試驗項目

為評估剛性薄型HDI板的生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品性能，這項實驗的試驗樣板是用三種不同的工藝方法制作的。對試驗樣板的可靠性試驗項目設定為三項，一是再流焊試驗，按照MSL水平3條件；二是溫度循環(huán)試驗，從低溫-40℃到高溫+125℃，各存放15分鐘，每小時二個循環(huán)；三是高加速應力試驗（HAST），在溫度+130℃、濕度85%RH條件下。

[譯注：MSL是Moisture Sensitivity Level濕氣敏感性等級。參考J-STD-020C標準，MSL水平3再流焊試驗程序是在試驗樣板檢查合格后放置125℃烘烤24小時，再恒定溫濕度30℃/60%RH存放192 h，然后260 ℃再流焊3次。]

2.2 ALIVH和HDI/FV工藝技術

制作的八層剛性HDI板總厚度小于0.5 mm，主要是考慮了兩種HDI PCB生產(chǎn)技術。一種是HDI積層與電鍍填孔結(jié)合（HDI/FV）技術，選擇微導通孔堆疊結(jié)構的設計；另一種是日本松下公司在1996年發(fā)明的ALIVH技術。HDI/FV技術是傳統(tǒng)的HDI工藝流程，包括逐層積層、機械或激光鉆孔、化學鍍銅和電鍍銅實現(xiàn)層間連接，以及在電鍍銅過程中填孔。ALIVH技術要點是印刷導電膏填孔實現(xiàn)層間連接，是對半固化絕緣層先鉆孔，再在孔中填塞導電膏，然后積層，如圖2所示。

圖2 ALIVH PCB生產(chǎn)工藝流程示意圖

[譯注：本文制作薄型HDI板的工藝是有三種，一種是上述的HDI/FV技術，另兩種是ALIVH技術延伸出的ALIVH-C和ALIVH-G，見2.5節(jié)。]

2.3 試驗樣板的設計

這款剛性八層試驗樣板為AT&S公司選定，用于常規(guī)的可靠性測試和材料鑒定，同時組合了可供多種電氣和可靠性試驗的附連試驗板。考慮到不同制作技術的可比性，對試驗樣板做了區(qū)域編號。圖3為試驗樣板及其附連試驗板。

圖3 試驗樣板及其附連試驗板設計

2.5 積層和應用材料

三種試驗樣板制作采用不同積層方法。如表1所示，第一種（TV1）是任意層互連與鍍銅填孔（HDI/FV）積層；第二種（TV2）是ALIVH-C積層，其中第2至7層是先由ALIVH積層，外層是電鍍銅填孔的逐層積層工藝形成；第三種（TV3）是ALIVH-G積層，即全部任意層互連與導電膏填孔積層。

表1 試驗樣板制作方法與設定的厚度

這些試驗樣板采用的絕緣介質(zhì)材料都是PCB批量生產(chǎn)中的標準基材，并且均強制性地選擇無鹵（HF）材料。絕緣材料的有關性能列于表2，所用銅層為標準處理的12 μm銅箔。

表2 所用絕緣材料的性能

3 實驗程序

3.1 板子厚度測量

按圖3所示的A、B兩個位置測量板子厚度，位置A代表積層銅層較少的區(qū)域，位置B代表積層銅層較多的區(qū)域。測量量具為具有精確度0.001 mm的數(shù)字微米計，在室溫環(huán)境下進行。測量樣本是從生產(chǎn)批的15塊試驗樣板中隨機抽取。

3.2 再流焊試驗

此再流焊試驗是按照IPC/JEDEC J-020DIT規(guī)范，采用濕度敏感水平等級3（MSL3），規(guī)定的預處理條件見表3。試驗樣本量是從每種試驗樣板各取10塊板。

表3 IPC/JEDEC J-STD-020D1規(guī)范的MSL3再流焊試驗預處理條件

3.3 熱循環(huán)試驗

樣板的熱循環(huán)試驗按照JEDEC JESD-22-A104D規(guī)范，試驗條件G.2.C，具體參數(shù)見表4。試驗樣本是試驗樣板的裸板上指定的菊花鏈附連測試板（圖4），TV1、TV2和TV3三種試驗樣板各抽取8塊板用于試驗。對每個菊花鏈樣本都測量電阻值，測量時規(guī)定持續(xù)的時間。菊花鏈試驗板若經(jīng)過1000次溫度循環(huán)后，電阻值變化不大于10%，則視為試驗合格。

表4 溫度循環(huán)試驗參數(shù)規(guī)定

圖4 熱循環(huán)試驗的裸板菊花鏈附連測試板

另外，對TV2和TV3各取4個密集區(qū)樣本進行試驗。密集區(qū)樣本為在圖3中之編號2的TCT試驗區(qū)，組裝有12 CT BGA288虛擬元件。在測試過程中有檢測裝置對每個元件進行在線監(jiān)測，如果監(jiān)測中沒有出現(xiàn)故障則認定合格。

3.4 高加速應力試驗(HAST)

HAST試驗是按照JEDEC JESD 22-A110C規(guī)范。HAST試驗應提供四項參數(shù)：溫度、濕度、施加偏壓、持續(xù)時間。進行HAST試驗采用的參數(shù)見表5。試驗板預先處理：樣板經(jīng)過-40 ℃到+125 ℃熱循環(huán)5次，再在60 ℃和60%RH環(huán)境中存放48小時，最后用峰值溫度260 ℃的無鉛再流焊循環(huán)5次，然后進行HAST試驗。

表5 HAST試驗設定的參數(shù)

所用的附連測試板的結(jié)構，有一個微孔到微孔（V2V）的試驗電路，有一個微孔到板面線路（V2P）的試驗電路，及有一個梳形結(jié)構電路（每層一個梳形圖形），如圖5、圖6所示。圖7為HAST的附連測試板?？傊瑢?塊附連測試板的各試驗電路都有編號，在試驗過程中連續(xù)監(jiān)視電路變化和記錄結(jié)果。當試驗電路的電阻值下降低于106歐姆時認定為出現(xiàn)故障。

圖5 HAST附連試驗板的微孔到微孔和微孔到板面線路圖形

圖6 HAST附連試驗板的板面層梳形結(jié)構圖形

圖7 HAST試驗的附連測試板

4 實驗結(jié)果

4.1 試驗樣板與板厚

試驗樣板最終厚度測量數(shù)據(jù)如表6所示，為15塊樣板的隨機抽樣測量值。圖8和圖9為試驗樣板（TV1、TV2）的截面剖切圖。

表6 試驗樣板厚度值

圖8 TV1(3+2+3) HDI / FV積層板截面

圖9 TV2（1+ A6 +1) ALIVH-C積層板截面

4.2 再流焊性能

再流焊試驗結(jié)果歸納于表7。這個結(jié)果顯示HDI/FV板的性能明顯比兩種ALIVH積層板更好。在第三和第四次再流焊循環(huán)之間，TV2和TV3就出現(xiàn)許多分層，而TV1能經(jīng)受15次再流焊循環(huán)。圖10是一個典型的TV2和TV3發(fā)生故障的例子。

表7 薄試驗樣板再流焊試驗結(jié)果

圖10 TV3在再流焊試驗后發(fā)生分層的截面

然而，必須指出，試驗中不能直接看到制作工藝不同所引起的大的差異。當考慮HDI板采用新型的FR-4基材，就會有優(yōu)良的再流焊性能，即使TV3試樣板在MSL試驗中也體現(xiàn)出良好性能。

若對TV2和TV3截面的缺陷作深入研究，可以看到發(fā)生分層缺陷的原因涉及到設計，大面積的銅面結(jié)構要經(jīng)受再流焊試驗是危險的，當然這也關系到要提高銅表面粘合性。發(fā)現(xiàn)的分層故障，既有絕緣基材之間分離，又有基材與銅面之間分離，分層缺陷是復雜的。要找出分層原因也有許多工作要做。然而，盡管TV2和TV3的再流焊試驗表現(xiàn)沒有達到正常生產(chǎn)板所需的水平，而它仍被認為是可以接受的。因為考慮到這些試驗樣板制作方法并沒有任何的優(yōu)化措施，按此工藝的發(fā)展是能達到要求的。

4.3 熱循環(huán)結(jié)果

如前面敘述的，這溫度循環(huán)試驗是一組裸板附連試驗板。在整個試驗過程中觀察不到試驗板的故障，而只要試驗板的電阻下降不要超過10%，則視為試驗合格通過。

對這些試驗樣板進行熱循環(huán)試驗，結(jié)果都沒有故障出現(xiàn)，如表8所示。

表8 熱循環(huán)試驗的結(jié)果

由此結(jié)果可見，熱循環(huán)對薄型HDI板沒有大的影響作用，不同的任意層積層制造方法都沒有影響，全部測試樣板都能通過100次熱循環(huán)。

4.4 HAST試驗結(jié)果

進行HAST試驗更能看到薄型HDI板的電化學遷移狀態(tài)。試驗樣板經(jīng)過HAST試驗后得到的結(jié)果匯總于表9。

表9 薄型試驗樣板經(jīng)HAST試驗的結(jié)果

表9中記錄了HAST試驗后缺陷數(shù)量，可見試驗樣板中TV1和TV2的情況要比TV3更好。

測試孔到孔（V2V）的情況，三種試驗樣板都沒有出現(xiàn)故障。測試孔到板面（V2P）的情況，三種試驗樣板都有故障出現(xiàn)，而且故障出現(xiàn)在試驗前期階段。對有故障樣板進行剖切分析，故障處并沒有顯示有枝狀增長的痕跡，其故障原因?qū)儆谥圃鞐l件不佳有殘留物或污染引起的。

關于梳狀結(jié)構的情況，試驗結(jié)果與V2P相似，三種試驗樣板都有故障出現(xiàn)，但TV1和TV2的情況要比TV3好。全部試驗樣板大多數(shù)故障發(fā)生在外層（L1和L8）。

由HAST試驗的試驗樣板的孔到板面（V2P）結(jié)構間有故障出現(xiàn)，從剖切面觀察沒有細絲增長痕跡，因此認定沒有電化學遷移問題。而試驗樣板的梳狀結(jié)構間出現(xiàn)故障處，有顯著的銅遷移痕跡。圖11是TV2樣板梳狀結(jié)構故障的暗場/UV圖像。

圖11 TV2的外層(L8)梳狀結(jié)構顯微鏡暗場圖，阻焊劑由研磨除去

相鄰導體之間出現(xiàn)電遷移故障，這是由于銅線路之間有電位差存在而發(fā)生電遷移。然而，梳狀結(jié)構上出現(xiàn)故障有組合因素，是銅導線間有污物殘余及電遷移枝狀增長都存在，結(jié)果使絕緣電阻下降。

通常，AT&S公司基于這個實驗的結(jié)果都沒有如枝狀增長的電化學遷移狀況，認為三種試驗樣板全部都沒有危險。試驗樣板的制作自開始就沒有針對CAF/HAST采取改善措施，因此若在批量化生產(chǎn)時有特別措施，那么電化學遷移狀況會有顯著改善。

5 結(jié)論

智能手機驅(qū)使PCB產(chǎn)品厚度減少，目前所用的HDI板都考慮采用八層任意層互連微孔堆疊結(jié)構設計模式，板子厚度一般為0.6 mm，而從2013年起剛性八層HDI板厚度減少趨于0.4 mm。本文研究說明，目前選用有效的基材和制造工藝，已可以制作八層任意層互連HDI板，板子厚度小于0.5 mm。

對于這些采用不同制造方法的HDI板，無論是電鍍銅填孔積層技術還是ALIVH技術，都是成功的，并且制作板子厚度在0.443 mm與0.512 mm之間。證實應用ALIVH與外層積層電鍍填孔相結(jié)合，稱為ALIVH-C工藝也是成功的。AT&S制造HDI板已有20年經(jīng)驗，在2011年開始引入ALIVH技術，在實踐中改進ALIVH技術制作出薄型HDI板。

從整個可靠性研究實驗結(jié)果來看是可接受的，相比較現(xiàn)有電鍍銅填孔積層比ALIVH積層優(yōu)良?？煽吹?，再流焊敏感性試驗是特別切合實際，在HAST試驗中三種試驗樣板的電化學遷移性都較少，最后的溫度循環(huán)對試驗樣板都沒有產(chǎn)生故障。

在此總結(jié)，本實驗所用薄型HDI板制造技術通常全部是可靠的。對于非常薄HDI板制造的進一步工作是集中于達到潛在的功能需要，如電性能和成本問題。（本文摘譯自PCB Magazine 2014/10期的Thin PCBs for Smartphones ： Technology & Reliability Considerations一文，有刪減，并對章節(jié)重作了編排。）