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        電子學太赫茲技術研究概述

        2013-12-31 00:00:00徐利兵
        中國新通信 2013年22期

        【摘要】 太赫茲技術是交叉前沿技術,本文首先介紹了太赫茲及電子學太赫茲技術基本概念,然后介紹了國內外電子學太赫茲器件的現(xiàn)狀和應用情況,重點介紹了電子學太赫茲技術在通信及雷達方面的應用現(xiàn)狀。最后給出了電子學太赫茲應用研究的具體內容及發(fā)展方向。

        【關鍵詞】 電子學 太赫茲 器件 應用

        太赫茲(Terahertz,THz)波是電磁波譜中頻率位于微波和紅外輻射之間,頻率在0.1-10THz(1THz=1012Hz)的電磁輻射,通常也被稱作亞毫米波、遠紅外等。從頻率的角度看,屬于遠紅外波段;從能量的角度來看,是電子學和光學的交叉領域[1-4]。

        THz光源與傳統(tǒng)相比具有很多獨特的性質:寬帶性;方向性;穿透性;光譜分辨性;低能性等。正是由于THz波的眾多優(yōu)良特性,使THz技術具有重要的學術價值和廣闊的應用前景,給多個應用領域帶來了深遠的影響,世界發(fā)達國家爭相將THz技術列為戰(zhàn)略性科技方向。

        一、電子學THz技術

        電子學THz技術的關鍵技術有五個:THz產生和放大技術、THz接收檢測技術、THz傳輸技術、寬帶高速信號處理技術、THz集成微系統(tǒng)技術[5]。目前,基于電子學方法的THz源的產生大部分都是采用對微波段的源進行倍頻放大的方式獲得;對THz波的探測通常采用成本較低的零偏檢波器直接檢波,或者采用具有很高動態(tài)范圍和靈敏度的外差式(次)諧波混頻器接收;THz的傳輸技術主要包括各種頻段的波導管和增益喇叭的研究;寬帶高速信號處理技術包括信號處理算法的研究和基于DSP、FPGA等芯片的處理方案實現(xiàn);THz集成微系統(tǒng)技術指的是面向各種應用的THz系統(tǒng)。其中,THz器件的發(fā)展是THz技術的關鍵,是制約THz技術發(fā)展的主要因素。

        二、電子學THz器件研究現(xiàn)狀

        THz器件中研發(fā)難度最大的是THz頻段用二極管,其是制作THz倍頻器和混頻器的核心器件。肖特基二極管多采用平面結構,也有使用臺面結構,目前制作肖特基二極管的半導體材料主要有Si、GaAS、GaN和InP。

        在CMOS工藝中,以GaAs材料的應用最為廣泛和成熟,目前應用于THz頻段的GaAs二極管主要有觸須接觸式肖特基二極管和平面肖特基二極管,其已經被證明是常溫下THz頻段最好的混頻器件;InP和GaN是兩種新開發(fā)的應用材料,InP材料是目前所用的具有最高電子遷移率的III-V化合物材料,理論上可以實現(xiàn)更好的頻率和噪聲特性;GaN材料具有很高的擊穿電壓,更適合作為大功率器件的襯底,但是電子遷移率較低[6-7]。

        國外的Millitech、RPG、OML、VDI等公司均可提供相關THz頻段的二極管、倍頻器、混頻器、放大器、隔離器、天線等THz器件。Millitech、RPG、OML、VDI都可以提供500GHz以下頻段的THz源和探測器,對于500GHz以上的頻段,VDI公司表現(xiàn)突出,可提供高達2T頻率倍頻器和高達1.7T頻段的混頻器,在眾多商家中,其THz源的輸出功率更大,可以為用戶提供成套解決方案,但價格較其它幾個商家要高。

        國內有多家科研單位從事相關研究。其中,中國科學院微電子學研究所,實現(xiàn)了懸臂梁結構的肖特基二極管,截止頻率達到了3.4THz,在0.3THz具有很好的倍頻性能并形成了產品[8]。中國工程物理研究院設計的電子學THz器件已經應用到多個頻段的THz通信和成像實驗系統(tǒng)中;電子科技大學主要專注于THz倍頻器和混頻器的研究[9-10],同時其在波導、波導濾波器、微帶天線等方面也進行了相關研究;中國電子科技集團公司第41研究所瞄準THz測試儀器[11],相關產品的性能指標超過了OML公司,接近VDI公司,并且形成了產品。

        三、電子學THz應用研究現(xiàn)狀

        THz頻段包含了0.1-10THz的頻段,而電子學方式目前只能產生低頻段的源,不同頻率段的THz波其特點有所差異,適用的領域也有所區(qū)別。

        3.1 THz通信研究現(xiàn)狀

        THz無線通信是在傳統(tǒng)的無線電通信的基礎上,從微波、毫米波頻段向THz頻段的發(fā)展,同時結合了激光大氣通信部分思想,可以解決目前微波和毫米波低端頻譜緊張和速率難以大幅提高,以及激光通信難以應用于沙塵、煙霧等惡劣環(huán)境等問題。

        在國外THz無線通信技術方面,日本走在前列。在2004-2006年,日本NTT實現(xiàn)了基于光學UTC-PD源+固態(tài)肖特基二極管檢波接收的0.12THz的無線通信,采用ASK體制,傳輸距離300m,傳輸速率達到10Gbps,成為國際THz通信的標志性成果。在2012年將0.3THz無線通信系統(tǒng)的傳輸速率提高到了24Gbps。德國Fraunhofer(IAF)于2011年完成了基于全電子InP mHEMT的0.22THz通信,并實現(xiàn)了了兩種體制:在OOK體制上實現(xiàn)了0.5m距離的25Gbps無線通信;在QAM體制上實現(xiàn)了2m距離的14Mbps無線通信。

        在國內,中國工程物理研究所、中科院微系統(tǒng)所、電子科技大學、湖南大學等科研單位先后展開了THz通信的相關研究。中科院微系統(tǒng)所于2008年進行了4.1THz通信實驗,傳輸距離為幾米。中國工程物理研究院在2010年完成國內第一個0.14THz/16QAM 10Gbps高速無線通信傳輸系統(tǒng)試驗樣機和國內首次的0.5km無線傳輸實驗;電子科技大學與湖南大學聯(lián)合研制了國內首部基于光電結合的0.1THz全固態(tài)高速無線通信系統(tǒng),速率可達11Gbps。

        3.2 THz雷達和THz雷達成像研究現(xiàn)狀

        在目前已經研制出的THz雷達和THz雷達成像系統(tǒng)[13-14]中,大都采用的是FMCW體制,利用主反射面實現(xiàn)波束聚焦,平面鏡的轉動和擺動實現(xiàn)方位向二維波束掃描;也有采用水平方向多發(fā)多收線陣列+孔徑合成,豎直方向通過平面鏡旋轉實現(xiàn)波束掃描。

        目前研制出的THz雷達成像樣機幾乎均為近距離測量,并且大部分是在室內使用,特別是在安檢、微小物體成像等領域具有廣闊應用前景。

        在國外,多家科研單位已經取得了突破性的成果。美國JPL實驗室于 2008~2011年期間在662GHZ-691GHZ頻段上采用FMCW體制實現(xiàn)了25m處的三維成像,距離向分辨率7mm,方向向分辨率1cm,40cm*40cm視場范圍成像時間1s(66*48像素);英國ThruVision于2009年實現(xiàn)了多通道外差接收列陣的無源焦面陣成像產品T5000,成像距離>20m,幀速>10Hz,可實現(xiàn)車載成像;德國法蘭克福大學于2011年在220GHZ~320GHZ頻段上采用FMCW體制,用8個發(fā)射模塊和16個接收模塊組成了一個線陣列,實現(xiàn)了8m處的快速成像(成像時間0.5s)。

        在國內,中國工程物理研究院進行了0.14T/0.67T/2.5THz的ISAR雷達成像研究,并在2011年研制出了0.14THz的ISAR雷達成像試驗樣機,二維成像分辨率達到3cm;中科院電子所在300GHz頻段上,采用扇形波束掃描+合成孔徑成像實現(xiàn)了1.5m處的二維和三維成像,成像分辨率達到8mm,60cm*180cm視場成像時間小于5s;電子科技大學、首都師范大學、北京理工大學均研制了雷達成像樣機。

        四、總結

        電子學THz器件和THz應用已經得到了各國的重視并得到了一定程度的發(fā)展。THz通信、THz雷達、THz成像作為電子學THz技術的主要應用領域,已經得到了迅速的發(fā)展。但是目前整體上是處于實驗研究階段,只有很少產品得到了初步應用。

        THz技術的發(fā)展最終需要實際應用來檢驗。隨著需求的發(fā)展,THz通信將會朝著遠距離、高速率、高穩(wěn)定性、小體積方向發(fā)展;THZ雷達系統(tǒng)將向著高分辨率、遠距離、小體積、低功耗的方向發(fā)展;THz雷達成像系統(tǒng)除了滿足一般雷達的性能外,還需要實時性強,線陣或者面陣的成像系統(tǒng)是必然的發(fā)展途徑。而制約THz技術的關鍵因素還是THz器件的發(fā)展,特別是THz源和THz探測器的發(fā)展。隨著THz頻段相關器件材料的進一步深入研究,器件加工工藝的提升,THz相關功能器件成本的下降,才會帶來THz技術的大范圍的應用。

        參 考 文 獻

        [1] 許景周,張希成. 太赫茲科學技術和應用[M]. 北京:北京大學出版社,2007:1-246.

        [2] 張存林. 太赫茲感測與成像[M]. 北京:國防工業(yè)出版社,2008:1-231.

        [3] 蔡禾,郭雪嬌,和挺,潘銳,熊偉,沈京玲. 太赫茲技術及其應用研究進展[J]. 中國光學與應用光學. 2010,3(3):209-222.

        [4] 張健. 太赫茲通信和雷達成像技術[C]. 第一屆全國太赫茲科學技術與應用學術交流會,北京,2012.9

        [5] Chong Jin,Pavlidis,D.,Considine,L. A novel GaN-based high frequency varactor diode. IEEE,EuMIC,2010,118-121.

        [6] 陳寧波,張波,樊勇,宋開軍. 440GHz高效三倍頻器研究[C]. 第一屆全國太赫茲技術學術會議,成都,2012.8.

        [7] 盧秋全,張勇,劉偉. 220GHz三倍頻器的設計[C]. 第一屆全國太赫茲技術學術會議,成都,2012.8.

        [8] 姜萬順. THz測試儀器技術最新進展[C]. 第一屆全國太赫茲技術學術會議,成都,2012.8.

        [9] 胡偉東. 220GHz頻率步進脈沖成像技術研究[C]. 太赫茲科學儀器及前沿技術專題研討會,北京,2012.8.

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