顧興中 劉 磊 王 霏 倪中華

(東南大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,南京 211189)(江蘇省微納生物醫(yī)療器械設(shè)計(jì)與制造重點(diǎn)試驗(yàn)室,南京 211189)(東南大學(xué)蘇州研究院,蘇州 215123)

基于納米孔的納流體器件被認(rèn)為是第3代DNA測(cè)序的基礎(chǔ),其工作基礎(chǔ)是Coulter計(jì)數(shù)器原理[1]．DNA分子在電壓驅(qū)動(dòng)下通過(guò)納米孔時(shí)會(huì)引起電流的微弱變化,通過(guò)檢測(cè)電流的變化,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)DNA分子結(jié)構(gòu)信息的判斷[2]．納流體檢測(cè)器件的核心單元是納米通道．固態(tài)納米通道具有尺寸可調(diào)、化學(xué)物理性質(zhì)穩(wěn)定、表面化學(xué)特征易于調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)．但相對(duì)于生物納米通道而言,其背景噪聲較強(qiáng),且DNA分子通過(guò)納米通道時(shí),引起的電流差異為fA數(shù)量級(jí),過(guò)大的離子電流噪聲限制了DNA分子的檢測(cè)及辨識(shí)．因此,研究納流體通道內(nèi)噪聲信號(hào)產(chǎn)生的機(jī)理,成為準(zhǔn)確辨識(shí)DNA分子的首要基礎(chǔ)．

試驗(yàn)中的高頻噪聲可以通過(guò)濾波器有效濾除．對(duì)于低頻1/f噪聲,在頻域上其功率譜與頻率f的關(guān)系表現(xiàn)為1/fα的特征．不同結(jié)構(gòu)納米通道的1/f噪聲的特征各不相同．至今,還未出現(xiàn)統(tǒng)一的模型對(duì)這種噪聲進(jìn)行全面解釋．

Hooge等[3]總結(jié)了各種金屬和半導(dǎo)體電阻中 1/f噪聲的測(cè)量結(jié)果,提出了Hooge公式,認(rèn)為1/f噪聲的產(chǎn)生是一種體效應(yīng)的結(jié)果,主要是由載流子數(shù)目波動(dòng)引起的．Smeets等[4]用Hooge公式解釋了納米通道中低頻1/f噪聲與載體數(shù)目有關(guān)的試驗(yàn)現(xiàn)象．Tasserit等[5]在研究通過(guò)聚酰亞胺薄膜的離子電流1/f噪聲時(shí),發(fā)現(xiàn)其與鹽溶液的濃度和pH值無(wú)關(guān)．Powell等[6]研究了錐形納米通道離子電流的非平衡1/f噪聲,發(fā)現(xiàn)錐形納米通道中低頻噪聲與電壓極性有關(guān),但未能解釋這種非平衡1/f噪聲產(chǎn)生的機(jī)理．

本文分析了λ-DNA分子通過(guò)固態(tài)納米通道時(shí)的低頻1/f噪聲,探索其產(chǎn)生的機(jī)理與規(guī)律．在此基礎(chǔ)上,研究了不同試驗(yàn)條件對(duì)1/f噪聲的影響,并對(duì)比分析了氮化硅、石墨烯以及玻璃等不同材質(zhì)納米通道內(nèi)1/f噪聲的大?。?/p>

1 試驗(yàn)

1.1 試驗(yàn)儀器

DNA過(guò)孔信號(hào)采集使用德國(guó)HEKA膜片鉗系統(tǒng)．該系統(tǒng)包括HEKA公司的膜片鉗放大器、數(shù)據(jù)采集軟件Pathmaster、數(shù)據(jù)分析軟件Fitmaster、電極夾持器、 Siskyou公司的顯微操作器系統(tǒng)、靜電屏蔽網(wǎng)、防震臺(tái)、Sutter公司的x-y移動(dòng)載物臺(tái)、Olympus公司的倒置顯微鏡以及方正科技的臺(tái)式計(jì)算機(jī)等．

1.2 信號(hào)采集

DNA的一個(gè)重要性質(zhì)是其在溶液中帶電荷．在弱酸性、中性和堿性溶液中,DNA上的每一個(gè)核苷酸均帶一個(gè)負(fù)電荷,在電解液中兩極間施加直流電壓后,DNA可在電場(chǎng)作用下向正極遷移．對(duì)于給定的納米通道,DNA分子過(guò)孔時(shí)的大小、形狀將決定檢測(cè)電流振幅的大?。娊赓|(zhì)溶液中不同姿態(tài)的DNA分子在穿越納米通道時(shí),除引起電流改變外,其滯留在通道內(nèi)的時(shí)間以及電流波動(dòng)持續(xù)的時(shí)間也不同．因此,通過(guò)分析阻塞電流的振幅漲落、時(shí)間遲滯等變化,能夠推測(cè)DNA分子過(guò)孔時(shí)的姿態(tài),在一定條件下,便可實(shí)現(xiàn)對(duì)DNA分子結(jié)構(gòu)的識(shí)別[7]．本文選用λ-DNA作為試驗(yàn)用的生物大分子．

1.2.1 納米通道加工、封裝與檢測(cè)裝置

不同的固態(tài)納米通道的加工方法各異．用FIB/SEM聚焦離子/電子雙束顯微電鏡可以加工氮化硅、石墨烯等納米通道．目前,采用直接轟擊得到的氮化硅納米通道的孔徑均小于50 nm;如果進(jìn)行縮孔操作,則孔徑可以進(jìn)一步縮?。妹芊庠诓ＡЧ軆?nèi)的石蠟受熱相變,誘導(dǎo)半熔融玻璃成形,可以形成玻璃基納米管．

利用有機(jī)玻璃材料設(shè)計(jì)加工樣品池．采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)將加工好的納米通道薄膜和樣品池密封連接,烘干待用．PDMS 在加熱凝固過(guò)程中具有良好的擴(kuò)散性,故整個(gè)制備過(guò)程中需要注意PDMS的用量,且要防止操作用力過(guò)大或受力不均,避免薄膜破碎．

在樣品池的兩腔內(nèi)注入提前配好的相同濃度的KCl電解液溶液,且KCl溶液中含有一定濃度的λ-DNA．用薄膜將樣品池的兩腔隔開(kāi),這樣納米通道就成為樣品池兩腔間唯一的通道．注入鹽溶液的速度不能過(guò)快,否則會(huì)產(chǎn)生氣泡而引入噪聲．

1.2.2 離子電流的數(shù)據(jù)采集

為了獲得比較完整的離子電流數(shù)據(jù),當(dāng)電壓施加到電極兩端時(shí)就開(kāi)始采集數(shù)據(jù)．由于電極兩端施加電壓后會(huì)出現(xiàn)電極極化現(xiàn)象,故每次采集的數(shù)據(jù)都是平均值．

圖1給出了膜片鉗檢測(cè)記錄的λ-DNA通過(guò)納米通道時(shí)離子電流的變化情況．試驗(yàn)條件與相關(guān)參數(shù)如下:氮化硅納米通道孔徑為60 nm;膜片鉗放大器的采樣頻率為50 kHz,采集時(shí)間為5 s,電壓為1 V;電解質(zhì)溶液為1 mol/L KCl．由圖可知,氮化硅納米通道內(nèi)的基準(zhǔn)離子電流上出現(xiàn)了電流下降的跳躍(blockage),其幅度大小和持續(xù)時(shí)間均不同,說(shuō)明λ-DNA過(guò)孔時(shí)的姿態(tài)不同．圖1中,離子電流波動(dòng)較大,噪聲信號(hào)較強(qiáng),難以清晰分辨出blockage信號(hào)．為此,采用Matlab軟件對(duì)圖1所示的電流信號(hào)進(jìn)行處理,將其轉(zhuǎn)換為功率譜密度圖,以便深入研究納流體通道內(nèi)噪聲信號(hào)的產(chǎn)生機(jī)理,并制定有效的降噪措施．

圖1 λ-DNA通過(guò)納米孔時(shí)的離子電流圖

2 1/f 噪聲分析

1/f噪聲是限制固態(tài)納米通道內(nèi)λ-DNA辨識(shí)分辨率的主要因素,其功率譜與頻率成反比．1/f噪聲功率譜的計(jì)算公式如下:

式中,a為噪聲幅度;b為頻率的冪次,一般取值為1～2．根據(jù)Hooge公式,離子電流的功率譜為

式中,I為平均電流;Nc為載流子數(shù)目;αH為Hooge系數(shù),在固態(tài)納米通道中，αH=1.1×10-4 [4]．對(duì)離子電流功率譜進(jìn)行歸一化得到

式中,A為歸一化的噪聲功率．故噪聲功率為

Hooge公式中,固態(tài)納米通道中的1/f噪聲與電荷載體的數(shù)目成反比．

2.1 電壓的影響

不同濃度的鹽溶液中,零電壓下的電流均為零,噪聲主要為 Johnson 噪聲．因此,1/f噪聲的產(chǎn)生與電場(chǎng)作用下的離子運(yùn)動(dòng)有關(guān)．對(duì)于孔徑為33 nm的氮化硅納米通道,不同電壓條件下離子電流所對(duì)應(yīng)的噪聲功率譜密度見(jiàn)圖2．試驗(yàn)中,在1 mol/L KCl溶液中分別施加0,±100和±1 000 mV的電壓．從圖中可以看出,隨著電壓絕對(duì)值的增大,噪聲值也逐漸變大．當(dāng)頻率為1 Hz時(shí),0,±100,±1 000 mV電壓對(duì)應(yīng)的功率譜值相差近100倍,電壓絕對(duì)值相同時(shí)的功率譜密度曲線基本重合．此外,由于1/f噪聲是一種低頻噪聲,在f>1 000 Hz的高頻區(qū),所有功率譜密度曲線幾乎都是重合的．隨著電壓絕對(duì)值的增大,電流絕對(duì)值也隨之增加,出現(xiàn)電荷局部擁擠現(xiàn)象,導(dǎo)致局部電阻增大,1/f噪聲的功率也逐漸增大．

圖2 氮化硅納米通道內(nèi)離子電流功率譜密度

2.2 納米通道尺寸的影響

圖3為2種孔徑氮化硅納米通道中離子電流功率譜密度的對(duì)比．試驗(yàn)中,電壓為1 000 mV,KCl濃度為1 mol/L．由圖可知,孔徑對(duì)1/f噪聲的影響較小,只有當(dāng)頻率在100 Hz以下時(shí)噪聲大小才有明顯的區(qū)別,且孔徑越大,噪聲幅度越大．

圖3 不同孔徑納米通道內(nèi)離子電流功率譜密度

2.3 鹽濃度的影響

分別在2種濃度的KCl溶液中對(duì)兩端電極施加1 000 mV電壓,得到的離子電流功率譜密度見(jiàn)圖4．如果只考慮通道內(nèi)體態(tài)離子濃度,離子溶液中的載流子數(shù)目由電解液的濃度決定,鹽濃度越大,通道內(nèi)載流子數(shù)目越多．由圖可知,2 mol/L KCl溶液中電流的功率譜密度比0.125 mol/L KCl溶液中電流的功率譜密度高．

材料的表面特性也對(duì)1/f噪聲有影響．在KCl溶液中,圓柱形納米通道內(nèi)離子電流的電導(dǎo)公式為[8]．

圖4 不同濃度下納米通道離子電流功率譜密度

式中,G為離子電導(dǎo),與載流子數(shù)目成正比;d為圓柱納米通道直徑;L為圓柱納米通道長(zhǎng)度;nKCl為溶液中氯化鉀的濃度;μK,μCl分別為鉀離子和氯離子的遷移率;σ為納米通道表面的表面電荷密度．式(5)中電導(dǎo)的值由2項(xiàng)組成:第1項(xiàng)表示納米通道中體態(tài)離子濃度;第2項(xiàng)表示屏蔽納米通道壁面電荷的反離子濃度．由此可見(jiàn),1/f噪聲不僅由鹽體態(tài)溶液的濃度決定,同時(shí)也受到壁面電荷的影響．

為考察電荷對(duì)通道內(nèi)離子電流的影響,用表面電荷的功率譜密度來(lái)表示式(4)中的噪聲功率,即

式中,q為表面電荷數(shù)目;Sq為表面電荷功率譜密度．用表面電荷密度來(lái)表示圓柱納米通道內(nèi)的噪聲功率,即

(7)

式(7)表明,噪聲與納米通道電導(dǎo)表面電荷密度相關(guān),而表面電荷密度的變化依賴于溶液中體態(tài)離子濃度[9]．因此,在低鹽區(qū),納米通道內(nèi)載流子的數(shù)目由屏蔽孔壁電荷的反離子決定,壁面電荷濃度越高,反離子數(shù)目越多,噪聲幅度越?。诟啕}區(qū),納米通道內(nèi)載流子的數(shù)目由體態(tài)離子濃度決定,鹽濃度越高,體態(tài)離子數(shù)目越多,噪聲幅度越?。鶕?jù)表面波動(dòng)模型可知,溶液中較高的體態(tài)離子濃度引起較大的表面電荷波動(dòng),因此,2 mol/L鹽溶液中的噪聲明顯比0.125 mol/L鹽溶液中的噪聲大．故納米通道內(nèi)的1/f噪聲是由溶液體態(tài)離子與壁面電荷綜合作用引起的．

2.4 納米通道材質(zhì)的影響

各種不同材質(zhì)納米通道結(jié)構(gòu)的1/f噪聲特征是不同的．圖5給出了相同試驗(yàn)條件下石墨烯、氮化硅和玻璃3種材質(zhì)納米通道的噪聲比較．由圖可知,石墨烯納米通道的噪聲最大,其次是氮化硅納米通道,玻璃納米通道的噪聲比氮化硅納米通道的噪聲略偏小．

圖5 不同材料納米通道內(nèi)離子電流功率譜密度

石墨烯納米通道比氮化硅納米通道電容大,導(dǎo)電石墨烯薄片與電解液是電容耦合的,實(shí)際試驗(yàn)中石墨烯通過(guò)支撐的氮化硅和硅與電解質(zhì)形成一個(gè)電容．在較高的頻率區(qū),主要的噪聲是由裝置電容將放大器電壓噪聲轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏髟肼曇鸬?在低頻區(qū),依然是以1/f噪聲為主導(dǎo)．

石墨烯是一種單原子層石墨材料,其晶格是碳原子構(gòu)成的二維蜂巢結(jié)構(gòu),具有極高的載流子遷移率．對(duì)式(5)求導(dǎo)得到

用表面電荷密度來(lái)表示圓柱納米通道內(nèi)的噪聲功率時(shí),噪聲功率與溶液中離子遷移率的平方成正比．對(duì)于圓柱形納米通道,由于石墨烯材料具有特殊的結(jié)構(gòu)和特性,因此與氮化硅納米通道相比,石墨烯納米通道具有更大的噪聲．

玻璃納米通道噪聲比氮化硅納米通道噪聲略偏小的原因與其幾何形狀有關(guān)．試驗(yàn)所用的玻璃納米通道是通過(guò)拉制獲得,從“微”到“納”的尺寸近似錐形連續(xù)變化[10]．對(duì)于錐形管,Poisson-Nernst-Planck(PNP)方程的模擬結(jié)果表明,在錐形管小端,正電壓時(shí)通道內(nèi)離子濃度低于鹽溶液體態(tài)離子濃度,負(fù)電壓時(shí)通道內(nèi)離子濃度的變化則與電場(chǎng)強(qiáng)度的變化一致．隨著負(fù)電壓的增加,通道內(nèi)離子濃度隨電壓幅度呈指數(shù)增加．錐形納米通道的形狀不對(duì)稱加上有限的表面電荷,造成了孔內(nèi)電場(chǎng)對(duì)電壓極性的依賴,也導(dǎo)致離子濃度不對(duì)稱．

3 結(jié)語(yǔ)

在第3代DNA測(cè)序研究過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)λ-DNA分子通過(guò)固態(tài)納米通道的離子電流具有信號(hào)弱、噪聲大的特點(diǎn),分析了低頻1/f噪聲的產(chǎn)生機(jī)理與規(guī)律．然后,研究了電壓、孔徑、鹽濃度、通道形狀以及材料對(duì)1/f噪聲的影響,為將來(lái)開(kāi)展納米流體器件的降噪研究進(jìn)行了有益的探索．

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