孫 魯,陳凱,楊志豪,李 蘊(yùn),黃昊培
(國(guó)家半導(dǎo)體光電產(chǎn)品檢測(cè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 廣東 江門(mén) 529000)
目前隨著能源危機(jī)問(wèn)題的加劇,基于白光LED的照明技術(shù)受到越來(lái)越多的重視,其應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣泛,正在逐步取代傳統(tǒng)光源[1]。LED照明與傳統(tǒng)光源所不同的是,LED芯片不能通過(guò)熱輻射的方式把在工作時(shí)產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去。另一方面,LED芯片的壽命、光通量、色坐標(biāo)等參數(shù)都與其工作溫度息息相關(guān),因此熱管理是LED照明技術(shù)中一個(gè)十分重要的議題。本文將介紹LED熱管理技術(shù)的主要內(nèi)容,并對(duì)熱管理技術(shù)的優(yōu)化改進(jìn)提出建議。
LED照明技術(shù)作為一種半導(dǎo)體固態(tài)照明技術(shù),其核心是基于GaN材料的藍(lán)光LED芯片,LED芯片在工作時(shí),由于芯片中存在大量的非輻射復(fù)合中心等原因,導(dǎo)致了輸入LED的能量中相當(dāng)大一部分轉(zhuǎn)化為熱能,一般認(rèn)為,LED芯片所輸入的能量中大約70%左右在工作是轉(zhuǎn)化為熱能[2]。如此大量的熱能如果不能順利傳導(dǎo)出來(lái),將導(dǎo)致LED芯片的結(jié)溫迅速升高,大大降低LED芯片的使用壽命、光通量等性能指標(biāo),嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀LED芯片。
目前在LED照明應(yīng)用中,從節(jié)約LED芯片成本方面來(lái)考慮,人們往往會(huì)通過(guò)加大LED的驅(qū)動(dòng)電流的方式來(lái)提高光源的總光通量,而在大電流下工作的大功率LED芯片,發(fā)熱量也會(huì)大大增加。在這種情況下,LED芯片的熱管理就顯得尤為重要。
熱阻R是評(píng)價(jià)材料導(dǎo)熱性能的物理量,a、b兩點(diǎn)之間的熱阻Ra-b的定義為[3]:
其中Ta為a點(diǎn)的溫度,單位為℃,Tb為b點(diǎn)的溫度,單位為℃,Pt為耗散的熱功率,單位為W。從公式(1)可以看出來(lái),在相同的熱耗散功率下,如果兩點(diǎn)之間的熱阻越小,溫差就越小。
眾所周知,熱傳遞的方式有3種:傳導(dǎo)、對(duì)流、輻射。LED照明系統(tǒng)熱管理所需要解決的問(wèn)題主要包括了如何通過(guò)傳導(dǎo)方式將芯片產(chǎn)生的熱傳遞到周?chē)纳峤Y(jié)構(gòu),再通過(guò)對(duì)流方式和輻射方式將熱傳遞到周?chē)目諝庵?,最終完成整個(gè)散熱過(guò)程。在這個(gè)過(guò)程中,如何將整個(gè)熱傳遞通道中的熱阻降到最低,是提高整個(gè)系統(tǒng)的熱性能的核心問(wèn)題。
熱傳導(dǎo)是在兩個(gè)直接接觸的固體直接發(fā)生的熱傳遞過(guò)程。LED芯片產(chǎn)生的大量熱量首先要通過(guò)熱傳導(dǎo)方式帶到芯片周?chē)纳峤Y(jié)構(gòu),因此要使用熱的良導(dǎo)體來(lái)制作散熱結(jié)
其中k為材料的導(dǎo)熱系數(shù),單位是W/mK,A為熱傳導(dǎo)材料的截面積,單位為m2,ΔT為材料兩端的溫差,單位為K,Δx為熱傳導(dǎo)的距離,單位為m。從公式(2)可以看出來(lái),要想改善熱傳導(dǎo)的效果,可以通過(guò)加大導(dǎo)熱材料的截面積,縮短熱傳導(dǎo)的距離,并使用導(dǎo)熱系數(shù)高的材料。另一方面,由于在熱傳導(dǎo)中的熱通路中存在許多界面,如何利用良好的熱界面材料來(lái)改善界面的導(dǎo)熱情況也非常重要。
在實(shí)際應(yīng)用中,大功率LED芯片所產(chǎn)生的熱首先要通過(guò)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)傳遞出來(lái),如何在LED芯片與外界之間建立一條良好的導(dǎo)熱通道是十分關(guān)鍵的。傳統(tǒng)的LED芯片封裝為正裝方式,該方式是通過(guò)藍(lán)寶石襯底將LED結(jié)處的熱量傳遞出來(lái),而藍(lán)寶石襯底的導(dǎo)熱系數(shù)僅為42 W/mK,不利于芯片的散熱。最近人們發(fā)展了倒裝結(jié)構(gòu)和垂直結(jié)構(gòu)的LED封裝方式來(lái)改進(jìn)熱傳導(dǎo)。倒裝結(jié)構(gòu)LED是通過(guò)共晶焊技術(shù)將LED芯片倒裝到具有更高導(dǎo)熱系數(shù)的硅襯底上(導(dǎo)熱系數(shù)約120 W/mK)[5],從而保證LED產(chǎn)生的熱量能夠迅速地傳遞出來(lái)。垂直結(jié)構(gòu)LED通過(guò)激光剝離等工藝將GaN外延層轉(zhuǎn)移至硅、銅等高導(dǎo)熱系數(shù)的襯底上[6],從而大大改善散熱效果,以銅基板為例,銅的導(dǎo)熱系數(shù)在400 W/mK左右。
在上面提到的正裝、垂直結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)等封裝方式中,都會(huì)涉及到如何利用熱界面材料將芯片固定的問(wèn)題。另外,在印刷電路板和散熱片之間也需要熱界面材料來(lái)填充微小的空氣間隙。常用的熱界面材料有導(dǎo)熱膠、相變材料、導(dǎo)熱彈性體和低熔點(diǎn)合金等,例如導(dǎo)電銀漿、導(dǎo)熱錫膏、共晶焊合金等。碳納米管具有非常優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,其導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)6 600 W/mK[7],可以作為未來(lái)LED應(yīng)用中的熱界面材料,但是存在工藝復(fù)雜、成本高等缺點(diǎn)。
熱對(duì)流是指通過(guò)液體或氣體的流動(dòng)將熱量帶走的熱傳遞方式。對(duì)于LED照明系統(tǒng)來(lái)說(shuō),通常利用熱對(duì)流方式將散熱片的熱量散發(fā)到周?chē)目諝庵?。?duì)流有自然對(duì)流和強(qiáng)制對(duì)流兩種方式,下式中給出了在對(duì)流方式中所散發(fā)的熱量Qconv(W)[8]:
其中h為熱傳遞系數(shù),單位為W/m2K,A為散熱片的表面積,單位為m2,ΔT為散熱片與周?chē)橘|(zhì)之間的溫差,單位為K。對(duì)于不同的對(duì)流散熱技術(shù),熱傳遞系數(shù)的差距很大,強(qiáng)制水冷對(duì)流的熱傳遞系數(shù)可以高達(dá)10 000 W/m2K,而空氣自然對(duì)流的熱傳遞系數(shù)一般認(rèn)為大約為10 W/m2K。散熱片的使用中,散熱片的熱對(duì)流能力和具體擺放方式有密切的關(guān)系。
除了自然對(duì)流和強(qiáng)制對(duì)流外,還可以采用熱管技術(shù)來(lái)改善系統(tǒng)的散熱能力[9]。在某些特殊的應(yīng)用場(chǎng)合,甚至可以使用水冷方式來(lái)達(dá)到良好的散熱效果。具體散熱方式的選擇,不構(gòu)。人們使用導(dǎo)熱系數(shù)k來(lái)衡量材料的導(dǎo)熱能力。通過(guò)熱傳導(dǎo)傳遞的熱量 Qcond(W)由下式給出[4]:僅僅與散熱效果有關(guān),更多得是決定于成本、可靠性、噪音等因素的考慮。
熱輻射是熱量傳遞的第3種方式,一切溫度高于絕對(duì)零度的物體都能產(chǎn)生熱輻射,溫度愈高,輻射出的總能量就愈大,一般的熱輻射主要靠波長(zhǎng)較長(zhǎng)的可見(jiàn)光和紅外線(xiàn)傳播。通過(guò)熱輻射傳遞的熱量Qrad(W)由下式來(lái)確定[10]:
其中ε為物體表面的發(fā)射率,無(wú)量綱,σ為斯蒂芬-玻爾茲曼常數(shù),數(shù)值為5.67×10-8W/m2K4,A為散熱表面的面積,單位為m2,Ts為散熱材料表面的溫度,單位為K,Tf為周?chē)橘|(zhì)的流體溫度,通常是指周?chē)諝獾臏囟?,單位為K。在其他條件都確定的情況,可以通過(guò)提高散熱片表面的發(fā)射率來(lái)改善散熱效果。以鋁散熱片為例,使用陽(yáng)極氧化工藝來(lái)進(jìn)行表面處理后可以增強(qiáng)其表面發(fā)射率,從而改善散熱效果[11]。對(duì)于散熱片的設(shè)計(jì),可以使用計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)來(lái)進(jìn)行仿真[12],以得到更精確的設(shè)計(jì)結(jié)果,加快設(shè)計(jì)進(jìn)度。
假設(shè)LED燈具的發(fā)熱量為100 W,LED散熱底座的溫度為55℃,周?chē)沫h(huán)境溫度最高為35℃,根據(jù)公式(2)可知,如果取空氣自然對(duì)流的熱傳遞系數(shù)為10 W/m2K,在不考慮熱輻射的情況下,所用散熱底座的面積應(yīng)該為:
為了保證照明燈具所使用的1W LED芯片達(dá)到50 000小時(shí)的壽命,希望將LED芯片的結(jié)溫控制在90℃,因此由LED芯片到LED散熱底座的熱阻不能超過(guò)(90-55)/1=35(℃/W)。熱阻的分配如下:由LED芯片到焊點(diǎn)的熱阻為8℃/W,焊點(diǎn)到散熱底座的熱阻必須控制在27℃/W,下一步根據(jù)所選擇的PCB板和熱界面材料的導(dǎo)熱系數(shù)k、厚度和面積等參數(shù),利用下面的公式:
來(lái)評(píng)估熱傳遞通路上的熱阻是否可以達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
在熱管理設(shè)計(jì)中,首先要了解整個(gè)熱通路中每個(gè)環(huán)節(jié)的熱阻情況,繪出系統(tǒng)的熱阻示意圖,找出熱傳遞的瓶頸,然后進(jìn)行重點(diǎn)改進(jìn)。例如在熱界面材料的選擇上要多加注意,選用導(dǎo)熱性能不好的熱界面材料會(huì)使得整個(gè)設(shè)計(jì)前功盡棄。
在選擇好LED芯片的前提下,熱管理設(shè)計(jì)以預(yù)期芯片結(jié)溫和工作環(huán)境溫度作為設(shè)計(jì)的兩個(gè)節(jié)點(diǎn),在兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間的熱通路上分配溫度梯度預(yù)算,并估算相應(yīng)的熱阻值,設(shè)計(jì)應(yīng)具有足夠的余量,可以在嚴(yán)酷的使用環(huán)境中保證結(jié)溫在預(yù)期范圍內(nèi),從而保證LED芯片長(zhǎng)期工作的可靠性。在具體每個(gè)部分的設(shè)計(jì)中,要綜合利用3種熱傳遞方式。以散熱片的設(shè)計(jì)為例,首先要使用熱的良導(dǎo)體,充分利用熱傳導(dǎo)方式,另外要根據(jù)使用環(huán)境來(lái)精心設(shè)計(jì)散熱片的外形結(jié)構(gòu),以最大限度地利用熱對(duì)流方式,最后還要盡可能提高散熱片表面的發(fā)射率,充分利用熱輻射方式來(lái)進(jìn)行散熱。
從以上的分析可以看出,大功率LED照明系統(tǒng)的熱管理設(shè)計(jì)是一個(gè)需要綜合考慮的工程問(wèn)題,必須要在系統(tǒng)級(jí)層次上進(jìn)行總體優(yōu)化,才能達(dá)到良好的散熱效果。
[1]Pimputkar S,Speck J S,DenBaars S P,et al.Prospects for LED lighting[J].Nature Photonics,2009(3):180-182.
[2]Treurniet T,Lammens V.Thermal management in color variable multi-chip led modules[C]//Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium,IEEE Twenty-Second Annual,14-16 March 2006:173-177.
[3]Kim L,Shin M W.Thermal resistance measurement of LED package with multichips[J].IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies,2007,30(4):632-636.
[4]Klemens P.Theory of thermal conductivity in solids,in:ThermalConductivity[M].London:AcademicPress,1969:1-68.
[5]Shen C F,Chang S J,Chen W S,et al.Nitride-Based High-Power Flip-Chip LED With Double-Side Patterned Sapphire Substrate[J].IEEE Photonics Technology Letters,2007,19(10):780-782.
[6]Chen S L,Wang S J,Uang K M,et al.Fabrication of dicing-Free Vertical-Structured High-Power GaN-Based Light-Emitting Diodes With Selective Nickel Electroplating and Patterned Laser Liftoff Techniques [J].IEEE Photonics Technology Leters,2007,19(6):351-353.
[7]Berber S,Kwon Y K,Tomanek D.Unusually high thermal conductivity of carbon nanotubes[J].Physical Review Letters,2000(84):4613-4616.
[8]Schenck H N.Heat transfer engineering[M].Prentice-Hall,1959.
[9]Eastman G.The heat pipe[M].Scientific American,1968.
[10]Siegel, Robert, Howell, John R.Thermal radiation heat transfer (3rd revised and enlarged edition)[M].Hemisphere Publishing Corp.,1992.
[11]Wade P,Preedy C.Fujihokka:A high-emissivity approach to aluminum anodizing[J].Metal Finishing,2003,101(12):8-13.
[12]Wendt J F.Computational Fluid Dynamics (Third Edition)[M].Springer,2009.