這年頭，無論是CPU處理器還是DRAM內(nèi)存，都流行立體堆疊，以最小的空間代價(jià)換取更大容量、更高性能。今天，混合存儲(chǔ)立方體聯(lián)盟(HMCC)宣布，歷經(jīng)17個(gè)月的艱苦工作，“混合存儲(chǔ)立方體”(Hybrid Memory Cube)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的1.0正式版已經(jīng)完成，并公開發(fā)布。

HMC可以說是含著金鑰匙出生又集萬千寵愛于一身，發(fā)起它的是Intel、美光、三星，而加盟支持的有Altera、ARM、惠普、海力士、IBM、微軟、Open-Silicon、Xilinx等眾多行業(yè)巨頭，尤其是得到了DRAM產(chǎn)業(yè)的鼎力支持。

HMC將采用先進(jìn)制造工藝和TSV硅穿孔技術(shù)，將多顆DRAM內(nèi)存顆粒垂直堆疊在一起，只需10%的空間就能提供等同于RDIMM內(nèi)存條的容量，而且可以顯著提升性能，號(hào)稱單個(gè)HMC模塊就能擁有15多倍于DDR3內(nèi)存的速度，帶寬不成問題，此外還更加省電，同等容量可以比DDR3節(jié)約70%。

有了這樣的表現(xiàn)，HMC甚至能夠滿足未來100G、400G高速網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的需要，推動(dòng)億億次高性能計(jì)算的進(jìn)步。

HMCC宣稱，DDR4只是個(gè)演化標(biāo)準(zhǔn)(evolutionary standard)，HMC則是個(gè)革命性技術(shù) (revolutionary technology)，從現(xiàn)有內(nèi)存架構(gòu)的束縛中徹底解脫了出去。

根據(jù)HMC 1.0版標(biāo)準(zhǔn)，這種堆疊內(nèi)存的單顆容量可以有 2GB、4GB、8GB等不同規(guī)格，八條鏈接下可以獲得320GB/s的超高帶寬，相比之下現(xiàn)在的DDR3僅有區(qū)區(qū)的11GB/s。

下一步，HMCC計(jì)劃在2014年初就將單條數(shù)據(jù)鏈接的帶寬翻差不多一番，從15Gbps提升至28Gbps，帶寬將更見恐怖。

你說什么時(shí)候能看到HMC內(nèi)存上市？最快也得今年下半年。