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        電沉積錫銻合金負(fù)極的制備及電化學(xué)性能

        2013-07-02 05:48:00姜前蕾賈夢秋薛銳生石祥銳
        電源技術(shù) 2013年2期
        關(guān)鍵詞:鍍層電流密度電化學(xué)

        姜前蕾,賈夢秋,薛銳生,石祥銳

        (北京化工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,北京 100029)

        Al、Sn、Sb、Si基合金材料因具有極高的儲鋰比容量而引起人們的極大關(guān)注,如Sn和Sb的理論比容量分別為994和660 mAh/g,是碳材料的2.67和1.77倍。但合金負(fù)極材料在充放電過程中大的體積變化易導(dǎo)致電極材料的粉化和電極性能的惡化,限制了合金負(fù)極在鋰離子電池中的實際應(yīng)用。由于Sn和Sb均能與Li合金化,且Sn和Sb與Li反應(yīng)的電化學(xué)電位不同,因而在充放電過程中能與鋰分步化合,未反應(yīng)相起到分散、緩沖反應(yīng)相所產(chǎn)生的體積膨脹的作用,從而提高電極的循環(huán)穩(wěn)定性,顯示出較好的電化學(xué)性能。因而在眾多合金材料中,Sn-Sb合金材料引起了研究者的廣泛關(guān)注。

        Sn-Sb合金通常采用化學(xué)還原法[1],也有人用氫電弧等離子體法[2]及碳熱還原法[3]來制備。這些方法制備的Sn-Sb合金均為粉體材料,在電極制備過程中易引入較多的表面氧化物,這將導(dǎo)致電極材料較高的首次不可逆容量。有研究表明把合金負(fù)極材料制備成薄膜狀,其厚度很小,幾乎是一個二維平面,有利于緩解活性材料在充放電過程中的體積變化對電極結(jié)構(gòu)的沖擊[4]。J O Besenhard等[5]采用電沉積法制備了Sn、SnAgn及Sn-Sb合金薄膜電極,對比研究了單質(zhì)Sn和Sn基合金在充放電過程中的反應(yīng)機(jī)理。本文則著重研究了電沉積參數(shù)對電化學(xué)共沉積法制備的Sn-Sb合金材料的組分、結(jié)構(gòu)、形貌和電化學(xué)性能的影響。

        1 實驗

        1.1 樣品的制備

        Sn-Sb合金薄膜采用電化學(xué)沉積法制備得到。電鍍液為包含 22 g/L SnSO4,16 g/L KSbOC4H4O6·1/2 H2O,115 g/L K4P2O7·10 H2O以及0.5 g/L明膠的水溶液;用作工作電極的銅箔使用前先在丙酮溶液中超聲波洗滌20 min,然后用稀硫酸浸泡片刻以除去表面的氧化物;對電極為Pt片。

        電沉積過程采用恒電流技術(shù),先固定沉積時間為30 min,電流密度采用2、5、7和10 mA/cm2,以研究電流密度對合成材料性能的影響,選出最佳電流密度;再改變電沉積時間,分別采用10、30、45和60 min,研究沉積時間對合成產(chǎn)物性能的影響。

        1.2 物相、形貌分析

        X射線衍射光譜 (XRD)分析在日本理學(xué)公司生產(chǎn)的D/max2500VB2+/PC型多功能多晶粉末X射線衍射儀上測定。樣品的掃描電子顯微鏡法(SEM)形貌觀察在S-4700型場發(fā)射掃描電鏡上進(jìn)行。能譜分析(EDS)是利用S-4700型場發(fā)射掃描電鏡聯(lián)用的能譜分析儀對選取樣品的局部區(qū)域進(jìn)行測試分析。

        1.3 電化學(xué)測試

        以鋰片為負(fù)極,Sn-Sb合金電極為正極,1 mol/L LiPF6/(DEC+EC+DMC)(體積比為1∶1∶1)溶液作電解液,在充滿氬氣的手套箱中組裝成2025型扣式電池。電化學(xué)性能測試在新威BTS高性能電池測試儀上進(jìn)行,充放電電流密度為0.2 mA/cm2,電壓范圍為 0.001~1.8 V。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 電流密度的影響

        為了研究電流密度對所制備Sn-Sb合金材料性能的影響,保持其它條件不變,在不同的電流密度下電沉積30 min,制備了四種Sn-Sb合金薄膜樣品。

        2.1.1 電流密度對鍍層成分的影響

        由于Sn、Sb電化學(xué)活性不同,因此采用電化學(xué)共沉積法制備的Sn-Sb合金鍍層中Sn和Sb的含量也會有所不同。采用能量散射光譜(EDS)測試法對鍍層中Sn、Sb的含量進(jìn)行測試分析,圖1為不同電流密度下制備的Sn-Sb合金樣品的質(zhì)量及Sn/Sb原子比。

        從圖1可知,電流密度對鍍層成分和鍍層質(zhì)量的影響非常明顯。電流密度較小時,鍍層中Sn的含量較少,當(dāng)陰極電流密度為5 mA/cm2時,Sn∶Sb原子比為0.97∶1,Sn和Sb在鍍層中的含量大致相等。隨著電流密度的增加,鍍層中Sn的含量增大,這是因為陰極電流密度增加,陰極極化增大,陰極電位負(fù)移,使合金成分中電位較負(fù)金屬的含量增加,而錫的標(biāo)準(zhǔn)電極電位(φ0=-0.136 V)比銻的標(biāo)準(zhǔn)電極電位(φ0=0.212 V)要負(fù),因此,電流密度增加使合金中電位較負(fù)的錫含量增加。鍍層質(zhì)量則先隨電流密度增大而增加,在電流密度為7 mA/cm2時,沉積層質(zhì)量為5.23 mg/cm2,而當(dāng)電流密度增加到10 mA/cm2,沉積層質(zhì)量反而降低到2.99 mg/cm2,這是因為電流密度過大時,形成的沉積層疏松,在用去離子水沖洗時,有一部分活性物質(zhì)脫落。

        2.1.2 電流密度對結(jié)構(gòu)的影響

        圖2為不同電流密度下制備的Sn-Sb合金薄膜樣品的XRD譜圖。沉積電流密度為2 mA/cm2時,所得樣品的衍射峰歸為SnSb及Sb2O3,Cu的峰為基體Cu的反映。隨著電流密度的增大,沉積層中出現(xiàn)單質(zhì)Sn。電流密度為5 mA/cm2時,SnSb相的衍射峰最強(qiáng),表明沉積層中SnSb相的含量最多。

        2.1.3 電流密度對表面形貌的影響

        圖3為不同電流密度下制備的Sn-Sb合金薄膜樣品的SEM圖。隨著沉積電流密度的增大,所得Sn-Sb合金薄膜樣品的結(jié)晶形態(tài)從2 mA/cm2時的金字塔狀圖,到5 mA/cm2時的層狀圖,再到7 mA/cm2和10 mA/cm2的多晶結(jié)構(gòu),且隨著電流密度增大,電極反應(yīng)加快,過電位增加,晶核形成的速度增加,鍍層結(jié)晶逐漸變得疏松。

        2.1.4 電流密度對循環(huán)性能的影響

        圖4給出了不同電流密度下制備的Sn-Sb合金薄膜負(fù)極的容量與循環(huán)次數(shù)的關(guān)系曲線。5 mA/cm2電流密度下所得樣品的電化學(xué)性能最好;2 mA/cm2時所得樣品的循環(huán)性能最好,但比容量低;而7 mA/cm2和10 mA/cm2電流密度下所得樣品的容量較高,但循環(huán)性能差。這主要是相組成不同引起的。當(dāng)電流密度為5 mA/cm2時,產(chǎn)物中Sn∶Sb原子比接近1∶1,產(chǎn)物中SnSb化合物含量較高,相比于單一金屬相,SnSb合金相的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性更好,有利于提高循環(huán)穩(wěn)定性。

        2.2 電沉積時間的影響

        由上述電流密度對材料性能的影響,得到最佳電流密度5 mA/cm2。保持其它條件不變,在5 mA/cm2的電流密度下,改變電沉積時間制備四種Sn-Sb合金薄膜樣品,以研究電沉積時間對所制備材料性能的影響。

        2.2.1 電沉積時間對鍍層組分的影響

        圖5為不同電沉積時間下制備的Sn-Sb合金樣品的質(zhì)量及Sn∶Sb原子比。由圖5可以看出,隨著電鍍時間的延長,鍍層質(zhì)量增加,而鍍層中Sn∶Sb原子比則呈減少趨勢。這是因為電鍍時陽極上同時發(fā)生Sn2+的氧化反應(yīng)Sn2+-2 e=Sn4+,使溶液中Sn2+的濃度隨著時間的延長而逐漸降低,Sn2+濃度的降低不利于鍍層中Sn含量的提高。因此,隨著電鍍時間的逐漸延長,鍍層中的Sn含量越來越少。

        2.2.2 電沉積時間對結(jié)構(gòu)的影響

        圖6為不同電沉積時間下所得Sn-Sb合金薄膜樣品的XRD譜圖。從圖6可以看出,所得樣品沉積層均含有SnSb、金屬Sn及少量的Sb2O3。當(dāng)沉積時間為30 min時,對應(yīng)產(chǎn)物中SnSb的衍射峰最強(qiáng),鍍層中SnSb相的含量最多。隨著沉積時間的延長,Sb2O3的衍射峰的強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),表明其在沉積層中的含量增加。

        2.2.3 電沉積時間對表面形貌的影響

        圖7為不同電沉積時間下制備的Sn-Sb合金薄膜樣品的SEM譜圖。電沉積時間為10 min時,電極結(jié)構(gòu)和晶界結(jié)構(gòu)最為疏松,隨著電沉積時間的延長,所得樣品的電極結(jié)構(gòu)逐漸致密,顆粒逐漸團(tuán)聚成大的二級顆粒。

        2.2.4 電沉積時間對循環(huán)性能的影響

        圖8給出了不同電沉積時間下所得Sn-Sb合金薄膜電極的容量與循環(huán)次數(shù)的關(guān)系曲線。從圖8可以看出,電沉積時間為10 min時,電化學(xué)性能最差,容量衰減最快;30 min時所得樣品的容量較高,容量保持性能最好,因此其電化學(xué)性能最好。這與上述分析結(jié)果相對應(yīng)。隨著SnSb含量的相對減少,電化學(xué)性能明顯惡化。

        上述分析表明:電沉積制備的Sn-Sb合金薄膜材料的電化學(xué)性能表面上與電化學(xué)沉積參數(shù)有關(guān),實質(zhì)上則取決于SnSb在沉積層中的相對含量,SnSb相在沉積層中的含量最高時,所制備樣品的容量較高,循環(huán)穩(wěn)定性最好,電化學(xué)性能也最好。電流密度為5 mA/cm2,電沉積時間為30 min時,所得樣品中SnSb的相對含量最高,因此電化學(xué)性能也最好,其首次充放電比容量分別為776和818 mAh/g,首次庫侖效率95%,比文獻(xiàn)報道的同類材料的首次庫侖效率要高得多[2-3],且在前15次循環(huán)過程中,容量的保持性能良好。但多次循環(huán)后,容量的衰減問題仍沒有完全解決。

        3 結(jié)論

        (1)采用電沉積法制備的Sn-Sb合金薄膜負(fù)極材料,不同的電沉積條件所制備的樣品具有不同的成分、結(jié)構(gòu)及形貌特征,且其電化學(xué)性能不同。

        (2)電沉積法制備的Sn-Sb合金材料的電化學(xué)性能與SnSb金屬間相在鍍層中的含量有關(guān),SnSb相在沉積層中含量越高,所制備電極材料的電化學(xué)性能越好。

        (3)電流密度為5 mA/cm2,電沉積時間為30 min時,所得電極材料中SnSb相的含量最高,電極的容量較高,循環(huán)穩(wěn)定性也最好。

        [1]TRIFONOVA A,WACHTLER M,WAGNER M R,et al.Influence of the reductive preparation conditions on the morphology and on the electrochemical performance of Sn/SnSb[J].Solid State Ionics,2004,168:51-59.

        [2]王忠,田文懷,李星國.Sn-Sb合金的氫電弧等離子體法制備及其電化學(xué)性能[J].物理化學(xué)學(xué)報,2006,22(6):752-755.

        [3]ZHAO H L,ZHU Z M,YIN C L,et al.Electrochemical characterization of micro-sized Sb/SnSb composite anode[J].Materials Chemistry and Physics,2008,110:201-205.

        [4]LI Y,TU J P,HUANG X H,et al.Net-like SnS/carbon nanocomposite film anode material for lithium ion batteries[J].Electrochemistry Communications,2007,9(1):49-53.

        [5]BESENHARD J O,YANG J,WINTER M.Will advanced lithiumalloy anodes have a chance in lithium-ion batteries?[J].J Power Sources,1997,68(1):87-90.

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