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        超高頻窄帶單級低噪聲放大器的設計

        2013-06-23 09:46:16吳志毅孫建華
        電子設計工程 2013年17期
        關鍵詞:衰減器場效應管噪聲系數(shù)

        吳志毅,孫建華

        (1.四川信息職業(yè)技術學院 四川 廣元 620840;2.成都天宇寶通有限公司 四川 成都 611731)

        隨著科技現(xiàn)代工業(yè)化的普及,工業(yè)噪聲、自然界的噪聲到處沖滿我們的生活。給我們生活中微波通信系統(tǒng)提出了挑戰(zhàn)。為了使接收機能夠正常的工作,不受外界的噪聲嚴重的干擾。因此,必須在接收機前端連接高性能的低噪聲放大器,降低噪聲干擾,使整個接收機系統(tǒng)噪聲系數(shù)變低、信燥比得到改善、靈敏度得到提高,因此對微波通信中低噪聲放大器的研究具有重要的意義。

        本文所研制的低噪聲放大器主要用于超高頻段微波通信系統(tǒng)中。產(chǎn)品的主要指標:頻率范圍400~435 MHz頻段上,功率增益>13 dB、噪聲系數(shù)<2.5 dB、帶內(nèi)增益平坦度<0.5 dB、帶外抑制≤-75(≤f o-90 MHz處測試)、輸入/輸出負載50Ω。

        1 設計方案

        單級微波場效應管低噪聲放大器的構成框圖如圖1所示。它是由輸入匹配網(wǎng)絡、微波場效應管、輸出匹配網(wǎng)絡組成。

        圖1 低噪聲放大器原理Fig.1 Low noise amplifier principle

        輸入匹配網(wǎng)絡的作用是使器件與信號源的阻抗匹配,輸出匹配網(wǎng)絡的作用是使器件與負載的阻抗匹配,使得信號在放大器過程中不產(chǎn)生反射損耗。

        根據(jù)技術指標要求,設計單級低噪聲放大器選用的放大器芯片為35k318YB場效應管,該管的特點:

        1)低噪特點,最大2.2 dB,典型值為1.4 dB;

        2)優(yōu)秀的交叉調(diào)制特性;

        3)功率增益最小為18 dB,典型值為21 dB;

        4)低功耗、低電壓工作能力;

        5)OIP3為30 dBm左右。

        電路拓撲結構采用反饋型、穩(wěn)定衰減器法和低端增益衰減法進行設計。

        1.1 噪聲系數(shù)分析

        放大器噪聲系數(shù)一般用NF表示,它是用來衡量有噪系統(tǒng)的噪聲性能。定義為:放大器輸入信噪功率比(SNR)i=Si/Ni與輸出信噪功率比(SNR)0=S0/N0的比值:

        在工程設計與運用中,噪聲系數(shù)一般用分貝表示。表達式如下:

        對于單級低噪聲放大器,其噪聲系數(shù)為:

        其中NFmin為晶體管最小噪聲系數(shù),由放大器的管子決定,Γout、Rn和Γs分別為獲得Fmin時的最佳反射系數(shù)、晶體管等效噪聲電阻、以及晶體管輸入端的源反射系數(shù)。

        1.2 穩(wěn)定性分析

        在低噪聲放大器設計中,有一個重要問題,那就是放大器穩(wěn)定性。穩(wěn)定因子K利用場效應管S參數(shù)給出了穩(wěn)定性的直接指示,并由下式?jīng)Q定:

        其中:Δ=S11S22-S12S21

        1)如果K>1,則晶體管無條件穩(wěn)定的;

        2)如果K<1,則晶體管的穩(wěn)定性取決于源和負載阻抗相對穩(wěn)定圓的位置。

        根據(jù)所設計電路技術指標要求,選用微波場效應管3SK318YB。該管在400 MHz的s參數(shù)如下:

        S11=0.972∠-24.1 S21=2.28∠147.6 S12=0.00533∠78.0 S22=0.980∠-17.4把S參數(shù)代入(3)式中,計算可得K≈1.45>1,(此時的K是未匹配時的結果)所以放大器是穩(wěn)定的。

        在實際設計時為了保證低噪聲放大器穩(wěn)定工作還要注意使放大器避開潛在不穩(wěn)定區(qū)。同時工程設計中為改善微波管的自身穩(wěn)定性,設計時考慮了以下兩種方式:

        1)串接阻抗負反饋

        在3SK318YB的源極和地之間串接一個阻抗元件電阻和電容,從而構成負反饋電路。

        2)穩(wěn)定衰減器

        在3SK318YB的輸出口接有兩級Π型阻性衰減器,而Π型阻性衰減器是一種簡易可行的改善放大器穩(wěn)定性的措施。在不少情況下,放大器輸出口潛在不穩(wěn)定區(qū)較大,在輸出端加Π型阻性衰減器,對改善穩(wěn)定性相當有效。

        1.3 增益分析

        1.4 雙共軛匹配設計分析

        晶體管提供的增益強烈地依賴于輸入、輸出端口所加載的源阻抗和負載阻抗。由于反相傳輸系數(shù)S12的存在,意味著負載反射系數(shù)ΓL會影響晶體管的輸入阻抗,輸入反射系數(shù)表示為[2]:

        按照源反射系數(shù)ΓS,輸出反射系數(shù)表示為:

        因此,考慮到放大管反饋的影響,采用雙共軛匹配法進行匹配,即設計時要求Γin與Γout同時滿足,這樣可以做到信號源和負載反射系數(shù)同時匹配,確保有高的功率增益和功率增益平坦度,同時兼顧輸入和輸出駐波比,射頻電路整體上再進行匹配調(diào)節(jié)。從實際生產(chǎn)角度,輸入和輸出都要匹配到50歐,這樣不僅可以滿足指標的要求也可以縮小設計尺寸。

        2 電路板制作與測試

        為了小型化和通用性使用,電路板制作在21 mm×12.7 mm,厚度為0.6 mm的聚四氟乙烯基片上,PCB電路板如圖2所示,元件裝配圖如圖3所示。調(diào)整好直流偏置電路,蓋上屏蔽罩,在安捷倫矢量網(wǎng)絡分析儀8753C測試平臺上進行測試,測試結果如圖4所示。

        圖2 PCB電路板Fig.2 PCB circuit board

        圖3 元件裝配圖Fig.3 Element assembly drawing

        3 實物測試結果分析

        圖4中:400 MHz由-40 dB增加到-26.638 dB,增益為13.361 dB。

        圖4 電路測試圖Fig.4 Circuit test pattern

        415 MHz由-40 dB增加到-26.418 dB,增益為13.582 dB。

        430 MHz由-40 dB增加到-26.519 dB,增益為13.481 dB。

        帶內(nèi)平坦度為:0.22 dB。

        430 MHz的鏡像抑制為:91.063-26.519=65 dB。

        因為頻率較高,接地不是很良好,鏡像抑制測試有誤差,鏡像頻率與裝整機的差值為10 dB。

        4 結 論

        本文設計的低噪聲放大器具有實用性,已經(jīng)在某些產(chǎn)品中大量使用。從使用角度看,該放大器優(yōu)點表現(xiàn)為:一致性、可靠性、穩(wěn)定性比較好,適合批量生產(chǎn)同時具有小型化設計技術。值得進一步推廣。

        [1]黃智偉.射頻電路設計[M].北京:電子工業(yè)出版社,2006.

        [2]王磊,楊紅.射頻電路設計技術[M].北京:電子工業(yè)出版社,2007.

        [3]顧其諍,項家楨,袁孝康.微波集成電路設計[M].北京:人民郵電出版社,1978.

        [4]陳繼新,洪偉,嚴蘋蘋,等.800 MHzCMOS低噪聲放大器的設計[J].微波學報,2005,21(21):107-111.CHEN Ji-xin,HONG Wei,YAN Pin-pin,et al.Design and implementation of 800MHz CMOS LNA [J].Journal of Microwaves,2005,21(21):107-111.

        [5]陳邦媛.射頻通信電路[M].北京:科學出版社,2002.

        [6]Reinhold Ludwig射頻電路設計—理論與應用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2002.

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