日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE）宣布，推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40 V N溝道TrenchFET功率MOSFET——SQM200N04-1m1L。該器件特別針對(duì)“重型”汽車應(yīng)用，是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級(jí)的7腳D2PAK封裝的首款功率MOSFET。通過(guò)高密度TrenchFET技術(shù)，器件在10 V和4.5 V下實(shí)現(xiàn)了1.1 mΩ和1.3 mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，將傳導(dǎo)損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。此外，器件的連續(xù)漏極電流達(dá)200 A，幫助工程師設(shè)計(jì)出更具魯棒性的產(chǎn)品，為關(guān)鍵的安全應(yīng)用提供額外的安全余量。

今天發(fā)布的SQM200N04-1m1L適用于電動(dòng)轉(zhuǎn)向助力等高功率車用電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。器件采用了專門(mén)設(shè)計(jì)，在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行了100%的測(cè)試，可承受100 A和500 mJ的單個(gè)雪崩脈沖。器件具有0.4℃/W的低熱阻（結(jié)至外殼），工作溫度范圍-55～+175℃。

SQM200N04-1m1L符合RoHS，通過(guò)100%的Rg和UIS測(cè)試。器件豐富和擴(kuò)展了通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列。