美高森美使用英特爾22 nm Tri-Gate晶體管技術(shù)進(jìn)行開發(fā)，預(yù)計(jì)于2014年底到2015年初提供產(chǎn)品

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布利用英特爾公司(INTC)業(yè)界領(lǐng)先的onshore代工技術(shù)和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術(shù)，開發(fā)先進(jìn)的高性能數(shù)字集成電路(IC)和系統(tǒng)級芯片(SoC)解決方案。

這項(xiàng)于2013年1月簽署的協(xié)議與美高森美的戰(zhàn)略相一致，將充分利用公司廣泛的高技術(shù)產(chǎn)品爭取更高性能和更高價(jià)值的機(jī)會。英特爾的Tri-Gate晶體管提供了空前的性能和功效組合，使得美高森美能夠開發(fā)出用于高性能計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)加速和信號處理應(yīng)用的數(shù)字IC產(chǎn)品。目前美高森美正在與客戶接洽，并且開始使用英特爾22 nm工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)行設(shè)計(jì)，預(yù)計(jì)將于2014年底到2015年初提供產(chǎn)品。

美高森美集成電路集團(tuán)執(zhí)行副總裁Paul Pickle表示：“我們所瞄準(zhǔn)的高價(jià)值應(yīng)用兼?zhèn)洫?dú)特的性能和復(fù)雜的功能特性的解決方案，通過使用英特爾的創(chuàng)新工藝技術(shù)和經(jīng)過硅產(chǎn)品驗(yàn)證的IP，能夠?yàn)橥ㄐ藕蛧朗袌鎏峁┬阅茌^高、功率較低的數(shù)字IC產(chǎn)品，擴(kuò)大所在服務(wù)市場的機(jī)會?！?/p>

(美高森美公司供稿)