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        基于噪聲抵消和線性度提高的差分LNA的設(shè)計

        2013-02-05 06:37:18何國榮
        微型電腦應(yīng)用 2013年3期

        紀 娜,何國榮

        0 引言

        低噪聲放大器(LNA)是射頻接收機前端的主要部件。由于其位于接收機前端,所以它需要有較低的噪聲系數(shù),并具有足夠的增益來抑制后面各級噪聲對系統(tǒng)的影響,同時要求有一定的線性度來保證不失真的接收射頻信號,另外為了達到功率最大傳輸或最小的噪聲系數(shù),LNA的輸入阻抗應(yīng)該與前端源阻抗匹配。

        由于電感負反饋的共源LNA優(yōu)越的噪聲特性,得到了廣泛的應(yīng)用[1-3]。共柵LNA能夠很容易地實現(xiàn)輸入阻抗的匹配,但是卻具有較差的噪聲性能[4],交叉耦合電容技術(shù)能夠降低共柵LNA結(jié)構(gòu)中的柵極對輸出端口的噪聲貢獻,從而優(yōu)化噪聲特性[5],然而在共源共柵 LNA中,共柵晶體管源端的寄生電容會對整個LNA的噪聲特性造成影響。本文中,引入一對電感與交叉耦合電容相連,消除了共柵極噪聲,一定程度上提高了LNA的線性度和增益。

        1 噪聲抵消

        本文設(shè)計了一種差分形式的LNA,電路圖如圖1所示:

        圖1 提出的LNA電路結(jié)構(gòu)

        Lg,Ls主要完成輸入端口的匹配,輸出端增加一個電阻Rd以提高電路的穩(wěn)定度,Rd,Ld,Cout1和Cout2完成輸出端口的匹配,Cb,Cout1用于隔離直流信號,Vdd是電源接點,Vb1、Vb2分別為 M1、M2提供偏置電壓。為了抵消共柵晶體管產(chǎn)生的噪聲,并提高LNA的線性度,在圖1的X點處引入一對交叉耦合的電容Cc,其電容值遠遠大于M2柵源極之間的寄生電容 Cgs2,并在 M2的柵極加入一對電感 Ladd,此改進技術(shù)如圖1中虛線所示[6]。

        在工作頻率ω0下,圖1中X點處的等效輸入電導(dǎo)為公式(1):

        其中g(shù)m2為M2的跨導(dǎo)。

        在ωCc遠遠大于ωCgs2-(1/ωLadd)的情況下,X點處的等效輸入電納為公式(2):

        其中Csb2為M2源極對襯底之間的寄生電容,Cgd1為M1柵漏極之間的寄生電容,Cdb1為M1漏極對襯底之間的寄生電容。當?shù)刃щ娂{等于0時,X點處的寄生電容效應(yīng)就可被消除,如公式(3):

        引入此技術(shù)后得到的LNA的噪聲系數(shù)為[6]公式(4):

        其中F1為M1的噪聲,F(xiàn)c為M2的噪聲,Rs為源阻抗,C2為M5與偏置相關(guān)的參數(shù),gd02為M2管零偏時的漏極電導(dǎo),ωT是截止頻率。

        由此可見,當滿足式(3)時,可使等效電納等于 0,從而共柵管的噪聲Fc可被消除掉[7]。

        2 線性度提高

        對于共源共柵結(jié)構(gòu)的LNA,線性度主要取決于共源級晶體管,然而當共源級的電壓增益較大時,共柵級將對整個LNA的線性度起主要影響。為了在高增益下得到較高的線性度,必須提高共柵級的線性度。引入交叉耦合電容和電感技術(shù)的 LNA就可消除共柵級對線性度的影響。改進后的LNA的輸出電流為公式(5)

        其中i1為共源級的輸出電流,Vgs2為 M2的柵源極間電壓,且公式(6)

        若滿足遠大于ωCc遠遠大于ωCgs2-(1/ωLadd)且電感Ladd和X點處的寄生電容在工作頻率處共振,如公式(7):

        進而得公式(8)

        可得出LNA的線性度只取決于共源級,共源級并不影響LNA的線性度。

        3 增益提高

        在輸入阻抗匹配的情況下,傳統(tǒng)的電感負反饋共源共柵結(jié)構(gòu)的LNA的增益為公式(9)

        其中公式(10)

        式中Qin為LNA輸入網(wǎng)絡(luò)的品質(zhì)因數(shù);Z0為LNA電路的輸出阻抗;CX是圖1中X點處的總寄生電容。當采用圖1虛線部分所示的技術(shù)后,共源結(jié)構(gòu)的LNA的增益變?yōu)楣剑?1)

        當BeffX等于0時,LNA的增益為公式(12)

        可以看出,與式(9)相比,增益得到了一定程度的提高。

        4 LNA仿真結(jié)果

        電路設(shè)計采用了 TSMC 0.18μm CMOS工藝庫,使用ADS2009軟件進行電路的仿真和優(yōu)化。小信號S參數(shù)如圖2所示:

        圖2(a)S11,S22隨頻率的變化關(guān)系

        圖2(b)S21,S12隨頻率的變化關(guān)系

        從圖中可以看出,在工作的中心頻率 2.45GHz處,S21為17.8dB,表現(xiàn)出較高的增益;S11和S22分別小于-30dB和-35dB,表明端口反射較??;S12小于-40dB,表明反向隔離度較高;噪聲系數(shù)隨頻率的變化曲線如圖3所示:

        圖3 噪聲系數(shù)隨頻率的變化關(guān)系

        在中心頻率點2.45GHz的噪聲系數(shù)為 1.3dB;使用雙音測量法測量輸入三階交調(diào)點IIP3,輸入射頻功率為-40dBm,輸出頻譜如圖4所示:

        圖4 雙音測量法輸出頻譜

        可得IIP3=-40+(-25.9-(-104.1))/2=-0.9dBm,表現(xiàn)出電路較高的線性度,在 1.8V電源電壓供電的情況下,功耗為9.36mW,小于10mW。

        5 結(jié)論

        設(shè)計了一個中心頻率為 2.45GHz的差分低噪聲放大器。主要考慮傳統(tǒng)的共源共柵結(jié)構(gòu) LNA的共柵級對 LNA的噪聲、增益和線性度的影響。通過在共柵級上引入一對交叉耦合電容和電感,以消除共柵級的噪聲并提高放大器的線性度和增益。仿真結(jié)果顯示,在 2.45GHz時,整個電路能夠提供 17.8dB的正向功率增益,噪聲系數(shù)為 1.3dB,IIP3為-0.9dBm,直流功耗 9.36mW,同時輸入輸出匹配和反向隔離性能良好。

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        [7]劉華珠,賀前華.基于噪聲相消和線性度提高的低噪聲放大器 [J].華中科技大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版).2009,37(3): 43-45.

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