麻省理工微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室宣布采用砷鎵銦化合物制造出了史上最小的晶體管，其厚度僅為22 nm。合作開(kāi)發(fā)人員和麻省理工學(xué)院的教授 Jesú del Alamo稱(chēng)，采用砷化銦鎵能夠制造出極小的MOSFET，由于同時(shí)擁有極佳的邏輯性能，可保證在硅達(dá)到極限后維持摩爾定律的發(fā)展。

研究人員先采用分子束外延技術(shù)生長(zhǎng)一層砷鎵銦單晶，然后沉積一層鉬作為源極和漏極接觸金屬。然后采用電子束光刻在襯底上刻蝕出圖案，并將蒸發(fā)鉬打到表面形成柵極，緊貼在源極和漏極中間。這些技術(shù)雖然被廣泛應(yīng)用于硅基半導(dǎo)體制造，但很少被用在化合物半導(dǎo)體晶體管上。這是因?yàn)榇饲盎衔锇雽?dǎo)體通常被用于光通信領(lǐng)域，對(duì)空間要求較低。