本刊資料室
由中國科學院物理研究所和清華大學物理系的科研人員組成的聯(lián)合攻關(guān)團隊,經(jīng)過數(shù)年不懈探索和艱苦攻關(guān),最近成功實現(xiàn)了“量子反?;魻栃?yīng)”.這是國際上該領(lǐng)域的一項重要科學突破.
1879年 美國物理學家霍爾(A.H.Hall,1855~1938)在研究金屬的導電機制時發(fā)現(xiàn),在一個通有電流的導體中,如果施加一個垂直于電流方向的磁場,在垂直于電流和磁場方向的導體兩端將產(chǎn)生電壓,這個現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng).霍爾效應(yīng)是由于磁場的洛倫茲力作用使電子的運動產(chǎn)生偏轉(zhuǎn),在導體兩端分別聚集了正、負電荷而形成.霍爾效應(yīng)的電壓被稱為霍爾電壓,霍爾電壓與施加的電流之比則被稱為霍爾電阻.由于洛倫茲力的大小與磁場成正比,所以,霍爾電阻也與磁場成線性變化關(guān)系.利用霍爾效應(yīng)制成的元件稱為霍爾元件,其在工程技術(shù)中有廣泛的應(yīng)用.
圖1 霍爾效應(yīng)的原理
在霍爾效應(yīng)發(fā)現(xiàn)約100年后,德國物理學家克利青(Klaus von Klitzing, 1943~ )等在研究極低溫度和強磁場中的半導體時發(fā)現(xiàn)了量子霍爾效應(yīng),克利青為此獲得了1985年的諾貝爾物理學獎. 之后,美籍華裔物理學家崔琦(1939~ )和美國物理學家勞克林(R.B.Laughlin,1950~ )、施特默(H.L. Strmer,1949~ )在更強磁場下研究量子霍爾效應(yīng)時發(fā)現(xiàn)了分數(shù)量子霍爾效應(yīng),這個發(fā)現(xiàn)使人們對量子現(xiàn)象的認識更進一步,他們?yōu)榇双@得了1998年的諾貝爾物理學獎.
量子霍爾效應(yīng)與普通霍爾效應(yīng)的主要區(qū)別在于,普通霍爾效應(yīng)中,電子運動是雜亂無章的、無序的,不斷發(fā)生碰撞而發(fā)熱;量子霍爾效應(yīng)中電子運動則是有序的,也就是說,量子霍爾效應(yīng)能解決電子碰撞發(fā)熱的問題,據(jù)此設(shè)計新一代大規(guī)模集成電路和元器件,將會具有極低的能耗.
盡管前景誘人,但量子霍爾效應(yīng)的實現(xiàn)需要一個非常強的外加磁場,這就極大地限制了它的應(yīng)用可能性.因此,找到一種不需要外加磁場的量子霍爾效應(yīng)就成為現(xiàn)代物理學研究的下一個目標.
1988年,美國物理學家霍爾丹(F. Duncan M. Haldane)曾提出可能存在不需要外磁場的量子霍爾效應(yīng).不需要外加磁場的量子霍爾效應(yīng)稱為量子反常霍爾效應(yīng),它與普通的霍爾效應(yīng)有本質(zhì)上的不同,因為這里不存在外磁場對電子的洛倫茲力而產(chǎn)生的運動軌道偏轉(zhuǎn).反?;魻栯妼怯捎诓牧媳旧淼淖园l(fā)磁化而產(chǎn)生的,因此是一類新的重要物理效應(yīng).但是多年來一直未能找到能實現(xiàn)這一特殊量子效應(yīng)的材料體系和具體物理途徑.2010年,中科院物理所方忠、戴希帶領(lǐng)的團隊與復旦校友、美國斯坦福大學教授張首晟教授等合作,從理論與材料設(shè)計上取得了突破,他們提出Cr或Fe磁性離子摻雜的Bi2Te3,Bi2Se3,Sb2Te3族拓撲絕緣體中存在著特殊的V.Vleck鐵磁交換機制,能形成穩(wěn)定的鐵磁絕緣體,是實現(xiàn)量子反?;魻栃?yīng)的最佳體系.他們的計算表明,這種磁性拓撲絕緣體多層膜在一定的厚度和磁交換強度下,即處在“量子反常霍爾效應(yīng)”態(tài).該理論與材料設(shè)計的突破引起了國際上的廣泛興趣,世界許多頂級實驗室都爭相投入到這場競爭中來,沿著這個思路尋找量子反?;魻栃?yīng).但一直沒有取得突破.
圖2 量子反常霍爾效應(yīng)的示意圖,拓撲非平庸的能帶結(jié)構(gòu)產(chǎn)生具有手征性的邊緣態(tài),從而導致量子反?;魻栃?yīng)
在磁性摻雜的拓撲絕緣體材料中實現(xiàn)“量子反常霍爾效應(yīng)”,對材料生長和輸運測量都提出了極高的要求,即材料必須具有鐵磁長程有序;鐵磁交換作用必須足夠強以引起能帶反轉(zhuǎn),從而導致拓撲非平庸的能帶結(jié)構(gòu);同時,體內(nèi)的載流子濃度必須盡可能地低.中科院物理所何珂、呂力、馬旭村、王立莉、方忠、戴希等組成的團隊和清華大學物理系薛其坤、張首晟、王亞愚、陳曦、賈金鋒等組成的團隊合作攻關(guān),用了4年多時間,克服了薄膜生長、磁性摻雜、門電壓控制、低溫輸運測量等多道難關(guān),一步一步實現(xiàn)了對拓撲絕緣體的電子結(jié)構(gòu)、長程鐵磁序以及能帶拓撲結(jié)構(gòu)的精密調(diào)控,利用分子束外延方法生長出了高質(zhì)量的Cr摻雜(Bi,Sb)2Te3拓撲絕緣體磁性薄膜,并在極低溫(30 mK)輸運測量裝置上成功地觀測到了“量子反?;魻栃?yīng)”.該結(jié)果于2013年3月14日在Science上在線發(fā)表,清華大學和中科院物理所為共同第一作者單位.
量子反?;魻栃?yīng)與已知的量子霍爾效應(yīng)具有完全不同的物理本質(zhì),是一種全新的量子效應(yīng),因而,量子反常霍爾效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)將極大加深與拓展人類對微觀世界特征的認識.量子反?;魻栃?yīng)的發(fā)現(xiàn),使人類有可能發(fā)展新一代的小型、低耗、高速電子器件,從而解決電腦發(fā)熱和摩爾定律的瓶頸問題.因此,量子反常霍爾效應(yīng)的應(yīng)用,可能把信息技術(shù)發(fā)展推向一個新的階段.不過,量子反常霍爾效應(yīng)目前是在極低溫度(30 mK)下實現(xiàn)的,因此,量子反常霍爾效應(yīng)的真正應(yīng)用,可能還有很長的科學路程.