【摘 要】 本文針對(duì)如何有效實(shí)施芯片車間工藝設(shè)備二次配工程進(jìn)行了多方位分析,從對(duì)工藝流程的理解,到對(duì)工藝設(shè)備的需求條件分析,以及針對(duì)特殊管路安裝的掌握、特殊配件的備貨、一次工程的掌握、進(jìn)度的會(huì)議要點(diǎn)及施工保證措施等,進(jìn)行了分析和闡述。多方位的論述如何有效實(shí)施芯片生產(chǎn)車間工藝設(shè)備二次配工程。
【關(guān)鍵詞】 二次配 芯片 工藝設(shè)備 點(diǎn)位進(jìn)度會(huì)議
引言
芯片車間二次配工程的質(zhì)量、安全、進(jìn)度直接影響到工藝設(shè)備的調(diào)試、芯片車間的投產(chǎn)以及其產(chǎn)能的提高效率。因此,有效實(shí)施芯片車間工藝設(shè)備二次配工程對(duì)于客戶至關(guān)重要,而對(duì)于專業(yè)承包商來(lái)說(shuō),更需潛心研究、策劃,使得二次配工程快速、有效完成。
由于芯片車間的工藝設(shè)備大部分為進(jìn)口,且需求條件復(fù)雜,給二次配工程造成困難。下面就某芯片廠二次配工程中遇到的一些問(wèn)題以及解決方案進(jìn)行探討,以供類似工廠二次配參考借鑒。
1 熟悉芯片生產(chǎn)工藝流程
對(duì)于芯片車間工藝設(shè)備二次配而言,專業(yè)承包商首先應(yīng)該熟悉掌握的是工藝生產(chǎn)流程,這對(duì)于工藝設(shè)備二次配而言,起著至關(guān)重要的作用。生產(chǎn)工藝流程決定了車間的平面布局以及工藝設(shè)備空間位置,有利于提前對(duì)二次配管線進(jìn)行規(guī)劃和管理,提高二次配的工作效率。
芯片生產(chǎn)工藝流程大致分為11個(gè)步驟,即:(如圖1)
1.1 硅片的來(lái)源
硅片一般是由晶棒進(jìn)行切割而來(lái),根據(jù)要求切割成硅片薄片。
1.2 清洗
芯片在加工前需進(jìn)行清洗,清洗設(shè)備通常為柵氧化清洗機(jī) 和氧化擴(kuò)散清洗機(jī)。
1.3 氧化
氧化過(guò)程就是把清洗干凈并通過(guò)離心甩干的硅片板送入高溫爐管內(nèi)進(jìn)行退火處理,爐管內(nèi)溫度800-1500 ℃。
1.4 淀積
淀積系統(tǒng)就是在硅片表面形成具有良好的臺(tái)階覆蓋能力、良好的接觸及均勻的高質(zhì)量金屬薄膜的設(shè)備系統(tǒng)。
1.5 光刻
光刻就是在硅片上涂上對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì),當(dāng)遇紫外光時(shí)則變軟。通過(guò)控制遮光物的位置得到芯片的外形。即在硅晶片涂上光致蝕劑,使得其遇紫外光就會(huì)溶解,在光刻機(jī)的曝光作用下,紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。
1.6 刻蝕
刻蝕就是以化學(xué)蝕刻的方法或用干法氧化法,去除氮化硅和去掉經(jīng)上幾道工序加工后在硅片表面因加工應(yīng)力而產(chǎn)生的一層損傷層的過(guò)程。
1.7 二次清洗
二次清洗就是將加工完成的硅片需要再次經(jīng)過(guò)強(qiáng)酸堿清洗、甩干,去除硅片板上的光刻膠。
1.8 離子注入
離子注入就是將刻蝕后的芯片放入大束、中束流注入機(jī)將硼離子 (B+3) 透過(guò) SiO2 膜注入襯底,形成 P 型阱;去除氮化硅層,摻雜磷 (P+5) 離子,形成 N 型阱。
1.9 快速退火
快速退火就是從離子注入機(jī)中取出硅片放入快速退火爐中進(jìn)行退火處理,去除 SiO2 層。與離子注入工藝根據(jù)需要反復(fù)循環(huán)進(jìn)行。
1.10 蒸鍍
薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同,厚度通常小于 1um 。分真空蒸發(fā)法和濺鍍法。
1.11 檢測(cè)
檢測(cè)就是進(jìn)行最終全面的檢驗(yàn)以保證產(chǎn)品最終達(dá)到規(guī)定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術(shù)指標(biāo)。最后將單個(gè)的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接,以作為與外界電路板連接之用,最后蓋上塑膠蓋板,用膠水封死。
1.12 包裝
將成品用柔性材料,分隔、包裹、裝箱,準(zhǔn)備發(fā)往訂貨客戶。
通過(guò)對(duì)芯片生產(chǎn)工藝的熟悉和掌握,使我們對(duì)工藝的理解更加深刻,從而使我們對(duì)工藝設(shè)備的特殊要求也有了深入的理解。但是,對(duì)于有效實(shí)施二次配工程尚需對(duì)工藝設(shè)備的需求條件清楚且深刻理解和掌握,對(duì)于工藝設(shè)備的接入條件以及界面接口形式熟悉和掌握,這樣,才能在保證工程質(zhì)量和安全的條件下,高效、快速的完成二次配工程。
下面我們就以上工藝設(shè)備的工藝需求條件進(jìn)行仔細(xì)分析,對(duì)于接入接口形式進(jìn)行圖解,以利于同類二次配工程的有效實(shí)施。
2 掌握芯片生產(chǎn)工藝設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
對(duì)于工藝設(shè)備需求條件的理解和掌握,對(duì)于有效實(shí)施二次配工程起著非常重要的作用,不但可以為材料的供給提供幫助,而且對(duì)于施工方案的優(yōu)化以及施工進(jìn)度的提高有著促進(jìn)作用。
2.1 芯片清洗設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
動(dòng)力需求內(nèi)容以及管線材質(zhì)要求:
DI—PVDF/PPH/PFA(去離子水)
PCW—SUS304AP(冷卻循環(huán)水)
CDA—SUS304BA(壓縮空氣)
GN2—SUS316BA(潔凈氮?dú)猓?/p>
WS—SCH-80 UPVC
特氣—SUS316EP
化學(xué)品—CLPVC/PFA雙層
AES/ALE—SCH-80 UPVC
電源—3P/380V/152A/5線
此設(shè)備連接的管線比較多,且連接接口多樣,因此注意以下兩點(diǎn):
1) 管道與設(shè)備之間的轉(zhuǎn)換街頭應(yīng)及時(shí)進(jìn)行訂貨,否則會(huì)影響二次配管工程的進(jìn)度。
2) 由于其管線繁多,空間管理非常重要,因此提前必須進(jìn)行空間布局的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2.2 氧化退火設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
動(dòng)力需求內(nèi)容以及管線材質(zhì)要求:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
GO2—SUS316BA
H2—SUS316BA
特氣—SUS316EP
HES—SUS304AP
電源—3P/380V/295A/5線
此設(shè)備連接特氣管線比較多,且接口形式多樣,因此注意以下兩點(diǎn):
1) 各種接頭應(yīng)及時(shí)備貨,以便快速進(jìn)行二次配管。
2) 由于其管線繁多,空間管理非常重要,因此提前必須進(jìn)行空間布局的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2.3 淀積設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
動(dòng)力需求內(nèi)容以及管線材質(zhì)要求:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
GO2—SUS316BA
H2—SUS316BA
GV—SUS304BA
GF—SUS304BA
特氣—SUS316EP
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
電源—3P/380V/295A/5線
淀積系統(tǒng)工藝設(shè)備二次配特殊配件包括:ISO法蘭組件、ISO法蘭密封圈、ISO法蘭、ISO接口波紋軟接、KF卡箍。
此設(shè)備內(nèi)部連接管路復(fù)雜,且特殊配件多,因此注意以下兩點(diǎn):
1) 內(nèi)部配管的方案應(yīng)提前進(jìn)行策劃,且空間管理應(yīng)考慮可拆卸性以及安全性。
2) 特殊配件需提前制定采購(gòu)方案,確保二次配工程的順利進(jìn)行。
2.4光刻設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
動(dòng)力需求內(nèi)容以及管線材質(zhì)要求:
曝光機(jī)需求內(nèi)容:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
Ar—SUS316BA
PV—SUS304
特氣—SUS316EP
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
電源—3P/380V/55A/5線
涂膠顯影需求內(nèi)容:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
Ar—SUS316BA
PV—SUS304
DI—PVDF/PP-H/PFA
特氣—SUS316EP
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
電源—3P/380V/90A/5線
光刻機(jī)需求內(nèi)容:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
PV—SUS304
WS—SCH-80UPVC
特氣—SUS316EP
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
電源—3P/380V/90A/5線
線寬測(cè)試儀需求內(nèi)容:
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
PV—SUS304
F1—SCH-80UPVC
電源—3P/380V/35A/5線
此處設(shè)備內(nèi)部連接管路復(fù)雜,設(shè)計(jì)工作層以及下夾層內(nèi)部設(shè)備的連接,且管線比較多,因此注意以下兩點(diǎn):
1) 供氣閥組的布局應(yīng)合理且滿足使用要求。
2) 內(nèi)部連接的管路應(yīng)提前做好施工方案,有利于空間布局合理。
2.5 刻蝕設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
刻蝕設(shè)備需求內(nèi)容:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
GO2—SUS316BA
PV—SUS304
GV—SUS304BA
GF—SUS304BA
DI—PVDF/HH-P/PFA
特氣—SUS316EP
WS—SCH-80UPVC
CW—SUS304
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
電源—3P/380V/200A/5線
PCW—SUS304AP
此處設(shè)備主要涉及工藝循環(huán)冷卻水和工藝真空管路比較多,PCW管路共計(jì)36組,工藝真空涉及17臺(tái),連接管路復(fù)雜,設(shè)計(jì)工作層以及下夾層內(nèi)部設(shè)備的連接,且管線比較多。因此注意以下兩點(diǎn):
1) 因?yàn)檎婵毡貌糠址旁趭A層,配管難度增加,故需對(duì)空間布局提前進(jìn)行合理安排。
2) PCW管路特別多,因此采用軟管進(jìn)行連接,可以有效提高施工進(jìn)度。
3) 合理安排施工次序,有效提高施工效率。
4) 由于大部分管線在室內(nèi)布置,因此二次配既要保證功能使用要求,又要滿足潔凈室使用要求。
2.6 二次清洗設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
二次清洗設(shè)備需求內(nèi)容:
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
DI—PVDF/HH-P/PFA
W S—SCH-80UPVC
CW—SUS304
HES—SUS304AP
電源—3P/380V/32A/5線
此設(shè)備比較大,為方便調(diào)節(jié)介質(zhì)使用量,因此,配管主要在管道夾道里進(jìn)行。主要考慮夾道管線的合理布局。
2.7 離子注入設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
離子注入設(shè)備需求內(nèi)容:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
Ar—SUS316BA
G V—SUS304BA
GF—SUS304BA
DI—PVDF/HH-P/PFA
W S—SCH-80UPVC
HES—SUS304AP
F1—SCH-80UPVC
電源—3P/380V120A/5線
離子注入設(shè)備的二次配管主要集中在設(shè)備的側(cè)面,
2.8 快速退火設(shè)備的需求條件以及二次配詳解
快速退火設(shè)備需求內(nèi)容:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
PV—SUS304BA
F1—SCH80 PVC
電源—3P/380V/120A/5線
此處主要是排氣管路的布置和連接,詳見(jiàn)下圖。
2.9 蒸鍍?cè)O(shè)備的需求條件以及二次配詳解
蒸鍍?cè)O(shè)備一般需求內(nèi)容:
PCW—SUS304AP
CDA—SUS304BA
GN2—SUS316BA
Ar—SUS316BA
特氣—SUS316EP
G V—SUS304BA
GF—SUS304BA
FV—SCH-80UPVC
電源—3P/380V/63A/5線
此設(shè)備管線比較復(fù)雜,且接口形式特殊,連接時(shí)需要轉(zhuǎn)換,并且需要使用專用軟管進(jìn)行連接。
2.10 特氣站布置以及特氣管路的二次設(shè)計(jì)
此類芯片生產(chǎn)車間需要使用特氣,而特氣站的配備以及特氣輸配管路的二次設(shè)計(jì)優(yōu)劣直接影響二次配工程以及設(shè)備的調(diào)試作業(yè)。
因此,需要提前進(jìn)行特氣站以及輸配管里的二次設(shè)計(jì),經(jīng)過(guò)二次設(shè)計(jì)后,施工后圖片詳見(jiàn)下圖:
3 特殊管路重點(diǎn)關(guān)注
3.1 SUS304BA管
由于此類管路主要用于輸送高純氣體以及特殊氣體管路,因此必須嚴(yán)格按照施工工法進(jìn)行施工,采用軌道氬弧焊機(jī),并在焊接前進(jìn)行焊接式樣,確保焊接的質(zhì)量。
同時(shí)焊接設(shè)備還應(yīng)有備用措施,確保在焊接高峰期時(shí)保證工期的需要。
3.2 PVDF管
此類管路主要用于高純水的輸配,對(duì)工藝生產(chǎn)影響嚴(yán)重,而此類管路的連接主要使用專用紅外焊機(jī)進(jìn)行焊接,必須經(jīng)過(guò)培訓(xùn)方能上崗,以確保焊接質(zhì)量。
同時(shí),焊接完成應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)試驗(yàn),確保管路的清潔。
3.3 雙層管
此類管路主要用于排放化學(xué)品廢液,因此其施工必須進(jìn)過(guò)培訓(xùn)并在施工后進(jìn)行相應(yīng)試驗(yàn),確保零風(fēng)險(xiǎn)。
3.4 SCH80 PVC管
此類管路主要輸送酸堿廢液,因此,其粘接的可靠性對(duì)于酸堿廢液排放來(lái)說(shuō)至關(guān)重要,應(yīng)重點(diǎn)對(duì)其施工要點(diǎn)進(jìn)行培訓(xùn)。
4 特殊配件的備貨
由于芯片車間工藝設(shè)備大部分為進(jìn)口舊設(shè)備,其接口形式多樣,且部分配件丟失脫落,需要重新進(jìn)行配備。
比如常用的接口形式為焊接、法蘭、VCR、卡套等連接形式,但是,也有ISO法蘭連接、PVDF/PFA轉(zhuǎn)換接頭等形式,這些配件有些尚需進(jìn)口,有時(shí)會(huì)因?yàn)槟硞€(gè)配件不足而影響工程進(jìn)度。
因此,在充分了解此類工藝設(shè)備的情況下,需要對(duì)各種連接形式的配件進(jìn)行充足的備貨,以確保二次配工期的需要。
5 充分了解一次配
二次配的界面范圍主要是一次配預(yù)留點(diǎn)至工藝設(shè)備接入點(diǎn)。因此,對(duì)一次配了解的深度直接影響二次配的質(zhì)量和進(jìn)度。
在二次配開(kāi)始之前,應(yīng)根據(jù)二次配的需求組織進(jìn)行一次配的圖紙會(huì)審,主要核查一次配的預(yù)留點(diǎn)數(shù)是否足夠,接口管徑是否滿足,位置如何分配等。
同時(shí),應(yīng)根據(jù)核查結(jié)果進(jìn)行反饋和修正,并進(jìn)行二次配的初步方案設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)主要內(nèi)容包括管材管件的選擇、管路的空間布局、控制閥門的設(shè)置、計(jì)量設(shè)備的設(shè)置等,在確定好初步方案后,以便進(jìn)行各類閥門、管件的備貨。
6 建立二次配進(jìn)度定期會(huì)議
由于工藝設(shè)備的可計(jì)量性,點(diǎn)位的可確定性,因此二次配的進(jìn)度一般來(lái)說(shuō)主要以點(diǎn)位來(lái)計(jì),在召開(kāi)定期會(huì)議時(shí)主要有以下幾個(gè)要點(diǎn):
1) 工藝設(shè)備的進(jìn)場(chǎng)時(shí)間以及MOVE IN時(shí)間和定位時(shí)間;
2) 甲乙雙方對(duì)已定位設(shè)備二次配點(diǎn)的確認(rèn)時(shí)間;
3) 確定好的點(diǎn)位每日完成數(shù)量以及完成時(shí)間;
4) 二次配各種材料的到貨時(shí)間。
基于以上幾個(gè)時(shí)間點(diǎn),對(duì)二次配的進(jìn)度起著決定性作用。
7 建立行之有效的安全、質(zhì)量、環(huán)境管理體系
在潔凈室內(nèi),二次配施工的成品保護(hù)尤為重要,一次配已經(jīng)完成,應(yīng)建立完善的成品保護(hù)措施,確保二次施工不破壞一次,確保工程的質(zhì)量。
潔凈室環(huán)境已經(jīng)建立,因此,進(jìn)入潔凈室進(jìn)行二次配施工應(yīng)嚴(yán)格遵守潔凈室的管理規(guī)定,做到無(wú)塵化作業(yè)。
只有建立行之有效的安全、質(zhì)量、環(huán)境管理體系,方能確保二次配的順利進(jìn)行。
結(jié)束語(yǔ)
通過(guò)對(duì)芯片生產(chǎn)工藝流程的了解和熟悉,各個(gè)工藝階段設(shè)備的二次配需求的掌握,有效促進(jìn)二次配工程的進(jìn)展,提高二次配的實(shí)施質(zhì)量。
特殊管路施工工藝的培訓(xùn)掌握、特殊配件的充足備貨、對(duì)一次配的充分掌握、定期的點(diǎn)位進(jìn)度會(huì)議,輔以行之有效的安全、質(zhì)量、環(huán)境管理體系,對(duì)工藝設(shè)備二次配有效的進(jìn)行奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
同時(shí),希望以上觀點(diǎn)和方法對(duì)類似車間二次配工程有借鑒作用。