盧銀東, 凌宗欣, 趙晶晶
(1.中國電子科技集團 第55研究所,江蘇 南京210016;2.南京航空航天大學(xué) 材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,江蘇 南京211100;
3.蘇州春興精工股份有限公司,江蘇 蘇州 215121)
無氰化學(xué)鍍金工藝的研究
盧銀東1, 凌宗欣2,3, 趙晶晶2
(1.中國電子科技集團 第55研究所,江蘇 南京210016;2.南京航空航天大學(xué) 材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,江蘇 南京211100;
3.蘇州春興精工股份有限公司,江蘇 蘇州 215121)
研究了亞硫酸鹽/硫代硫酸鹽復(fù)合體系下,2-巰基苯并噻唑(2-MBT)對鍍液穩(wěn)定性的影響,以及乙二胺對鍍速、鍍層厚度的影響。結(jié)果表明:2-MBT的存在有利于提高鍍液穩(wěn)定性;鍍速與鍍層厚度均隨著乙二胺的質(zhì)量濃度的增加而增大。
無氰;化學(xué)鍍金;2-巰基苯并噻唑;乙二胺
化學(xué)鍍是指不依賴外加電流,而是依靠金屬的催化作用,通過可調(diào)控的氧化還原作用,使鍍液中的金屬離子沉積到鍍件上的方法。與電鍍相比,化學(xué)鍍具有鍍層均勻、致密、孔隙率低,分散能力好,無明顯的邊緣效應(yīng),可以在非金屬表面(如塑料、玻璃、陶瓷及半導(dǎo)體等)上形成鍍層,工藝設(shè)備簡單等優(yōu)點。
化學(xué)鍍金層具有良好的耐蝕性、導(dǎo)電性、可焊性和裝飾性等性能,目前已被廣泛應(yīng)用于集成電路的框架引線、宇宙空間技術(shù)、尖端軍事設(shè)備以及裝飾等領(lǐng)域[1-6]。1950年,美國通過了第一個化學(xué)鍍金專利。近年來,化學(xué)鍍金技術(shù)發(fā)展迅速?;瘜W(xué)鍍金按工藝的不同可分為氰化物鍍金、亞鐵氰化鉀鍍金、低氰酸性鍍金及無氰化學(xué)鍍金等。傳統(tǒng)的化學(xué)鍍金工藝使用劇毒的氰化物,且在高溫和強堿性條件下操作,容易剝離掩蔽電路用的耐鍍層,侵蝕陶瓷基板。無氰化學(xué)鍍金具有無污染、作業(yè)環(huán)境安全、廢液處理的經(jīng)濟成本低等優(yōu)點,已成為化學(xué)鍍金發(fā)展的一個重要方向。在無氰化學(xué)鍍金體系中,亞硫酸鹽或硫代硫酸鹽單獨作為配位劑的鍍金液體系不穩(wěn)定,使其應(yīng)用受到限制。無氰化學(xué)鍍金液的穩(wěn)定性問題現(xiàn)已成為無氰鍍金領(lǐng)域研究的重點。本文介紹了亞硫酸鹽/硫代硫酸鹽復(fù)合體系下,以2-巰基苯并噻唑(2-MBT)為穩(wěn)定劑,以乙二胺為促進劑的無氰化學(xué)鍍金工藝。
NaAuCl43g/L,Na2SO312g/L,Na2S2O324 g/L,L-抗 壞 血 酸 鈉 40g/L,Na2HPO410g/L,NaH2PO45g/L,2-MBT 1mg/L,乙二胺0~620 mg/L,pH 值6.8,60℃。
表1為不同條件下生成金沉淀物的時間變化。由表1可知:當(dāng)乙二胺的質(zhì)量濃度為320mg/L,不含2-MBT時,鍍液穩(wěn)定性差,鍍30min即生成金沉淀物;而當(dāng)乙二胺的質(zhì)量濃度為320mg/L,含有2-MBT時,鍍液穩(wěn)定性好,鍍7天后才產(chǎn)生金沉淀物。表明2-MBT的存在對提高鍍液穩(wěn)定性有重要的作用。此外,在含有2-MBT的鍍液中,鍍液出現(xiàn)金沉淀物的時間隨乙二胺的質(zhì)量濃度的增加而變短,表明鍍液穩(wěn)定性隨乙二胺的質(zhì)量濃度的增加而降低。
表1 不同條件下生成金沉淀物的時間變化
表2為乙二胺的質(zhì)量濃度對鍍速的影響,施鍍時間為6h。由表2可知:鍍速隨著乙二胺的質(zhì)量濃度的增加而增大;當(dāng)乙二胺的質(zhì)量濃度大于320 mg/L時,鍍速保持不變。
表2 乙二胺的質(zhì)量濃度對鍍速的影響
表3為乙二胺的質(zhì)量濃度對鍍層厚度的影響,施鍍時間為3h。由表3可知:隨著乙二胺的質(zhì)量濃度的增加,鍍層厚度不斷增大。
表3 乙二胺的質(zhì)量濃度對鍍層厚度的影響
無氰化學(xué)鍍金液具有無毒、作業(yè)環(huán)境安全、對環(huán)境友好以及工藝條件簡單等優(yōu)點,是未來鍍金發(fā)展的一個重要方向。往鍍液中添加2-巰基苯并噻唑(2-MBT)可以大大提高鍍液的穩(wěn)定性,有利于鍍液的長期反復(fù)操作。鍍液中乙二胺的質(zhì)量濃度對提高鍍速及鍍層厚度有重要的影響,從而大大提高了鍍金效率。目前對無氰化學(xué)鍍金機理的研究存在爭議,尚未統(tǒng)一[7-11]。這一問題有待于后期實踐研究來解決。隨著無氰化學(xué)鍍金機理研究的深入和生產(chǎn)工藝的成熟,亞硫酸鹽/硫代硫酸鹽復(fù)合體系下的無氰化學(xué)鍍金因其在生產(chǎn)實踐中的優(yōu)越性必將在PCB等電子產(chǎn)品領(lǐng)域中得到越來越廣泛的應(yīng)用。
[1] 李寧.化學(xué)鍍實用技術(shù)[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2004:342.
[2] 蔡積慶.無氰化學(xué)鍍金[J].電鍍與環(huán)保,1997,17(3):14-16.
[3] 遲蘭洲,胡文成,陳瑞生.無氰化學(xué)鍍金鍍速及穩(wěn)定性的研究[J].表面技術(shù),1994,23(1):12-15.
[4] 黃子勛.實用電鍍技術(shù)[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2002:115.
[5] 賈敬銀,辛文利,梁國正,等.無氰電刷鍍金技術(shù)在航天工業(yè)中的應(yīng)用[J].表面技術(shù),2002,31(5):42-44.
[6] 曹人平,肖式民.無氰鍍金工藝的研究[J].電鍍與環(huán)保,2006,26(1):11-14.
[7] Matsuoka M,Imanishi S,Sahara M,etal.Heavy deposition of electroless gold[J].Plating and Surface Finishing,1988,75(5):102-106.
[8] Okinaka Y,Wolowodiuk C.Electroless gold deposition:Replenishment of bath constituents[J].Plating and Surface Finishing,1971,58(11):1 080-1 084.
[9] Iacovangelo C D.Autocatalytic electroless gold deposition using hydrazine and dimethylamine borane as reducing agents[J].Journal of the Electrochemical Society,1991,138(4):976-982.
[10] Iacovangelo C D, Zarnoch K P. Substrate-catalyzed electroless gold plating [J].Journal of the Electrochemical Society,1991,138(4):983-988.
[11] Vorobyova T N,Poznyak S K,Rimskaya A A,etal.Electroless gold plating from a hypophosphite-dicyanoaurate bath[J].Surface and Coatings Technology,2004,176(3):327-336.
A Study of Non-cyanide Electroless Gold Plating
LU Yin-dong1, LING Zong-xin2,3, ZHAO Jing-jing2
(1.No.55Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Nanjing 210016,China;2.College of Material Science and Technology,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics,Nanjing 211100,China;3.Suzhou Chunxing Precision Mechanical Co.,Ltd.,Suzhou 215121,China)
The effects of 2-mercaptobenzothiazole(2-MBT)on the bath stability as well as ethylenediamine on the plating speed and coating thickness under the sulfite/thiosulfate combination system were investigated.The results show that the presence of 2-MBT is conductive to improving the bath stability.Both plating speed and coating thickness increase with the increasing of the concentration of ethylenediamine.
non-cyanide;electroless gold plating;2-mercaptobenzothiazole;ethylenediamine
TQ 153
A
1000-4742(2012)04-0027-02
2011-04-18