姜生瑞,郭利芳, 張穎斐
(蘭州交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院, 甘肅蘭州 730070)
基準(zhǔn)電壓是集成電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要部分,特別是在高精度電壓比較器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),以及A/D和 D/A轉(zhuǎn)換器等中,基準(zhǔn)電壓隨溫度和電源電壓波動(dòng)而產(chǎn)生的變化將直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的性能。因此,在高精度的應(yīng)用場合,擁有一個(gè)具有低溫度系數(shù)、高電源電壓抑制的基準(zhǔn)電壓是整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的前提。
傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)由于僅對(duì)晶體管基—射極電壓進(jìn)行一階的溫度補(bǔ)償,忽略了曲率系數(shù)的影響,產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓和溫度仍然有較大的相干性,所以輸出電壓溫度特性一般在20 ppm/℃以上,無法滿足高精度的需要。本文基于帶隙基準(zhǔn)的原理,提出一種結(jié)構(gòu)較簡單、溫度系數(shù)較低的bipolar工藝的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。
帶隙電壓基準(zhǔn)的基本原理是:利用具有負(fù)溫度系的VBE和具有正溫度此系數(shù)的不同發(fā)射結(jié)電流密度下的兩個(gè)基射結(jié)電壓之差△VBE。將兩者線性疊加,在理論上可以在某個(gè)溫度點(diǎn)得到零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。
例如,電壓V+擁有正溫度系數(shù),電壓V-擁有負(fù)溫度系數(shù),存在合適的權(quán)重α和β滿足:
這樣就得到具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓,其原理圖如圖1所示。
基準(zhǔn)電壓的基本表達(dá)式為[4]:
圖1 帶隙基準(zhǔn)電源的基本原理
①功耗
功耗它是衡量電路在正常工作下消耗電流多少的一個(gè)參數(shù)。為了獲得更小的噪聲以及更快的響應(yīng)速度,都需要增加功耗。然而芯片由于應(yīng)用的要求,以及散熱條件的限制,其功耗也是受到限制的。因此每個(gè)單元電路都會(huì)有相應(yīng)的功耗要求[1]。
②溫漂系數(shù)是用來衡量基準(zhǔn)電壓的輸出電壓隨溫度變化的一個(gè)性能參數(shù),單位為ppm/℃(1ppm=10-6),表示當(dāng)溫度變化1℃時(shí),輸出電壓變化的百分比。表達(dá)式可以表示為[1]:
其中,Vmax、Vmin分別為基準(zhǔn)電壓的最大值和最小值;Vmean為基準(zhǔn)電壓的平均值;Tmax和Tmin分別為溫度的最大值和最小值。
③電源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)
電源抑制比是反映因電源電壓的變化而引起的輸出電壓的變化,一般用分貝(dB)來表征。電源抑制比的定義是電源電壓變化率與輸出電壓變化率的比值,如式(4)所示[3]。
如果兩個(gè)雙極型晶體管工作在不相等的電流密度下,那么它們的基極—發(fā)射極電壓的差值就與絕對(duì)溫度成正比。那么將該電壓差值作用在一個(gè)電阻上,并利用電流鏡拷貝流過該電阻的電流,就可以獲得PTAT電流。圖2給出的是一個(gè)常用的產(chǎn)生PTAT電流的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
圖2 PTAT電流生成電路
在圖2所示的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,M1、M2和M3構(gòu)成電流鏡,并且有
將圖2中電路結(jié)構(gòu)改為圖3所示。
圖3 帶隙電壓基準(zhǔn)電路
將PTAT電流I3流過電阻R2,從而產(chǎn)生PTAT電壓I3·R2,再將這個(gè)電壓加到雙極型晶體管Q3的基極-發(fā)射極電壓上,從而獲得輸出基準(zhǔn)電壓:
當(dāng)R1,R2,M和n滿足關(guān)系時(shí),帶隙電壓基準(zhǔn)源可以在T=300K時(shí)獲得零溫度系數(shù)。
計(jì)算基準(zhǔn)源的輸出噪聲是一個(gè)非常必要的過程,下面將對(duì)圖3帶隙電壓基準(zhǔn)電路的輸出噪聲的計(jì)算進(jìn)行介紹。
如圖4是圖3中帶隙電壓基準(zhǔn)的原理框圖。
圖4 帶隙基準(zhǔn)電壓源的原理框圖
A1是誤差放大器,增益為AV1;B1是M5作為PMOS輸入管、R1和Q1作為負(fù)載的共源極放大器,增益為β1;B2是M6作為輸入管、Q2作為負(fù)載的共源極放大器,增益為β2;A2是M8作為輸入管,R2和Q3作為負(fù)載的的共源極放大器,增益為AV2。由圖4得反饋環(huán)路的傳遞函數(shù)為:
由此,當(dāng)誤差放大器的增益足夠大時(shí),從式(9)式可以得出由A1,B1和B2構(gòu)成的反饋環(huán)路的閉環(huán)增益為:
其中,RQi表示雙極型晶體管Qi發(fā)射極對(duì)地的等效電阻:
此外,供圖3中可得基準(zhǔn)電壓表達(dá)式為:
為了使得到的基準(zhǔn)電壓源擁有零溫度系數(shù),還需要滿足:
得到從誤差放大器輸入端到基準(zhǔn)電壓輸出端的總增益為:
綜合考慮MOS管的熱噪聲和閃爍噪聲。MOS管溝道中噪聲電流的譜密度為:
利用PATA電流產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓源電路不能直接為負(fù)載提供電流,需要在帶隙電壓基準(zhǔn)源和負(fù)載間加入緩沖級(jí)(buffer),通過緩沖級(jí)為負(fù)載提供電流。因?yàn)樨?fù)載如果直接從該帶隙基準(zhǔn)電壓源的輸出端獲得電流,則該電流是PATA電流I3中的一部分,由于負(fù)載對(duì)供電電流的需求不一定和絕對(duì)溫度成正比,因此無法保證流過電阻R2的電流和絕對(duì)溫度成正比,這就破壞了產(chǎn)生和溫度無關(guān)電壓基準(zhǔn)源的基礎(chǔ),使帶隙電壓基準(zhǔn)源失去原有的作用。而且負(fù)載對(duì)供電電流需求的改變會(huì)直接影響帶隙電壓基準(zhǔn)的輸出電壓,因此若使用該種帶隙電壓基準(zhǔn)結(jié)構(gòu),必須同時(shí)使用緩沖器將帶隙電壓基準(zhǔn)源與其負(fù)載隔離[1]。
采用無錫華潤上華公司(CSMC)的0.5umCMOS混合信號(hào)工藝庫,設(shè)計(jì)了一個(gè)帶隙電壓基準(zhǔn),并對(duì)帶隙電壓基準(zhǔn)的電阻、溫度和噪聲特性進(jìn)行優(yōu)化得到帶隙電壓基準(zhǔn)的整體電路結(jié)構(gòu)如圖4所示。
圖5 帶隙電壓基準(zhǔn)具體電路
其中M0~M4管構(gòu)成誤差放大器,用來使節(jié)點(diǎn)X和Y擁有相同的電位。M7和M9管為誤差放大器提供偏置電壓。表1列出了MOS管、電阻和雙極型晶體管的初始參數(shù)。
表1 帶隙電壓基準(zhǔn)MOS管參數(shù)
因?yàn)镸5、M6和M8擁有相同的寬長比,式(8)中M=1。為了獲得零溫度系數(shù)的帶隙電壓基準(zhǔn),電阻R1和R2需滿足下面的關(guān)系:
以此關(guān)系,令R1=26 kΩ,則R1=230 kΩ。
衡量一個(gè)帶隙基準(zhǔn)源性能優(yōu)劣的指標(biāo)主要有溫漂系數(shù)、輸出噪聲、電源抑制比和瞬態(tài)響應(yīng)。利用Candance仿真器,基于CSMC的0.5umCMOS混合信號(hào)工藝,主要對(duì)基準(zhǔn)源的溫度特性進(jìn)行仿真與分析。
圖6 輸出電壓溫度特性
圖7 R2值優(yōu)化結(jié)果
圖6 所示為-40℃~85℃時(shí)基準(zhǔn)源的輸出電壓溫度特性??梢钥闯鰩痘鶞?zhǔn)電壓隨溫度的升高而下降,這表明基準(zhǔn)電壓中的正溫度系數(shù)過小,
從圖7可以判斷出,當(dāng)R2電阻值為288 kΩ時(shí),基準(zhǔn)電壓隨溫度的升高而降低;但是當(dāng)R2的電阻值為345 kΩ時(shí),基準(zhǔn)電壓隨溫度的升高而升高。因此R2合適的阻值在288~345 kΩ的范圍內(nèi)。再次對(duì)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化得到,當(dāng)R2=316 kΩ時(shí),基準(zhǔn)電壓有最好的溫度特性。
為了能夠更好地了解該帶隙基準(zhǔn)電壓源的溫度特性,這里利用Cadence軟件中的“Calculator”工具計(jì)算出了帶隙電壓基準(zhǔn)源在不同R2值下,不同的溫漂系數(shù)。如圖8所示
圖8 溫漂系數(shù)
從圖8可以看出,當(dāng)R2電阻的阻值為316.5 kΩ時(shí),帶隙電壓基準(zhǔn)源有最小的溫漂系數(shù),即 13.749 8 ppm/℃[6-7]。
本文通過對(duì)帶隙基準(zhǔn)源的工作原理與參數(shù)性能影響因素的分析,實(shí)現(xiàn)了一種利用PATA電流產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)源。利用Cadence軟件對(duì)各參數(shù)進(jìn)行仿真分析,并通過優(yōu)化得到,當(dāng)R2=316 kΩ時(shí),基準(zhǔn)電壓有最好的溫度特性;在該溫度時(shí),帶隙基準(zhǔn)電壓源有最小的溫漂系數(shù)。
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