鄭世才

（新立機(jī)器廠，北京 100039）

1 輻射探測(cè)器概述

在數(shù)字射線檢測(cè)技術(shù)中，采用輻射探測(cè)器完成射線的探測(cè)和轉(zhuǎn)換。它是獲得射線檢測(cè)圖像的器件，是影響獲得的圖像質(zhì)量的基本因素。用于工業(yè)數(shù)字射線檢測(cè)技術(shù)的輻射探測(cè)器按原理可分為三類：氣體輻射探測(cè)器、閃爍輻射探測(cè)器以及半導(dǎo)體輻射探測(cè)器。

1.1 氣體輻射探測(cè)器

氣體輻射探測(cè)器利用的是輻射可以使氣體電離來(lái)實(shí)現(xiàn)輻射探測(cè)。氣體探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)是，在容器中安裝兩個(gè)同軸電極（由絕緣體分開），充上一定氣壓的氣體，電極之間加上一定的高壓。氣體是輻射探測(cè)器的探測(cè)介質(zhì)，輻射與氣體作用，損失的能量使氣體電離，電離產(chǎn)生的離子對(duì)在電場(chǎng)作用下形成電離電流，測(cè)量電離電流實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的探測(cè)。電離產(chǎn)生的離子對(duì)數(shù)與氣體類別、輻射類型和能量相關(guān)。圖1是其探測(cè)原理示意圖。氣體輻射探測(cè)器的主要類型是電離室、正比計(jì)數(shù)器和G－M計(jì)數(shù)器等。

圖1 氣體探測(cè)器原理示意圖

1.2 閃爍輻射探測(cè)器

閃爍輻射探測(cè)器利用的是閃爍現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的探測(cè)。閃爍現(xiàn)象是指高能粒子照射物質(zhì)時(shí)引起瞬時(shí)閃光的現(xiàn)象，閃光的持續(xù)時(shí)間一般不大于10－6s?？梢援a(chǎn)生閃爍現(xiàn)象的物質(zhì)稱為閃爍體。閃爍體將射線轉(zhuǎn)換為熒光輻射的過(guò)程是一種光致發(fā)光過(guò)程。

從能帶理論對(duì)閃爍現(xiàn)象可給出簡(jiǎn)單說(shuō)明。在晶體內(nèi)摻入雜質(zhì)（即激活劑），改變了純晶體的能級(jí)結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生了一些雜質(zhì)能級(jí)。入射到晶體的射線所損失的能量使電子躍遷，可導(dǎo)致激活劑處于激發(fā)態(tài)。激活劑從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)釋放能量，形成熒光輻射或磷光輻射。熒光輻射是輻射照射后在很短時(shí)間發(fā)生的輻射，磷光輻射是吸收和發(fā)射之間延遲比較長(zhǎng)的輻射。將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)則可實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的探測(cè)。

常用的閃爍晶體是碘化鈉、碘化銫、鍺酸鉍、鎢酸鈣和鎢酸鎘等。

1.3 半導(dǎo)體輻射探測(cè)器

半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)是PN結(jié)。半導(dǎo)體輻射探測(cè)器利用的是內(nèi)光電效應(yīng)。即，半導(dǎo)體材料吸收輻射能量后，產(chǎn)生電子－空穴對(duì)，由此可引起半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率改變，或引起電流、電壓現(xiàn)象，通過(guò)外電路測(cè)量電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的探測(cè)。圖2是半導(dǎo)體探測(cè)器的探測(cè)原理示意圖。

圖2 半導(dǎo)體探測(cè)器原理示意圖

1.4 輻射探測(cè)器的主要性能

對(duì)于輻射探測(cè)器，從制造角度應(yīng)考慮的性能主要包括：量子檢出效率、靈敏度、動(dòng)態(tài)范圍（線性范圍）、信噪比、時(shí)間分辨力（率）、能量分辨力（率）、空間分辨力（率）等。

（1）量子檢出效率（DQE） 是探測(cè)器將輸入輻射信號(hào)轉(zhuǎn)換為輸出信號(hào)的效率。輸入信號(hào)強(qiáng)度與輸出信號(hào)強(qiáng)度常用粒子數(shù)或光子數(shù)表示。量子效率與探測(cè)器種類、入射射線類型與能量等相關(guān)。它直接影響得到的圖像質(zhì)量。

（2）靈敏度 指探測(cè)器輸出可檢測(cè)信號(hào)時(shí)所需要的最少輸入信號(hào)強(qiáng)度。好的探測(cè)器靈敏度可達(dá)到一個(gè)光子。

（3）動(dòng)態(tài)范圍 即探測(cè)器輸出信號(hào)與輸入信號(hào)成正比的范圍，也稱為線性范圍。

（4）噪聲 指由非輸入信號(hào)造成的輸出信號(hào)。

（5）時(shí)間分辨力 是探測(cè)器可分辨的兩個(gè)相鄰入射粒子的最小時(shí)間間隔。

（6）能量分辨力 是探測(cè)器分辨不同能量粒子的能力，通常以某一能量的輸出脈沖的半高寬度除以脈沖高度。

（7）空間分辨力 是探測(cè)器分辨最小幾何細(xì)節(jié)的能力，常用（調(diào)制傳遞函數(shù)降為0.2的）空間頻率或不清晰度表示。應(yīng)注意，空間分辨力與采用的具體技術(shù)相關(guān)。

ASTM E2597—2007《數(shù)字探測(cè)器陣列制造性能》標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，評(píng)價(jià)數(shù)字探測(cè)器陣列制造性能應(yīng)包括基本空間分辨力、效率、對(duì)比度靈敏度、特定材料厚度范圍及有關(guān)圖像的一些因素。

從使用角度最關(guān)心的探測(cè)器性能指標(biāo)常為：像素（元）尺寸、空間分辨力、動(dòng)態(tài)范圍、適用能量、使用壽命等。一些輻射探測(cè)器性能目前的基本情況見表1。關(guān)于空間分辨力應(yīng)注意的是，表中給出的空間分辨力是探測(cè)器可達(dá)到的最高空間分辨力。

2 直接數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)常用的輻射探測(cè)器

在直接數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)中，實(shí)際使用的輻射探測(cè)器主要有非晶硅輻射探測(cè)器、非晶硒輻射探測(cè)器、CCD或CMOS輻射探測(cè)器等。

2.1 非晶硅輻射探測(cè)器

非晶硅輻射探測(cè)器由閃爍體、非晶硅層（光電二極管陣列）、TFT陣列（大面積薄膜晶體管陣列）構(gòu)成。圖3是非晶硅輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖。閃爍體將輻射轉(zhuǎn)換為光，非晶硅層將光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，TFT陣列作為開關(guān)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的讀出，供給后續(xù)測(cè)量電路。可見，非晶硅輻射探測(cè)器對(duì)射線探測(cè)需要經(jīng)過(guò)兩個(gè)過(guò)程，它是一種間接轉(zhuǎn)換的探測(cè)器。圖4是非晶硅輻射探測(cè)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是平板非晶硅輻射探測(cè)器的外形圖。

圖3 非晶硅探測(cè)器結(jié)構(gòu)示意圖

表1 部分輻射探測(cè)器的主要性能

光電二極管是一類光探測(cè)器件。光電二極管的基本結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，其基于光伏效應(yīng)探測(cè)光信號(hào)。在半導(dǎo)體界面存在空間電荷區(qū)，它建立了很強(qiáng)的自建電場(chǎng)。光照時(shí)產(chǎn)生的電子－空穴對(duì)在自建電場(chǎng)的作用下運(yùn)動(dòng)，形成光生電流。光生電流大小僅決取決于光照度。在很寬的光照范圍內(nèi)，光電二極管可以產(chǎn)生與入射光強(qiáng)度成正比的光生電流。即可以把光信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的探測(cè)。

TFT即大面積薄膜晶體管。其基本結(jié)構(gòu)是在玻璃基板上制做半導(dǎo)體膜層，然后對(duì)膜層加工制成大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路。TFT的單元實(shí)際是一個(gè)由源極、漏極、柵極組成的三端器件，利用柵極電壓控制源極與漏極間的電流。在非晶硅輻射探測(cè)器中，TFT單元與一個(gè)電容器組成探測(cè)單元，貯存電荷與入射輻射對(duì)應(yīng)。讀出時(shí)，作為開關(guān)控制電信號(hào)傳送。

2.2 非晶硒輻射探測(cè)器

非晶硒輻射探測(cè)器是一種直接轉(zhuǎn)換的探測(cè)器，其基本組成部分是非晶硒（作為光電材料）和薄膜晶體管陣列（TFT）。圖6是非晶硒輻射探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6 非晶硒探測(cè)器的結(jié)構(gòu)示意圖

當(dāng)射線照射到非晶硒時(shí)，將產(chǎn)生電子－空穴對(duì)，在外加偏壓作用下，產(chǎn)生的電子－空穴對(duì)向相反方向移動(dòng)，形成電流。電流在TFT電容上積聚，形成貯存電荷。每個(gè)TFT上的貯存電荷正比于射線的照射量。TFT實(shí)際起到像元開關(guān)的作用。讀出時(shí)，施加電壓信號(hào)，開關(guān)打開，從輻射轉(zhuǎn)換出的貯存電荷沿?cái)?shù)據(jù)線流出，經(jīng)放大、數(shù)字化，完成數(shù)字圖像信息貯存與處理。即每個(gè)TFT單元成為采集信息的最小單元，也即像素。

2.3 CCD或CMOS輻射探測(cè)器

CCD（電荷耦合器件）或CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）輻射探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)為三部分。第一部分為閃爍體，用于將輻射轉(zhuǎn)換為光信號(hào)；第二部分為CCD或CMOS感光成像器件，將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)；第三部分為后續(xù)電路，測(cè)量電信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)輻射的探測(cè)?？梢姡瑢?shí)現(xiàn)輻射探測(cè)轉(zhuǎn)換的是閃爍體，CCD或CMOS實(shí)現(xiàn)的是對(duì)光信號(hào)的轉(zhuǎn)換和探測(cè)。

CCD是將可見光轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的器件。CCD的基本結(jié)構(gòu)是密排的MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）二極管陣列，即金屬－氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成的電容，MOS電容的基本結(jié)構(gòu)見圖7。在光照條件下，MOS電容襯底發(fā)生電子躍遷，形成電子－空穴對(duì)。在外電場(chǎng)作用下，電子和空穴分別向兩極運(yùn)動(dòng)，形成電子電荷，即光生電荷。光生電荷存儲(chǔ)在MOS電容的每個(gè)單元中。光生電荷的多少?zèng)Q定于射線能量和光子的數(shù)量，即每個(gè)MOS電容單元的電荷與圖像的亮度對(duì)應(yīng)。按一定相位順序加上時(shí)鐘脈沖時(shí)，在序列脈沖驅(qū)動(dòng)下，光生電荷（信息電荷）將按規(guī)定方向沿襯底表面轉(zhuǎn)移，形成圖像視頻信號(hào)。

圖7 MOS電容基本結(jié)構(gòu)示意圖

CMOS的感光元可為光電二極管或MOS單元。在光電信號(hào)產(chǎn)生上與CCD相同，但在構(gòu)造和信號(hào)讀取上不同于CCD?；镜牟煌?，CMOS的各像素單元本身具有放大功能電路，產(chǎn)生的信號(hào)電荷在經(jīng)過(guò)放大后傳輸?shù)捷敵鲭娐?，使信?hào)在傳輸路徑中不易受到噪聲影響。

3 間接數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)常用的輻射探測(cè)器

在間接數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)中，實(shí)際使用的輻射探測(cè)器主要是成像板（IP板）、圖像增強(qiáng)器等。

3.1 IP板

IP板（成像板）主要由保護(hù)層、熒光層、支持層、背襯層構(gòu)成，基本結(jié)構(gòu)如圖8所示。

圖8 IP板的結(jié)構(gòu)示意圖

保護(hù)層為非常薄的聚酯樹脂類纖維，保護(hù)熒光層不受外界的影響。熒光層采用特殊的熒光物質(zhì)，即光激發(fā)射熒光物質(zhì)構(gòu)成。熒光物質(zhì)目前主要采用的是氟鹵化鋇（二價(jià)銪激活）。支持層常用聚酯樹脂類纖維膠制做。它具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，保護(hù)熒光層免受外力損傷。背襯層制成黑色，防止激光在熒光層和支持層的界面反射。

IP板探測(cè)輻射所基于的原理是，某些熒光發(fā)射物質(zhì)受到射線照射時(shí)，在較高能帶俘獲的電子形成光激發(fā)射熒光中心（PLC），它們能夠以準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)貯存吸收的輻射能量。采用激光激發(fā)時(shí)，光激發(fā)射熒光中心的電子將返回它們初始能級(jí)，并以發(fā)射可見光的形式輸出能量。這種光發(fā)射與原來(lái)接收的輻射劑量成比例。即，這些特殊熒光發(fā)射物質(zhì)具有保留潛在圖像信息的能力。

從一般的理論考慮，IP板的主要特性可分為下列方面：分辨力（空間分辨力）、動(dòng)態(tài)范圍、譜特性（吸收譜、激發(fā)譜、發(fā)射譜）、時(shí)間響應(yīng)特性、衰退特性。分辨力由熒光層的特性決定，與測(cè)定時(shí)的射線能量相關(guān)。IP板的動(dòng)態(tài)范圍（輸出信號(hào)對(duì)輸入信號(hào)的線性響應(yīng)范圍）一般可達(dá)到104∶1以上，比膠片的動(dòng)態(tài)范圍寬很多。激發(fā)譜特性是不同波長(zhǎng)激光激發(fā)IP板時(shí)，IP板發(fā)光的相對(duì)強(qiáng)度分布情況。發(fā)射譜特性是IP板受到激光激發(fā)時(shí)，IP板發(fā)射的不同波長(zhǎng)熒光的相對(duì)強(qiáng)度分布情況。圖9給出的是IP板的發(fā)射譜特性和激發(fā)譜特性。圖10是IP板的衰退特性，它給出了IP板上形成的潛在射線照相圖像隨貯存時(shí)間增加而減弱的情況。IP板可以重復(fù)使用。IP板上的圖像掃描讀取完后，可以采用光照擦除。一般說(shuō)可以重復(fù)使用5000次左右。

3.2 圖像增強(qiáng)器

圖像增強(qiáng)器的基本結(jié)構(gòu)包括外殼、射線窗口、輸入屏、聚焦電極、輸出屏。圖11是圖像增強(qiáng)器的主要結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11 圖像增強(qiáng)管結(jié)構(gòu)示意圖

圖12 輸入屏結(jié)構(gòu)示意圖

窗口由鋁板或鈦板制做，鋁板的厚度一般為0.7～1.2mm，既具有一定的強(qiáng)度，又可以減少對(duì)射線的吸收。輸入屏主要由基板、閃爍體（熒光體）和光電（陰極）層構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)見圖12。輸入屏基板為鋁板，厚度一般約為0.5mm。閃爍體主要采用CsI晶體制做，其主要特性分子式 CsI（TI），密度4.51g／cm3，最大發(fā)射波長(zhǎng)420～570nm，轉(zhuǎn)換效率45%［以碘化鈉轉(zhuǎn)換X射線的效率為100%（約為15%）］，衰減常數(shù)1.0μs（信號(hào)衰減到最大強(qiáng)度的37%所需要的時(shí)間），余輝0.5～5%／3ms，其中鉈（TI）為激活劑。CsI晶體具有類似光纖的針狀結(jié)構(gòu)，它可以限制光的漫散射。光電層是一種基于外光電效應(yīng)的光電發(fā)射材料，在圖像增強(qiáng)器的輸入屏，光電層為多堿金屬（銻與多堿金屬的化合物），厚度很?。▋H為20nm）。聚焦電極加有25～30kV的高壓。輸出屏的直徑一般在15～35mm之間，多采用ZnCdS（Ag）熒光材料（P20）沉積在很薄的鋁膜上（200～300nm），熒光物質(zhì)層厚度一般為4～8μm，發(fā)射光的峰值波長(zhǎng)為520～540nm。

圖像增強(qiáng)器工作的基本過(guò)程如下。射線透過(guò)工件，穿過(guò)圖像增強(qiáng)器的窗口入射到輸入轉(zhuǎn)換屏上，輸入轉(zhuǎn)換屏閃爍體（CsI）吸收射線的部分能量，將其能量轉(zhuǎn)換為熒光發(fā)射。發(fā)射的熒光被光電（陰極）層接收，并將熒光能量轉(zhuǎn)換為電子發(fā)射。發(fā)射的電子在聚焦電極的高壓作用下被加速和聚焦，高速撞擊到輸出屏上。輸出屏熒光物質(zhì)將電子能量轉(zhuǎn)換為熒光發(fā)射，形成檢測(cè)圖像。在圖像增強(qiáng)器中完成的轉(zhuǎn)換過(guò)程可概括為：射線→可見光→電子→可見光。圖像增強(qiáng)器輸出屏上的圖像，采用與其耦合的光學(xué)系統(tǒng)和攝像系統(tǒng)拾取。

一方面光電（陰極）層的靈敏度會(huì)隨使用時(shí)間增加而降低，另一方面，由于增強(qiáng)管內(nèi)真空度隨著時(shí)間的降低，也將影響光電（陰極）層的靈敏度。因此，無(wú)論使用與否，光電（陰極）層的靈敏度都會(huì)隨著時(shí)間的增加而降低。這限制了圖像增強(qiáng)器的壽命。

4 A／D轉(zhuǎn)換器

為獲取數(shù)字射線檢測(cè)圖像，需要采用A／D（模／數(shù)）轉(zhuǎn)換器將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。在直接數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)中，輻射探測(cè)器包含了A／D轉(zhuǎn)換器，除了完成射線信號(hào)的探測(cè)、轉(zhuǎn)換外，同時(shí)完成圖像數(shù)字化。在間接數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)中，A／D轉(zhuǎn)換器在單獨(dú)的圖像數(shù)字化單元中，完成圖像數(shù)字化過(guò)程。

信號(hào)可以分為模擬信號(hào)、脈沖信號(hào)、數(shù)字信號(hào)。在時(shí)間上和幅值上連續(xù)變化的信號(hào)是模擬信號(hào)，在時(shí)間上和幅值上不連續(xù)變化的信號(hào)是脈沖信號(hào)，數(shù)字信號(hào)常是由二進(jìn)制數(shù)字0，1組成的信號(hào)。圖13顯示了同一信號(hào)的三類信號(hào)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

A／D轉(zhuǎn)換，即模／數(shù)轉(zhuǎn)換，是將模擬量（通常是電壓量）轉(zhuǎn)換為數(shù)字量（或說(shuō)將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)）。A／D轉(zhuǎn)換過(guò)程包括取樣、保持、量化、編碼四個(gè)步驟，圖14顯示了A／D轉(zhuǎn)換的基本過(guò)程。

圖14 A／D轉(zhuǎn)換的基本過(guò)程

由于模擬信號(hào)是隨時(shí)間連續(xù)變化的量，因此在進(jìn)行A／D轉(zhuǎn)換時(shí)，需要對(duì)模擬信號(hào)周期性地連續(xù)取樣，在A／D轉(zhuǎn)換器內(nèi)將其量化、編碼成為數(shù)字信號(hào)。取樣后保持中的信號(hào)值仍是連續(xù)的模擬信號(hào)值，為了用數(shù)字量表示，須將其轉(zhuǎn)化成某個(gè)數(shù)量單位的整數(shù)倍，這個(gè)過(guò)程就是量化。量化后的數(shù)字可用不同方式表示，一般采用二進(jìn)制數(shù)表示。即編碼就是采用二進(jìn)制數(shù)表示量化后數(shù)字的過(guò)程。

A／D轉(zhuǎn)換可分為不同方法，A／D轉(zhuǎn)換器可分為不同類型，類型不同結(jié)構(gòu)組成不同、工作原理不同。A／D轉(zhuǎn)換器的主要性能指標(biāo)包括：分辨率、量化誤差、輸入模擬電壓范圍、轉(zhuǎn)換速度、工作溫度系數(shù)等。

分辨率表示的是A／D轉(zhuǎn)換器能夠區(qū)分的最小輸入模擬電壓，因此它限定了A／D轉(zhuǎn)換器分解輸入模擬電壓的能力。它由A／D轉(zhuǎn)換器輸入的模擬電壓滿量程值和可轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)（比特，bit）決定。例如，A／D轉(zhuǎn)換器輸入的模擬電壓滿量程值為5V，當(dāng)其輸出二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)為8位（8bit）時(shí)，其可分辨的最小輸入模擬電壓為：

5×1000÷28＝19.53mV

如果其輸出二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)為12位（12bit）時(shí)，其可分辨的最小輸入模擬電壓為：

5×1000÷212＝1.22mV

量化誤差是A／D轉(zhuǎn)換器對(duì)連續(xù)的輸入模擬電壓用有限的數(shù)字進(jìn)行離散賦值時(shí)出現(xiàn)的誤差。它是A／D轉(zhuǎn)換過(guò)程固有的誤差。顯然，轉(zhuǎn)換的二進(jìn)制數(shù)的位數(shù)越高，量化誤差會(huì)越小。

輸入模擬電壓范圍是A／D轉(zhuǎn)換器可以正常工作的范圍。

轉(zhuǎn)換速度用A／D轉(zhuǎn)換器完成一次A／D轉(zhuǎn)換時(shí)間表示。

溫度系數(shù)是A／D轉(zhuǎn)換器正常工作條件下，溫度每改變1℃導(dǎo)致的輸出相對(duì)變化。

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