梅詣偲, 吳先良, 黃志祥, 魯思龍, 任信鋼, 杜紅梅
(1.安徽大學(xué) 電子信息工程學(xué)院,安徽 合肥 230601;2.合肥師范學(xué)院 物理電子系,安徽 合肥 230601)
隨著電子技術(shù)的發(fā)展,電路的工作頻率越來(lái)越高,集總元件的尺寸相對(duì)于波長(zhǎng)越來(lái)越小,對(duì)于一些結(jié)構(gòu)很復(fù)雜或者工作頻率很高的系統(tǒng),電路元件參數(shù)的提取已十分困難,路的概念也變得非常模糊。因此傳統(tǒng)的電路理論就很難高效精準(zhǔn)地進(jìn)行電路特性分析,場(chǎng)分析方法才是有效的分析手段,其中FDTD方法以其通用性強(qiáng)、程序簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)得到了大量應(yīng)用。FDTD思想自文獻(xiàn)[1]提出以來(lái)在電磁領(lǐng)域得到推廣應(yīng)用[2-3],文獻(xiàn)[4]將其應(yīng)用于無(wú)源集總元件,文獻(xiàn)[5-6]將其推廣到了三維情況,文獻(xiàn)[7]首次運(yùn)用FDTD算法進(jìn)行有源天線的分析,并得到了正確結(jié)果。近年來(lái)FDTD在微波電路上的應(yīng)用更加廣泛,文獻(xiàn)[8]運(yùn)用FDTD方法對(duì)微帶線直角拐角進(jìn)行弧形切角研究,找到了最佳弧形切角,并驗(yàn)證最佳切角的存在,文獻(xiàn)[9]提出了一種二極管計(jì)算的新方法,提高了計(jì)算效率。
本文在此基礎(chǔ)上,運(yùn)用FDTD方法,采用非分裂完全匹配層技術(shù)(UPML)[10],推導(dǎo)了基于D-H關(guān)系的集總元件的FDTD三維迭代公式,對(duì)高頻信號(hào)下非線性單管混頻器進(jìn)行了全波分析,得到的各個(gè)時(shí)刻電路間場(chǎng)分布圖以及混頻器二極管兩端電壓波形與軟件仿真結(jié)果高度吻合,證明了此方法有效可行。
集總元件處于真空中時(shí)麥克斯韋旋度方程:
其中,H、D、E、B分別為磁場(chǎng)強(qiáng)度、電位移、電場(chǎng)強(qiáng)度、磁感應(yīng)強(qiáng)度;JL為集總元件的電流密度。
假設(shè)JL沿z方向,如圖1所示,則JL=JzL=IzL/(ΔxΔy),由此可導(dǎo)出集總元件處FDTD迭代公式。由于UPML的公式基于D-H 關(guān)系導(dǎo)出,故此處也給出D-H關(guān)系式,以Dz為例,即
圖1 集總元件位置圖
不同的集總元件,其上I-V的關(guān)系不同,據(jù)此推導(dǎo)出各種集總元件的迭代公式如下。
電阻:
當(dāng)位于Ez處的集總元件為二極管時(shí),二極管兩端的電流為:
其中,q為電子電量;Ud為二極管2端電壓;kB為玻爾茲曼常數(shù);T為絕對(duì)溫度。離散后代入(2)式可得:
由于二極管的非線性特性,(8)式為超越方程,可以用牛頓迭代法求解出Dz在n+1時(shí)刻的值。
圖2所示為二極管后接一個(gè)低通濾波網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成的單管混頻器,電路中介質(zhì)板相對(duì)介電常數(shù)εr=9,厚度H=0.2536mm,微帶寬W=0.2664mm,長(zhǎng)L1=3mm,L2=L3=2mm,D為理想二極管,I0=0.01pA,電感L=32nH,電容C1=C2=6.37pF,負(fù)載R1=50Ω。
圖2 單管混頻器電路結(jié)構(gòu)圖
下面通過(guò)模擬這個(gè)非線性混合電路來(lái)驗(yàn)證所述方法的可行性。
電路中激勵(lì)源選用的電壓源Vs為2個(gè)頻率的正弦波的疊加,Vs=10sin(2πf1t)+10sin(2πf2t),內(nèi)阻Rs=50Ω,取f1=1.0GHz,f2=0.9GHz,F(xiàn)DTD計(jì)算網(wǎng)格為34×100×20,網(wǎng)格大小Δx=0.0444mm,Δy=0.1000mm,Δz=0.0634mm,時(shí)間步長(zhǎng)Δt=0.1ps。圖3所示為不同時(shí)刻微帶電路所在平面電場(chǎng)Ez的分布情況。
圖3a所示為t=17ps時(shí),電磁波開(kāi)始從電源端向第1個(gè)微帶貼片傳播;圖3b所示為t=130ps時(shí),電磁波經(jīng)由第1塊貼片傳播到了二極管處;圖3c所示為t=850ps時(shí),電磁波通過(guò)了第2塊貼片到達(dá)電容電感組成的濾波網(wǎng)絡(luò);圖3d所示為t=4.5ns時(shí),電磁波已經(jīng)傳播到整個(gè)電路,達(dá)到穩(wěn)態(tài)。
圖4所示為二極管D兩端電壓VD與負(fù)載R1兩端電壓VR1的波形曲線,實(shí)線為FDTD的模擬結(jié)果,虛線為ADS的仿真結(jié)果。
圖3 微帶電路所在平面Ez分布情況
圖4 FDTD與ADS對(duì)VD和VR1的仿真結(jié)果對(duì)比
從圖4可以清楚看到電路已呈現(xiàn)出混頻的效果,2條曲線幾乎完全吻合,即FDTD計(jì)算結(jié)果與ADS仿真保持了高度的一致。這說(shuō)明了FDTD在仿真非線性微帶電路上的有效性和精確性,所得時(shí)域電磁場(chǎng)分布圖對(duì)研究高頻混合電路的電磁兼容等問(wèn)題提供了重要的依據(jù)。
本文基于FDTD對(duì)非線性混合電路進(jìn)行了全波分析,模擬結(jié)果與ADS軟件仿真結(jié)果一致,證明了該方法的正確性。此方法可進(jìn)行全頻帶模擬,并能觀測(cè)到高頻時(shí)電路上電磁場(chǎng)分布情況,得到時(shí)域場(chǎng)值。該方法為研究電磁兼容及串?dāng)_等問(wèn)題提供了很好的依據(jù)。
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