擁有模擬和數字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT?公司 （Integrated Device Technology，Inc．；NASDAQ：IDTI)宣布，已推出針對4 G無線基站的業(yè)界最低功耗低失真多樣化混頻器。作為 IDT Zero-DistortionTM系列產品之一，這款新器件可在降低長期演進（LTE）和時分雙工（TDD）無線通信架構失真的同時降低功耗。IDT致力于為業(yè)界提供一個涵蓋從天線到數字信號處理器（DSP）的完整射頻卡信號鏈，新的LTE混頻器正是該戰(zhàn)略中的重要射頻產品。

IDTF1162是一款低功耗、低失真雙路2 300～2 700 MHz射頻到中頻混頻器，擁有超線性 （+43 dBm）三階交調截取點（IP3O），可達到優(yōu)異的互調抑制，是 4 G無線基站收發(fā)器中多載波、多模式蜂窩系統(tǒng)的理想選擇。與競爭解決方案相比，IDTF1162改進 IM3失真達 18 dB，同時降低 40%功耗達業(yè)界領先（典型值為1 150mW）。這些特性可降低射頻卡的散熱要求，并允許基礎架構提供商采用更高的平均前端增益設置，從而實現更高的信噪比（SNR）。多達0．4 dB的改進接收器 SNR有利于無線通信運營商擴大覆蓋面積和提高用戶手機外圍的可用數據率。

IDTF1162提供上電快速穩(wěn)定和恒定本地振蕩器（LO）輸入阻抗。這允許客戶在時分雙工（TDD）接收器插槽間降低混頻器用電，從而進一步降低功耗。此外，這款器件經設計，可在一個100℃的連續(xù)封裝箱溫度中運行，對于在密布遠程射頻頭外殼內的IC來說，是一個重要特性。與IDT射頻混頻器系列的其他產品類似，IDTF1162與市場中現有的器件引腳相容，可提供令人信服的升級選擇。