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        高精密度平行光曝光機圖形轉移技術

        2012-07-31 07:17:30黃志遠張建軍梁四連
        印制電路信息 2012年3期
        關鍵詞:壓膜干膜抗蝕

        黃志遠 張建軍 梁四連

        (銅陵市超遠精密電子科技有限公司,安徽 銅陵 244000)

        楊小健 王澤宇 朱 萌 何 為

        (電子科技大學微電子與固體電子學院,四川 成都 610054)

        1 前言

        目前電子行業(yè)中PCB線路制作的圖形轉移曝光設備大多數(shù)為非平行光,屬于散射光源,照射角度一般為3°~15°角,致使圖形轉移失真,對于精度要求高的高密度電路板及液晶顯示板,加工精度達不到高端水平[1][2]。

        只有掌握核心圖形轉移設備技術,才能生產出高品質電器及高清晰顯示器。為此研發(fā)出平行光曝光設備。其主要特點:點光源配合反光鏡鍍膜技術,將寬光波長改變,將多余可見光濾出,UV光控制在350 nm ~ 420 nm,將其光反射在蜂鏡上,將點光打散后,將光束改變成1°~1.5°平行光,而且通過控制圖像軟件將對位方式變成數(shù)控轉換自動對位[3],達到對位精度在0.025 mm以內,精度一次性好,節(jié)省勞動力,大大提高生產效率及品質。此項技術達到國外技術水平。在細密線路制作上,平行光更顯優(yōu)勢:平行光在干膜抗蝕劑成像的應用,顯影后側蝕控制較散光方式大有改善,可確保線路制作線寬/線距合乎規(guī)范;使用高強度高功率光源可縮短曝光時間提高產量。

        為迎合PCB、LCD行業(yè)向密集細線路發(fā)展趨勢,本文旨在研究生產過程中高精密度平行光曝光機圖形轉移技術,由原來0.127 mm/0.127 mm(5 mil/5 mil)線路能力提升到0.05 mm/0.05 mm(2 mil/2 mil)能力,實現(xiàn)了向精細線路的大跨越。

        2 平行光曝光機工作原理

        2.1 光源

        圖1是高壓水銀弧光燈構造圖。印刷電路板制程中干膜曝光所需的光源大致而言以近紫外光為主,波長范圍為:400 nm ~ 300 nm;紫外光源是以水銀弧光燈為主。當電流通過一個內部充滿惰性氣體和金屬蒸氣的玻璃封管時,就會產生弧光。簡單的原理為封管內游離電子經(jīng)電場加速后本身具有足夠的能量,可將被其碰撞的惰性氣體(例如氖)使其發(fā)生離子化反應。碰撞后,帶正電的氖離子往相反電極方向走,再碰到電子時發(fā)生互相結合,而成中性。因其之碰撞以及正負結合的能量,使產生一種激發(fā)態(tài)的氖原子。這種激發(fā)態(tài)的氖原子壽命較長,可再將激發(fā)能移給封管內同時存在的金屬蒸氣(例如汞原子),使其也被激發(fā)。此種激發(fā)態(tài)汞再以放出光能的方式將能量放出,以回到安定狀態(tài)。這就是弧光燈發(fā)光的原理。如下反應式:

        2.2 光路

        圖2是平行光原理示意圖,光源發(fā)出來的光,部份經(jīng)過聚光器,然后再經(jīng)過介質性的冷光面鏡或雙向鋁鏡,而反射出來;此兩種鏡面也可當作紅外線濾光器雙向鋁鏡,讓光源中的紅外光透過,其中之熱量則被散熱座所吸收。剩下的冷光成90°折射透過另外一個雙凸透鏡的組合(一般稱為光線整合器Light Integrator),此時紅外光被濾走,剩下來幾乎都是很純的紫外光,是一種外觀為藍色的光,其波長在320 nm ~ 405 nm之間。然后再到達另兩個反射表面,一般稱此為平行光反射鏡,變成平行光線反射出來,到達工作區(qū)域上。

        3 圖形轉移技術原理

        3.1 干膜

        感光材料介質,由聚酯片基、光敏抗蝕膠膜和聚乙烯保護膜三層構成。片基是光敏抗蝕劑膠膜的載體,使抗蝕干膜保持良好的尺寸穩(wěn)定性,還可保護抗蝕膜不被磨損;光敏抗蝕劑膠膜由具有光敏性抗蝕樹脂組成;聚丙烯或聚乙烯薄膜是覆蓋在抗蝕膠層另一面的保護層。

        3.2 底片

        底片是圖形轉移媒介,如圖3。

        3.3 圖形轉移技術原理

        紫外光透過圖形轉移媒介(黑片)與感光材料(干膜)發(fā)生光化學反應,使高分子內部或高分子之間的化學結構發(fā)生變化,從而導致感光性高分子的物性發(fā)生變化,其化學活性較差。未照射的不發(fā)生化學反應,活性不變,發(fā)生反應部分化學活性較低,利用這一特性,采用溶解或剝離方法形成導電圖形。

        3.4 干膜圖形轉移流程

        4 高精密度平行光曝光機圖形轉移技術要點

        實驗以制作0.05 mm/0.05 mm(2 mil/2 mil)密集線路做說明。

        4.1 PCB板面粗糙度控制

        控制PCB板面粗糙度主要為增加干膜與PCB覆銅箔表面結合力。主要指標為:Rz值≥1.5 mm,控制范圍:1.5 mm ~ 2.5 mm。磨痕測試為上面12 mm、12 mm、12 mm;下面12 mm、12 mm、12 mm。實驗測試位置如圖4,測試結果Rz值記錄見表1。

        表1 PCB板面粗糙度Rz值

        實驗表明PCB板面粗糙度在磨板之前,Rz最小值為1.054μm,最大值為1.872μm,平均值為1.391 mm,均勻性比較差而且不滿足實驗指標。而打磨后的PCB兩面的粗糙度比較均勻,平均在1.751 mm左右。圖5是磨板前后PCB板面的SEM圖片,未經(jīng)過磨板之前(圖5a),表面不夠粗糙 ,沒有峰狀起伏的溝槽;經(jīng)過磨板之后(圖5b),表面粗糙、均勻、沙?;⒍喾鍫?,滿足粗糙度要求。

        4.2 貼膜技術控制

        用印刷電路板干膜,利用由內而外的加熱方式,加熱兩支壓膜滾輪,由兩組紅外線測溫感應器探測壓膜輪的表面溫度,再由精密電子溫度控制器,控制加熱器的加熱,使得壓膜輪外表的溫度在壓膜過程中能過于穩(wěn)定,使整個感光膜牢牢的沾附在板上。實驗要求壓膜速度為1.3 m/min,壓力為0.49 MPa(5.0 kg/cm2),熱壓輪負載溫度≥105 ℃。溫度測量位置如圖5,測量數(shù)據(jù)見表2。表明貼膜過程中,溫度設定在125時,過半數(shù)量在100以內,上下壓膜溫度基本穩(wěn)定而且溫度≥105 ℃,保障干膜均勻緊密的沾附在PCB覆銅箔表面上。

        表2 貼膜溫度測試數(shù)據(jù)

        4.3 曝光控制

        底片光密度控制: 圖6是實驗使用的底片照片,要求遮光度(≥4.5)與透光度(≤0.08)。測試結果見表3,表明實驗所用底片的遮光度與透光度比較穩(wěn)定,滿足實驗的要求。

        表3 底片的遮光度和透光度

        曝光能量均勻性的測定:(1) 曝光能力設定:100 MJ/cm2;(2)采用九點測試法;(3) 測試工具:已經(jīng)校正的UV光能量計;(4)計算方法:[1-(最大值-最小值)/(最大值+最小值)]*100%。

        表4是曝光能量均勻性的測試結果,平行光曝光能量的均勻性都是大于等于85%。滿足實驗曝光的要求。

        表4 曝光能量均勻性的測試

        4.4 顯影控制

        顯影液為1.0%的碳酸鈉(加適量的消泡劑);顯影的噴射壓力0.15 MPa(1.5 Kg/cm2);顯影液的溫度為28 ℃ ~ 32 ℃,顯影時間調整為通過顯影區(qū)1/2處露銅。

        圖7是顯影解析度測試,顯影后干膜線路經(jīng)過3次膠帶反復剝離測試,45μm干膜線條已可達到無甩膜翹起現(xiàn)象,滿足0.05 mm/0.05 mm(2 mil/2 mil)線路要求。

        5 總結

        文章研究開發(fā)了平行曝光機圖形轉移技術,由原來0.127 mm/0.127 mm(5 mil/5 mil)線路能力提升到0.05 mm/0.05 mm(2 mil/2 mil)能力,實現(xiàn)了向精細線路的大跨越,為制作高精密度線路板提供了強大的技術基礎,同時也滿足了市場的需要,促進了PCB行業(yè)的發(fā)展。

        [1]顧志剛. PCB用曝光機文平行光系統(tǒng)[J]. 印制電路信息, 2002,3:38-39.

        [2]鄭新武. 紫外線曝光機燈源系統(tǒng)設計[J]. 印制電路信息, 2011,5:21-30.

        [3]楊志鋒, 李寅, 陳永明. PCB曝光機自動控制系統(tǒng)設計[J]. 機電工程技術, 2009,38(11):43-45.

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